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一種半導體器件具有第一電氣組件和設置在所述第一電氣組件之上的柔性密封劑。第一電氣組件在處于晶片形式時進行厚度減小。第一電氣組件具有400微米的厚度。第一電氣組件附接到襯底，以提供用以沉積柔性密封劑的基底。在第一電氣組件之上形成互連結構。柔性...該專利屬于JCET星科金朋韓國有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過JCET星科金朋韓國有限公司授權不得商用。
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一種半導體器件具有第一電氣組件和設置在所述第一電氣組件之上的柔性密封劑。第一電氣組件在處于晶片形式時進行厚度減小。第一電氣組件具有400微米的厚度。第一電氣組件附接到襯底，以提供用以沉積柔性密封劑的基底。在第一電氣組件之上形成互連結構。柔性...