晶片洗滌器和晶片清洗方法技術

一種晶片洗滌器和晶片清洗方法。一種晶片洗滌器，包括：腔室；支托盤，連接至承軸且位于腔室中，其中支托盤對晶片進行支撐；以及網狀內杯，包括多個穿孔且位于支托盤與腔室的側壁之間，其中網狀內杯接收來自晶片表面的水以及繞著承軸旋轉且將水經由穿孔釋放。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種晶片洗滌器，特別涉及一種通過高速旋轉從晶片表面移除水的洗漆器。
技術介紹
具有微結構的半導體組件的制造需要高精密的技術。在制程中，存在于半導體組件的電路上的些微的微粒子會降低半導體組件成品的可靠度。即使制造過程中的微粒污染不會影響半導體組件電路的功能，其仍然會導致在制造上遇到困難。因此，半導體組件需要在無塵的環境中制造，且半導體組件的表面需要進行清洗，以移除制造過程中所產生的微細顆粒。請參 照圖1，傳統的晶片洗滌器包括支撐晶片106的支托盤(holder) 102和承軸 (spindle) 108。晶片106在前一制程階段以去離子水110潤濕，在此階段中，晶片106和支托盤102以高速旋轉，以從晶片106表面移除水110。然而，在此步驟中，會造成水110以相當高的速度離開晶片106表面，而高速的水110撞擊晶片106側壁104后可能濺回，濺回的水會對晶片106造成不利的影響，廣生微粒和晶粒破損的問題。
技術實現思路
由此，本專利技術提供一種晶片洗滌器，包括腔室；支托盤，連接至承軸且位于腔室中，其中支托盤對晶片進行支撐；以及網狀內杯，包括多個穿孔并位于支托盤與腔室的側壁之間，其中網狀內杯接收來自晶片表面的水以及繞著承軸旋轉且將水經由穿孔釋放。本專利技術提供一種晶片清洗方法，包括提供晶片洗滌器，該圓洗滌器包括腔室；支托盤，連接至承軸且位于腔室中，其中支托盤對晶片進行支撐；以及網狀內杯，包括多個穿孔并位于支托盤與腔室的側壁之間； 使晶片旋轉，以移除晶片上的水，其中網狀內杯接收來自晶片表面的水以及繞著承軸旋轉且將水經由上述穿孔釋放，以避免水濺回至晶片的邊緣。為了使本專利技術的特征能更加明顯易懂，下文特舉出實施例，并結合附圖，作詳細說明如下附圖說明圖1示出傳統的晶片洗滌器；圖2示出減少晶片上的水濺回的方法；圖3A示出本專利技術一實施例晶片洗滌器的剖視圖3B出本專利技術一實施例晶片洗滌器的立體圖4A示出本專利技術一實施例晶片洗滌器的剖視圖；以及圖4B示出本專利技術一實施例晶片洗滌器的立體圖。附圖標記說明102 支托盤；104 側壁；106 晶片；108 承軸；110 水；202 晶片；204 水；206 內杯側壁；301 腔室；302 支托盤；304 承軸；306 去離子水；308 側壁；309 穿孔；310 晶片；312 網狀內杯；401 腔室；402 支托盤；404 承軸；406 水；408 腔室側壁；409 穿孔；410 晶片；412 網狀內杯。具體實施方式 以下詳細討論實施本專利技術的實施例。可以理解的是，實施例提供許多可應用的專利技術概念，其可以較廣的變化實施。所討論的特定實施例僅用來公開使用實施例的特定方法， 而不用來限制公開的范疇。下文中的“一實施例”是指與本專利技術至少一實施例相關的特定圖樣、結構或特征。 因此，以下“在一實施例中”的敘述并不是指同一實施例。另外，在一個或多個實施例中的特定圖樣、結構或特征可以適當的方式結合。值得注意的是，本說明書的附圖并未按照比例繪制，其僅用來揭示本專利技術。圖2示出減少晶片上的水濺回的方法。請參照圖2，由于內杯(inner cup)內部的親水性表面可減少水濺回的問題。因此，此方法改變內杯側壁206的材料，使其具有親水表面，以避免水204濺回至晶片202，而產生微粒或晶粒破損的問題。然而，此方法不能完全解決水濺回的問題。因此，需要新穎的晶片洗滌器和相關方法以解決水濺回的問題。圖3A示出本專利技術一實施例晶片洗滌器的剖視圖。圖3B示出本專利技術一實施例晶片洗滌器的立體圖。請參照圖3A和圖3B，在腔室301 (chamber)中，晶片支托盤(holder)302 與承軸(spindle) 304連接。晶片310位于腔室301中的晶片支托盤302上。晶片310在前一制程階段以去離子水306潤濕，在此階段中，晶片310和支托盤302以高速旋轉，以從晶片310表面移除水306。在本專利技術一實施例中，晶片310的旋轉速度可以為1500rpm 4500rpm。更甚者，晶片310與腔室301的側壁308相隔30mm 150mm的距離。在本專利技術一實施例中，支托盤302以電力或夾鉗的方式固定住晶片310。在本專利技術一實施例中，腔室的側壁308由親水材料形成。本專利技術的重要技術特征為包括多個穿孔309的網狀內杯312設置在腔室301中的晶片支托盤302與腔室的側壁308間。在本實施例中，網狀內杯312的穿孔309呈圓柱狀。在本專利技術一實施例中，網狀內杯312由親水性材料形成，以使網狀內杯312可捕捉更多來自晶片310表面的水306。在本專利技術另一實施例中，網狀內杯312由疏水性材料形成，以使網狀內杯312可更快地將水306釋放。網狀內杯312可繞著承軸304旋轉。網狀內杯 312的旋轉速度可依制程條件(例如來自晶片310表面的水量)小于、等于或大于晶片的旋轉速度。更甚者，當來自晶片310的水306量改變時，網狀內杯312的旋轉速度隨之改變。 旋轉的網狀內杯312可接收水并將水經由穿孔309釋放至腔室內壁308，而可接收和釋放水 306的網狀內杯312可解決水306濺回的問題。圖4A示出本專利技術一實施例晶片洗滌器的剖視圖。圖4B示出本專利技術一實施例晶片 洗滌器的立體圖。圖4A與圖3A不同之處在于網狀內杯的穿孔的形狀。請參照圖4A和圖 4B,在腔室(chamber) 401中，晶片支托盤(holder) 402與承軸(spindle) 404連接。晶片410 位于腔室401中的晶片支托盤402上。晶片410在前一制程階段以去離子水406潤濕，在 此階段中，晶片410和支托盤402以高速旋轉，以從晶片410表面移除水406。在本專利技術一 實施例中，晶片410的旋轉速度可以為1500rpm 4500rpm。更甚者，晶片410與腔室側壁 408相隔30mm 150mm的距離。在本專利技術一實施例中，支托盤402以電力或夾鉗的方式吸 住晶片410。在本專利技術一實施例中，腔室側壁408由親水材料形成。本專利技術的重要技術特征為包括多個穿孔409的網狀內杯412設置在腔室401中 的晶片支托盤402與腔室側壁408之間。在本專利技術中，網狀內杯412的穿孔409呈圓錐狀， 其中網狀內杯412的各穿孔409的內開口大于外開口。在本專利技術一實施例中，網狀內杯412 由親水性材料形成，以使網狀內杯412可捕捉更多來自自晶片410表面的水406。在本發 明另一實施例中，網狀內杯412由疏水性材料形成，以使網狀內杯412可更快地將水406釋 放。網狀內杯412可繞著承軸404旋轉。網狀內杯412的旋轉速度可依制程條件(例如來 自晶片表面的水量)小于、等于或大于晶片410的旋轉速度。更甚者，當來自晶片410的水 406量改變時，網狀內杯412的旋轉速度隨之改變。旋轉的網狀內杯412可接收水406和使 用穿孔409將水406釋放至腔室側壁408，而可接收和釋放水406的網狀內杯412可解決水 濺回的問題。雖然本專利技術已以優選實施例公開如上，然而其并非用以限制本專利技術，任何本領域 技術人員，在不脫離本專利技術的精神和范圍內，可作些許的更動與潤飾，因此本專利技術的保護范 圍應以后附的權利要求所限定的為準。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶片洗滌器，其特征在于，包括：腔室；支托盤，連接至承軸且位于所述腔室中，所述支托盤對晶片進行支撐；以及網狀內杯，包括多個穿孔并位于所述支托盤與所述腔室的側壁之間，所述網狀內杯接收來自所述晶片表面的水以及繞著所述承軸旋轉且將水經由所述多個穿孔釋放。

【技術特征摘要】
2011.09.23 US 13/243,3151.一種晶片洗滌器，其特征在于，包括腔室；支托盤，連接至承軸且位于所述腔室中，所述支托盤對晶片進行支撐；以及 網狀內杯，包括多個穿孔并位于所述支托盤與所述腔室的側壁之間，所述網狀內杯接 收來自所述晶片表面的水以及繞著所述承軸旋轉且將水經由所述多個穿孔釋放。2.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述多個穿孔呈圓柱狀。3.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述多個穿孔呈圓錐狀。4.根據權利要求3所述的晶片洗滌器，其特征在于所述網狀內杯的各穿孔的內開口大 于外開口。5.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述網狀內杯由親水性材料形成。6.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述網狀內杯由疏水性材料形成。7.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述網狀內杯的旋轉速度大于、等 于或小于所述晶片的旋轉速度。8.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述網狀內杯的旋轉速度隨來自所 述晶片的水量的改變而變動。9.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于所述支托盤以電力或夾鉗的方式固 定住所述晶片。10.根據權利要求1所述的晶片洗滌器，其特征在于來自所述晶片表面的水為去離子水。11.一種晶片清洗方法，其特征在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：章正欣，陳逸男，劉獻文，
申請(專利權)人：南亞科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：