光耦合器制造技術

一種光耦合器，解決了現有的光耦合器不能兼顧CMR特性以及CTR特性且制造成本高的問題。本實用新型專利技術的光耦合器包括：輸入側引線框；輸出側引線框，與所述輸入側引線框相對且隔著間隔而配置；發光元件，安裝在所述輸入側引線框中的所述輸出側引線框側的面；受光元件，在所述輸出側引線框中的所述輸入側引線框側的面，與所述發光元件相對且隔著間隔而安裝；以及突起物，配置在所述輸出側引線框中的所述受光元件的周圍的區域的至少一部分中，且由向所述輸入側引線框側突出的導電性的接合線或者凸部構成。（*該技術在2023年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
光輔合器
本技術涉及具有發光元件以及受光元件的光耦合器。
技術介紹
一般的光耦合器成為如下結構:兩個引線框相對而隔著間隔配置，在輸入側的引線框中安裝并接合發光元件(例如，發光二極管)，在輸出側的引線框中安裝并接合受光元件(例如，受光1C)，發光元件和受光元件相對而隔著間隔配置(例如，參照專利文獻2的圖5)。在這樣的光I禹合器中，由于在輸入輸出之間(發光兀件一受光兀件之間)寄生電容(雜散電容)等效地存在，所以若對寄生電容施加因噪聲信號或高速開關動作而急劇變化的電壓，則存在即使發光元件不點亮，也從輸入側(發光元件以及引線框)對受光元件流過電流(位移電流)從而產生輸出的誤動作的情況。關于這樣的誤動作，作為表示誤動作的難易度的指標，有被稱為CMR(Common ModeRejection (共模抑制);瞬間同相消除電壓)的參數。CMR是指可將光耦合器的輸出狀態維持準確的狀態的最大的同相電壓Vai的轉換速率，作為每I μ s的電壓變化值來表示(參照非專利文獻I)。在如上所述的一般的光耦合器中，經由因噪聲信號或高速開關動作而電壓急劇變化所引起的輸入輸出之間的寄生電容流過的位移電流id可由[數學式I]表示。[數學式I]

【技術保護點】
一種光耦合器，其特征在于，包括：輸入側引線框；輸出側引線框，與所述輸入側引線框相對且隔著間隔而配置；發光元件，安裝在所述輸入側引線框中的所述輸出側引線框側的面上；受光元件，在所述輸出側引線框中的所述輸入側引線框側的面上，與所述發光元件相對且隔著間隔而安裝；以及突起物，配置在所述輸出側引線框中的所述受光元件的周圍的區域的至少一部分中，且由向所述輸入側引線框側突出的導電性的接合線或者凸部構成。

【技術特征摘要】
2012.09.12 JP 2012-2007341.一種光稱合器，其特征在于，包括: 輸入側引線框； 輸出側引線框，與所述輸入側引線框相對且隔著間隔而配置； 發光元件，安裝在所述輸入側引線框中的所述輸出側引線框側的面上； 受光元件，在所述輸出側引線框中的所述輸入側引線框側的面上，與所述發光元件相對且隔著間隔而安裝；以及 突起物，配置在所述輸出側引線框中的所述受光元件的周圍的區域的至少一部分中，且由向所述輸入側引線框側突出的導電性的接合線或者凸部構成。2.如權利要求1所述的光耦合器，其特征在于， 所述突起物突出得比所述受光元件的厚度還高。3.如權利要求1或2所述的光耦合...

【專利技術屬性】
技術研發人員：御田村和宏，森林茂，柳沼隆太，
申請(專利權)人：瑞薩電子株式會社，
類型：實用新型
國別省市：