本發明專利技術提供一種能夠在晶片面內對晶片更準確地進行溫度探測的晶片型溫度探測傳感器。晶片型溫度探測傳感器(21)包括：電路基板(22)，貼附在溫度探測用晶片(16)的上表面(18)；溫度探測單元(23)，搭載在電路基板(22)上，對溫度探測用晶片(16)的溫度進行探測；晶片數據通信單元(24)，搭載在電路基板(22)上，能將溫度探測單元(23)所探測到的溫度探測用晶片(16)的溫度數據，發送到溫度探測用晶片(16)的外部；及溫度數據檢測部(28)，設置成嵌入在溫度探測用晶片(16)的上表面(18)內的多個不同部位，檢測出所嵌入的各位置上的與溫度相關的數據。這里，電路基板(22)的線膨脹系數和溫度探測用晶片(16)的線膨脹系數等同。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種。
技術介紹
LSI (Large Scale Integrated circuit, ^ !!^]) MOS (Metal Oxide kmiconductor，金屬氧化物半導體)晶體管等半導體元件是對于作為被處理基板的晶片 ^(photolithography) ^ΦΜ (etching) XVD(Chemical Vapor Deposition,氣相沉積)、濺射(sputtering)等處理而制造。關于蝕刻或CVD、濺射等處理，例如有使用等離子(plasma)作為其能量供給源的處理方法，也就是，等離子蝕刻(plasma etching)或等離子CVD、等離子濺射(plasma sputtering)。所述蝕刻處理等中使用的普通的等離子處理裝置包括在內部進行處理的處理容器、及在處理容器內將晶片載置在其上而進行保持的保持臺。將晶片保持在保持臺上之后， 使用處理容器內產生的等離子，對晶片進行蝕刻處理或CVD處理。在保持臺的內部設置著加熱器(heater)等溫度調節器，用來對保持臺上所保持的晶片的溫度進行調節。處理時， 晶片由溫度調節器調節為處理所要求的適當的溫度。從確保處理時晶片的面內均勻性、例如確保圓板狀晶片的中央側區域和端部側區域的處理的均勻性等觀點出發，當實施蝕刻處理或CVD處理時，重要的是處理工藝(process)中的晶片的各位置上的嚴格的溫度管理。而且，不僅是工藝處理中，晶片的搬運中的溫度管理也重要。這里，用于探測晶片溫度的晶片型溫度探測傳感器的相關技術在日本專利特開2005-156314號公報(專利文獻1)、或日本專利特開2007-187619號公報(專利文獻2)中有所揭示。先行技術文獻專利文獻專利文獻1日本專利特開2005-156314號公報專利文獻2日本專利特開2007-187619號公報
技術實現思路
根據專利文獻1或專利文獻2，作為晶片型溫度探測傳感器的溫度測定裝置包括 將成為被測定物的晶片視為對象而檢測溫度的作為溫度檢測機構的溫度檢測單元、和作為數據處理機構的受光單元。溫度檢測單元由搭載在柔性基板上的溫度傳感器和控制部構成。柔性基板搭載于在腔室(chamber)、也就是處理容器內受到等離子處理的晶片上。溫度檢測單元將檢測到的溫度數據轉換成光脈沖(light pulse)信號且予以發送。溫度測定裝置中所設的受光單元配置在遠離溫度檢測單元的位置上，接收光脈沖信號，且將其解碼成為溫度數據。這樣，晶片型溫度探測傳感器中，在利用通信將計量出的溫度數據發送到外部的結構下，難以將配線導出到晶片外部。而且，若采用使用柔性基板這樣的結構，則從隨著測定位置的增加而產生的柔性基板內配線的多層化的觀點出發，也較有利。另外，專利文獻1 中，利用聚酰亞胺樹脂的防護層，將占據半導體晶片的小部分區域的控制部覆蓋，提高對等離子的耐久性。這里，溫度檢測單元中所設的柔性基板配置成搭載在溫度探測用晶片上。在這樣的結構下，當使溫度探測用晶片的溫度變化時，會產生以下問題。也就是說，例如，在實際使用的情況下，有時會根據所要求的處理內容而使處理溫度變化。假設此情況，由設置在保持臺內部的溫度調節器對模仿實際受到工藝處理的晶片的溫度探測用晶片進行加熱等處理， 此時，隨著溫度變化，溫度探測用晶片和柔性基板分別變形。這樣，因柔性基板相對于溫度探測用晶片具有某種程度的面積，因此，搭載著柔性基板的溫度探測用晶片可能會向一面側或其相反側翹曲。也就是說，專利文獻1中所示的利用聚酰亞胺樹脂的防護層將占據半導體晶片的小部分區域的控制部覆蓋的晶片中，可能會產生翹曲的問題。對于模仿實際受到工藝處理的晶片的溫度探測用晶片而言，這樣的狀況并不理想。也就是說，因溫度探測用晶片的翹曲的影響，可能導致溫度探測用晶片的各位置上的、 保持臺的表面和溫度探測用晶片的表面之間的距離存在差異，從而無法在溫度探測用晶片的各位置上進行均等的加熱等處理。這樣，加熱時，若無法對保持臺上所保持的溫度探測用晶片準確地加熱，結果可能會導致無法在溫度探測用晶片的面內進行準確的溫度探測。也就是說，若根據這樣的晶片型溫度探測傳感器的結果，對實際上形成半導體元件的晶片進行溫度調節且進行處理，則在未設置電路基板的形成半導體元件的晶片上，當進行處理時面內會產生溫度差。具體來說，在雖然實際上產生了翹曲，但假設為未產生翹曲的晶片型溫度探測傳感器中，若得出結果為中央部區域的溫度低于端部區域的溫度，則在保持臺的溫度調節中，為了使端部區域的溫度高于中央部區域而進行加熱且進行工藝處理。但是，在形成半導體元件的晶片上，未設置電路基板，實際上未產生翹曲，因此，在端部區域由保持臺過度地受到加熱，使溫度升高。這樣，可能會阻礙形成半導體元件時的晶片處理的面內均勻性。從這樣的觀點出發，希望在溫度探測用晶片的面內實現準確的溫度探測。 本專利技術的目的在于提供能夠在溫度探測用晶片的面內對溫度探測用晶片更準確地進行溫度探測的晶片型溫度探測傳感器。本專利技術的另一目的在于提供一種能夠在溫度探測用晶片的面內對溫度探測用晶片更準確地進行溫度探測的晶片型溫度探測傳感器的制造方法。本專利技術的晶片型溫度探測傳感器包括溫度探測用晶片；電路基板，貼附在溫度探測用晶片的一面；溫度數據檢測部，設置在溫度探測用晶片的一面側，檢測與溫度相關的數據；及溫度探測單元，搭載在電路基板上，根據溫度數據檢測部所檢測到的與溫度相關的數據，探測溫度探測用晶片的溫度。這里，電路基板的線膨脹系數和溫度探測用晶片的線膨脹系數等同。根據這樣的晶片型溫度探測傳感器，因電路基板的線膨脹系數和溫度探測用晶片的線膨脹系數等同，所以，在因對溫度探測用晶片進行加熱等處理而使溫度探測用晶片的溫度產生變化的情況下，隨著因溫度探測用晶片的溫度變化而產生的變形，電路基板也會同樣產生變形。因此，能夠抑制溫度變化時溫度探測用晶片的翹曲，與實際處理的晶片相同，容易在溫度探測用晶片的各位置上進行均等的加熱等。因此，能夠更準確地對溫度探測用晶片進行溫度探測。優選的是，電路基板利用熱壓接而貼附在溫度探測用晶片上。這樣，能夠以接近實際處理溫度的溫度進行熱壓接，從而能降低溫度探測用晶片的翹曲的影響。所以，能夠在溫度探測用晶片的面內對溫度探測用晶片更準確地進行溫度探測。作為優選的一實施方式，電路基板的材質是聚酰亞胺系樹脂，溫度探測用晶片的材質包含由硅、陶瓷、藍寶石和玻璃構成的群組中的至少一種材質。另外，也可為如下結構電路基板的線膨脹系數與溫度探測用晶片的線膨脹系數的差為5 (ppm(parts per mi 1 lion)/°C )以下。作為更優選的一實施方式，電路基板為柔性基板。更優選的是，在溫度探測用晶片的一面側設置多個溫度數據檢測部。而且，溫度數據檢測部可設置在電路基板上。而且，連接溫度數據檢測部和溫度探測單元的導線可設置在電路基板上。而且，結構中可包括發送部，能將溫度探測單元所探測到的溫度探測用晶片的溫度數據發送到溫度探測用晶片的外部。本專利技術的另一形態是一種晶片型溫度探測傳感器的制造方法，該晶片型溫度探測傳感器包括溫度探測用晶片；電路基板，貼附在溫度探測用晶片的一面；溫度數據檢測部，設置在溫度探測用晶片的一面側，檢測與溫度相關的數據；及溫度探測單元，搭載在電路基板上，根據溫度數據本文檔來自技高網...
【技術保護點】
１．一種晶片型溫度探測傳感器，其特征在于包括：溫度探測用晶片；電路基板，貼附在所述溫度探測用晶片的一面；溫度數據檢測部，設置在所述溫度探測用晶片的一面側，檢測與溫度相關的數據；及溫度探測單元，搭載在所述電路基板上，根據所述溫度數據檢測部所檢測到的溫度數據，探測所述溫度探測用晶片的溫度；且所述電路基板的線膨脹系數和所述溫度探測用晶片的線膨脹系數等同。
【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：東廣大，林圣人，石田壽樹，
申請(專利權)人：東京毅力科創株式會社，
類型：發明
國別省市：JP
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