本發明專利技術涉及光電學元件，尤其是光電耦合器，亦稱光電隔離器或光電耦合器，或簡稱光耦。本發明專利技術的光耦合器的引線框架分為紅外端引線框架和光敏端引線框架，紅外端引線框架和光敏端引線框架的載片區平面均與引線框架平面垂直，紅外端引線框架安裝紅外發光元件，光敏端引線框架安裝光敏元件，紅外端引線框架和光敏端引線框架固定于同一平面，并留有足夠的絕緣距離，且光敏元件正對紅外發光元件設置，紅外端引線框架和光敏端引線框架的載片區外包覆一橢圓形狀的透明膠體，紅外端引線框架，光敏端引線框架和透明膠體外包裹一封裝管殼。本發明專利技術的光耦合器不僅具備反射式光耦優良的絕緣耐壓性能，同時也具備直射式光耦光電轉換效率高，CTR值便于控制的優點。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及光電學元件，尤其是光電耦合器(opticalcoupler，英文縮寫為0C)， 亦稱光電隔離器或光電耦合器，或簡稱光耦。
技術介紹
光耦合器是以光為媒介來傳輸電信號的器件，通常把發光器(紅外發光二極管芯片)與受光器(光敏芯片)封裝在同一管殼內。當輸入端加電信號時發光器發出光線，受光器接受光線之后就產生光電流，從輸出端流出，從而實現了“電一光一電”轉換。目前光耦主要有兩種制作方式一是反射式，二是直射式。參閱圖9a和圖9b所示，反射式是通過內點膠，點透明膠和白膠形成橢球，使紅外芯片發射的紅外光反射到光敏芯片處，從而完成電=> 光=> 電的控制過程。這種工藝方式可以做到很高的絕緣耐壓，但缺點在于除紅外芯片的功率、光敏芯片的HFE(三極管的電流放大倍數)外，還增加了內點膠形狀、高度等因素影響CTR值(CTR值是指發光管的電流和接收管的電流比的最小值)，因此CTR值難以精確控制，且無法做到很高的CTR值和很短的時間參數。參閱圖IOa和圖IOb所示，直射式是將引線框架分為兩部分，分別裝紅外芯片和光敏芯片，然后再固定耦合在一起進行封裝，兩片引線框架平面是平行的，紅外端引線框架的載片區和光敏端引線框架的載片區是面對面的。這種方式因為是直射，不需要包覆白色膠體，且CTR便于控制，便于做到高CTR值。但由于是面對面的，算上金絲拱高，兩個芯片的厚度，兩片引線框架的厚度，已經達到或接近1. 5mm，紅外端和光敏端的絕緣距離受到光耦總高的限制，絕緣耐壓無法做到很高；并且對引線框架的精度要求很高，工藝實現的難度較大。
技術實現思路
因此，本專利技術針對這2種光耦的不足之處，而提出一種改進的光耦合器結構，不僅具備傳統反射式光耦優良的絕緣耐壓性能，同時也具備日式直射式光耦光電轉換效率高， CTR值便于控制的優點。本專利技術采用的技術方案是光耦合器的引線框架分為紅外端引線框架和光敏端引線框架，紅外端引線框架和光敏端引線框架的載片區的平面均與引線框架垂直，紅外端引線框架的載片區可以是平面或杯狀，光敏端引線框架的載片區可以是平面或杯狀，紅外端引線框架安裝紅外發光元件，光敏端引線框架安裝光敏元件，紅外端引線框架和光敏端引線框架固定于同一平面，并留有足夠的絕緣距離，且光敏元件受光部正對紅外發光元件設置，而后進行點膠和封裝。即，紅外端引線框架和光敏端引線框架的載片區外覆蓋一橢圓形狀的透明膠體，紅外端引線框架和光敏端引線框架外包裹一封裝管殼。其中，所述的紅外端引線框架和光敏端引線框架在行點膠和封裝前的固定于同一平面，并留有足夠的絕緣距離，且光敏芯片正對紅外芯片設置的狀態維持不變是通過工裝模具實現。進一步的，所述的光敏元件可以為光敏晶體管、光敏達林頓管、光敏晶閘管或光敏 IC芯片ο本專利技術的光耦合器與現有反射式光耦的區別在于在結構上，現有的反射式光耦是將紅外發光元件和光敏元件裝在同一個引線框架上，然后點透明膠體形成橢球狀且在透明膠體外包覆白色膠體，兩個光電元件分別處于橢球體的兩個焦點，紅外發光元件發射的紅外光通過白色膠體的反射匯聚到光敏元件受光處。而本專利技術是將引線框架分為兩個部分，分別裝紅外發光元件和光敏元件，然后再將兩部分引線框架通過工裝固定在一起點透明膠體和包裹外封裝管殼。本專利技術在結構上，紅外發光元件與光敏元件是正對的，紅外光絕大部分都會發射到光敏元件受光部，因此在光電轉換效率上，在響應速度上都要大大優于反射式光耦。并且省掉了白膠膠體形狀和高度對光電轉換效率的影響，對于光敏晶體管輸出型光耦，可以提高CTR值的可控性和對檔率。本專利技術的光耦合器與現有的直射式光耦的區別在于現有的直射式兩部分引線框架的載片區與引線框架是平行的，分別安裝光電元件后，兩片引線框架通過工裝的耦合固定，平行面對面地點透明膠體和包裹外封裝管殼，同時也保證了光敏元件正對紅外發光元件。而本專利技術中兩部分引線框架的載片區與引線框架是垂直的，并且兩部分引線框架的載片區可以做成杯狀。分別安裝光電元件后，利用工裝將兩部分引線框架固定于同一平面且光敏元件正對紅外發光元件(垂直于引線框架的固定平面)點透明膠體和包裹外封裝管殼。本專利技術由于在兩部分引線框架的載片區可以多做一個杯狀的設計，起到聚光的作用， 因此在紅外光傳輸效率上較日式直射式光耦可以更高；本專利技術可以通過引線框架的調整， 調節兩部分之間的絕緣距離，絕緣耐壓值可以做到很高，而日式直射式光耦由于受到空間 (光耦總高)的限制，絕緣耐壓值無法做到很高(特別對于微型光耦)；日式直射式由于兩部分引線框架之間存在水平上的重疊耦合，因此對引線框架的精度，工藝的要求都比較高， 而本專利技術兩部分引線框架僅是置于同一個平面上點透明膠體和包裹外封裝管殼，相互之間并沒有重疊耦合，因此在引線框架精度要求上，工藝實現難度上都低于日式直射式光耦。綜上，本專利技術的光耦合器不僅具備反射式光耦優良的絕緣耐壓性能，同時也具備直射式光耦光電轉換效率高，CTR值便于控制的優點。附圖說明圖1是光敏端引線框架的結構示意圖。圖2是紅外端引線框架的結構示意圖。圖3是一對光敏端引線框架和紅外端引線框架位置固定關系示意圖。圖4是圖3中的光敏端引線框架的仰視圖。圖5是圖3中的紅外端引線框架的俯視圖。圖6是一對光敏端引線框架和紅外端引線框架安裝光電元件的示意圖。圖7是一對光敏端引線框架和紅外端引線框架點透明膠體和包裹外封裝管殼的示意圖。圖8是圖7的左視圖。圖9a是已有的反射式光耦的結構示意圖。圖9b的已有的反射式光耦封裝后沿A-A的剖視圖。圖IOa是已有的直射式光耦的結構示意圖。圖IOb的已有的直射式光耦封裝后沿A-A的剖視圖。具體實施例方式現結合附圖和具體實施方式對本專利技術進一步說明。盡管本專利技術的權利要求內紅外端引線框架的載片區和光敏端引線框架的載片區均可以為杯狀或者平面，但下面的實例僅以紅外端引線框架的載片區為杯狀，光敏端引線框架的載片區為平面來進行說明。參閱圖1和圖2所示，光耦合器的引線框架分為紅外端引線框架2和光敏端引線框架1，多個紅外端引線框架單元或光敏端引線框架單元組成一排紅外端引線框架或光敏端引線框架，在封裝制造完成后再進行沖引線框架管腳來分離為獨立元器件。為了說明的方便，下面的實施例僅以一對光敏端引線框架和紅外端引線框架來說明。參閱圖3、圖4所示，光敏端引線框架1的載片區11的平面均與其引腳12的平面垂直，光敏端引線框架1的載片區11是平面的。參閱圖3、圖5所示，紅外端引線框架2的載片區21的平面均與其引腳22的平面垂直，紅外端引線框架2的載片區21是杯狀的結構。參閱圖6所示，再在光敏端引線框架和紅外端引線框架分別安裝光電元件，在光敏端引線框架1的載片區11安裝光敏元件3，在紅外端引線框架2的載片區21安裝紅外發光元件4。所述的光敏元件3可以為光敏晶體管、光敏達林頓管、光敏晶間管或光敏IC芯片。所述的紅外發光元件4可以為紅外LED芯片。參閱圖7和圖8所示，將紅外端引線框架2和光敏端引線框架1固定于同一平面， 并留有足夠的絕緣距離，即確保光敏端引線框架1的載片區11和紅外端引線框架2的載片區21具有一絕緣距離，并且光敏端引線框架1的載片區11和紅外端引線框架2的載片區 21是正對面設置，從而實現光敏元件3正對紅外發光元件4設置，而后再點透明膠體和包裹外封裝管殼，即點本文檔來自技高網...
【技術保護點】
１．一種光耦合器，其特征在于：光耦合器的引線框架分為紅外端引線框架和光敏端引線框架，紅外端引線框架和光敏端引線框架的載片區的平面均與引線框架垂直；紅外端引線框架的載片區安裝紅外發光元件，光敏端引線框架的載片區安裝光敏元件；紅外端引線框架和光敏端引線框架固定于同一平面，并留有足夠的絕緣距離，且光敏元件正對紅外芯片設置，而后進行點膠和封裝。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：段果，陳巍，
申請(專利權)人：廈門華聯電子有限公司，
類型：發明
國別省市：92
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