【技術實現步驟摘要】
本公開涉及集成電路，特別是涉及一種半導體結構的制作方法及半導體結構。
技術介紹
1、隨著互補金屬氧化物半導體（complementary?metal?oxide?semiconductor，cmos）技術的不斷發展，柵介質層厚度的不斷降低、柵極長度不斷縮小，量子隧穿效應變得越來越顯著，多晶硅柵極的耗盡效應也變得越來越嚴重，二氧化硅柵介質和多晶硅柵極晶體管已經逐漸接近其物理極限。
2、半導體領域引入了高介電常數金屬柵極（high-k?metal?gate，hkmg）技術，通過高k介質材料代替二氧化硅柵介質，以及使用金屬柵極代替多晶硅柵極，以改善柵極漏電流，增強柵控能力，提高載流子遷移率。
3、在hkmg技術在制作過程中，特別是在同時形成nmos器件和pmos器件的柵極結構時，由于nmos器件和pmos器件的閾值電壓不同，nmos器件的高k介質柵介質和pmos器件的高k介質柵介質不同，nmos器件的高k介質柵介質可能存在于pmos器件中，影響pmos器件的性能。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對現有技術中的問題提供一種半導體結構的制作方法及半導體結構。
2、為了實現上述目的，第一方面，本公開提供了一種半導體結構的制作方法，包括：
3、提供襯底，所述襯底包括第一區和第二區；
4、形成柵介質層，位于所述襯底上；
5、形成金屬氧化物層，位于所述襯底上，包括：
6、第一部分，位于所述第一區；
7
8、其中，在垂直方向上，所述第一部分的頂面低于所述第二部分的頂面；
9、形成保護層，位于所述第一區上，所述保護層與所述金屬氧化物層?直接接觸；
10、移除位于所述金屬氧化物層的所述第二部分；
11、移除保護層。
12、可選地，所述第一區為nmos區，所述第二區為pmos區。
13、可選地，形成保護層，包括：
14、形成保護材料層，位于所述第一區和所述第二區上；
15、去除所述第二區上的所述保護材料層，在所述第一區上形成所述保護層。
16、可選地，形成柵介質層之前還包括：
17、在所述第二區上形成應力調整層，所述應力調整層與所述第二區的所述襯底直接接觸。
18、可選地，形成柵介質層，包括：
19、形成第一柵介質層，位于所述第一區的所述襯底上以及所述應力調整層上；
20、形成第二柵介質層，位于所述第一柵介質層上，形成所述柵介質層。
21、可選地，所述制作方法，還包括：
22、形成功函數層，位于所述金屬氧化物層的所述第一部分上以及所述第二區的所述柵介質層上。
23、第二方面，本公開提供了一種半導體結構，包括：
24、襯底，所述襯底包括第一區和第二區；
25、第一柵極結構，設置在所述第一區，所述第一柵極結構包括層疊的柵介質層、金屬氧化物層、功函數層；
26、第二柵極結構，設置在所述第二區，所述第二柵極結構包括層疊在所述第二區上的應力調整層、柵介質層、功函數層。
27、可選地，所述第一區為nmos區，所述第二區為pmos區。
28、可選地，所述柵介質層包括層疊的第一柵介質層和第二柵介質層；
29、其中，所述第一柵介質層的材料包括氮氧化硅。
30、可選地，所述金屬氧化物層的材料包括氧化鋁或氧化鑭中的至少一種。
31、本公開的半導體結構的制作方法及半導體結構，在形成金屬氧化物層之后形成保護層，保護層用于保護第一區的金屬氧化物層的第一部分，從而實現對金屬氧化物層的第二部分的選擇性刻蝕，避免刻蝕去除第二區的金屬氧化物層的第二部分的過程損傷金屬氧化物層的第一部分，有利于提高半導體結構的電性能和可靠性。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一區為NMOS區，所述第二區為PMOS區。
3.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成保護層，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成柵介質層之前還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成柵介質層，包括：
6.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法，還包括：
7.一種半導體結構，其特征在于，包括：
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第一區為NMOS區，所述第二區為PMOS區。
9.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述柵介質層包括層疊的第一柵介質層和第二柵介質層；
10.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬氧化物層的材料包括氧化鋁或氧化鑭中的至少一種。
【技術特征摘要】
1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述第一區為nmos區，所述第二區為pmos區。
3.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成保護層，包括：
4.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成柵介質層之前還包括：
5.根據權利要求4所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，形成柵介質層，包括：
6.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：涂言銘，馬秀花，
申請(專利權)人：福建省晉華集成電路有限公司，
類型：發明
國別省市：
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