【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別涉及一種半導體器件、電容結構及其制作方法。
技術介紹
1、動態隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory,dram)屬于一種揮發性存儲器，包括由多個存儲單元(memory?cell)構成的陣列區(array?area)以及由控制電路構成的周邊區(peripheral?area)。各個存儲單元是由一個晶體管(transistor)以及與所述晶體管電連接的一個電容(capacitor)構成，由所述晶體管控制所述電容中的電荷的存儲或釋放，來達到存儲資料的目的。控制電路通過橫跨陣列區并且與各個存儲單元電連接的字線(word?line,wl)與位線(bit?line,bl)，可定址至各個存儲單元來控制各個存儲單元的資料的存取。然而，受限于工藝技術的緣故，現有動態隨機存取存儲器的仍存在有許多缺陷，還待進一步改良并有效提升相關存儲器組件的效能及可靠度。
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于提供一種半導體器件、電容結構及其制作方法，以提高半導體器件及電容結構的效能及可靠度。
2、第一方面，為解決上述技術問題，本專利技術提供一種半導體器件，可包括：基底；
3、多個電容結構，相互間隔地設置在所述基底上，所述電容結構包括：依序堆迭的下電極、電容介質層、上電極、以及半導體層；
4、其中，至少一所述電容結構中的所述上電極和所述半導體層之間還夾設有氧化物層。
5、可選的，所述半導體器件，還可以包括：>
6、多個支撐結構，介于相鄰所述下電極之間，且包括沿垂直方向間隔設置的多層支撐層，所述電容介質層和所述上電極還延伸覆蓋在所述支撐結構中相鄰所述支撐層之間的間隔中。
7、可選的，所述電容結構的所述下電極可以包括圓筒狀或柱狀。
8、可選的，具有形狀為所述圓筒狀的下電極的所述電容結構的所述上電極圍繞可以形成第一空隙。
9、可選的，所述支撐層之間的所述間隔中的所述上電極圍繞可以形成第二空隙。
10、可選的，所述氧化物層位于所述第一空隙或所述第二空隙的內表面上，且圍繞形成第三空隙。
11、可選的，所述氧化物層可包括不連續氧化物。
12、可選的，所述不連續氧化物可具有多個氣隙，所述多個氣隙將所述不連續氧化物打斷成多個相互間隔地子段。
13、可選的，所述氧化物層具有多個缺口。
14、可選的，所述半導體層位于所述氧化物層上，且填滿所述第三空隙。
15、第二方面，為解決上述技術問題，本專利技術還提供了一種電容結構，至少可以包括：
16、環繞結構，從外向內依次包括半導體層、氧化物層、上電極、電容介質層和下電極，其中所述氧化物層物理性接觸所述半導體層和所述上電極。
17、可選的，所述環繞結構自所述下電極向內還可以包括所述電容介質層、所述上電極、所述氧化物層和所述半導體層。
18、可選的，所述電容結構的所述下電極可以包括圓筒狀或柱狀。
19、第三方面，為了解決上述技術問題，本專利技術還提供了半導體器件的制作方法，可包括：
20、提供基底；
21、形成多個電容結構，相互間隔地設置在所述基底上，所述電容結構包括：依序堆迭的下電極、電容介質層、上電極、以及半導體層；其中，至少一所述電容結構中的所述上電極和所述半導體層之間還夾設有氧化物層。
22、可選的，所述半導體器件的制作方法，還可包括：
23、形成多個支撐結構，介于相鄰所述下電極之間，且包括沿垂直方向間隔設置的多層支撐層，所述電容介質層和所述上電極還延伸覆蓋在所述支撐結構中相鄰所述支撐層之間的間隔中。
24、可選的，所述電容結構的所述下電極可包括圓筒狀或柱狀。
25、可選的，所述氧化物層可包括不連續氧化物。
26、可選的，所述不連續氧化物可具有多個氣隙，所述多個氣隙可將所述不連續氧化物打斷成多個子段。
27、可選的，所述氧化物層可具有多個缺口。
28、可選的，所述半導體層可位于所述氧化物層上，且填滿所述多個缺口或所述多個氣隙。
29、在本專利技術中，半導體器件可包括多個電容結構，所述多個電容結構均分別包括依序堆迭的下電極、電容介質層、上電極、以及半導體層，且至少一電容結構中的所述上電極和所述半導體層之間還夾設有氧化物層，以提出電容結構的一種新結構，并同時達到提高半導體器件及電容結構的效能及可靠度的目的。
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1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電容結構的所述下電極包括圓筒狀或柱狀。
4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，具有形狀為所述圓筒狀的下電極的所述電容結構的所述上電極圍繞形成第一空隙。
5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述支撐層之間的所述間隔中的所述上電極圍繞形成第二空隙。
6.如權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層位于所述第一空隙或所述第二空隙的內表面上，且圍繞形成第三空隙。
7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層包括不連續氧化物。
8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述不連續氧化物具有多個氣隙，所述多個氣隙將所述不連續氧化物打斷成多個相互間隔地子段。
9.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層具有多個缺口。
10.如權利要求8或9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層
11.一種電容結構，其特征在于，包括：
12.如權利要求11所述的電容結構，其特征在于，所述環繞結構自所述下電極向內還包括所述電容介質層、所述上電極、所述氧化物層和所述半導體層。
13.如權利要求11所述的電容結構，其特征在于，所述電容結構的所述下電極包括圓筒狀或柱狀。
14.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：
15.如權利要求14所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括：形成多個支撐結構，介于相鄰所述下電極之間，且包括沿垂直方向間隔設置的多層支撐層，所述電容介質層和所述上電極還延伸覆蓋在所述支撐結構中相鄰所述支撐層之間的間隔中。
16.如權利要求14所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述電容結構的所述下電極包括圓筒狀或柱狀。
17.如權利要求16所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述氧化物層包括不連續氧化物。
18.如權利要求17所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述不連續氧化物具有多個氣隙，所述多個氣隙將所述不連續氧化物打斷成多個子段。
19.如權利要求16所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述氧化物層具有多個缺口。
20.如權利要求18或19所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述半導體層位于所述氧化物層上，且填滿所述多個缺口或所述多個氣隙。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括：
3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述電容結構的所述下電極包括圓筒狀或柱狀。
4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，具有形狀為所述圓筒狀的下電極的所述電容結構的所述上電極圍繞形成第一空隙。
5.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述支撐層之間的所述間隔中的所述上電極圍繞形成第二空隙。
6.如權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層位于所述第一空隙或所述第二空隙的內表面上，且圍繞形成第三空隙。
7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層包括不連續氧化物。
8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述不連續氧化物具有多個氣隙，所述多個氣隙將所述不連續氧化物打斷成多個相互間隔地子段。
9.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述氧化物層具有多個缺口。
10.如權利要求8或9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層位于所述氧化物層上，且填滿所述第三空隙、所述多個缺口或所述多個氣隙。
11.一種電容結構，其特征在于，包括：
12.如權利要求1...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳孝炳，
申請(專利權)人：福建省晉華集成電路有限公司，
類型：發明
國別省市：
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