高頻器件及無(wú)線ＩＣ器件制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)的目的在于獲得一種能夠避免絕緣破壞的可靠性高的高頻器件及無(wú)線ＩＣ器件。高頻器件包括：無(wú)線ＩＣ芯片（１０）和基板（２０），該基板（２０）與該無(wú)線ＩＣ芯片（１０）相耦合，并與輻射板（３１）、（３２）電連接，基板（２０）中配置有電感Ｌ和／或電容Ｃ作為靜電應(yīng)對(duì)元件。電感Ｌ并聯(lián)連接在無(wú)線ＩＣ芯片（１０）與輻射板（３１）、（３２）之間，且在靜電頻率下的阻抗比無(wú)線ＩＣ芯片（１０）的阻抗要小。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及高頻器件及無(wú)線IC器件，特別涉及用于RFID(fcidi0 Frequency Identification 射頻標(biāo)識(shí))系統(tǒng)的高頻器件及無(wú)線IC器件。
技術(shù)介紹
近年來(lái)，作為物品的管理系統(tǒng)，正在開(kāi)發(fā)一種使產(chǎn)生電磁波的讀寫(xiě)器與貼在物品或容器等上的儲(chǔ)存預(yù)定信息的無(wú)線IC(稱作IC標(biāo)簽、無(wú)線IC芯片、高頻器件等)以非接觸方式進(jìn)行通信、從而對(duì)信息進(jìn)行傳輸?shù)腞FID系統(tǒng)。無(wú)線IC與天線(輻射板)相耦合，從而可與讀寫(xiě)器進(jìn)行通信。這類無(wú)線IC 一般是利用非專利文獻(xiàn)1中記載的輥軋(roll-to-roll)制造的。然而，對(duì)于輥軋，非專利文獻(xiàn)1中也有記載，由于使用PET薄膜，因而會(huì)產(chǎn)生靜電，可能會(huì)導(dǎo)致無(wú)線IC被靜電破壞。另外，即使對(duì)于天線，也可能會(huì)因在其兩端部產(chǎn)生電位差而被靜電破壞。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)1 永井定夫，MATERIAL STAGE技術(shù)信息協(xié)會(huì) VOL. 7，NO. 9 200
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，本專利技術(shù)的目的在于提供一種能夠避免絕緣破壞的可靠性較高的高頻器件及無(wú)線IC器件。為了達(dá)到以上目的，本專利技術(shù)的實(shí)施方式1的高頻器件的特征在于，包括無(wú)線IC 以及基板，該基板與該無(wú)線IC相耦合并與輻射板電連接，在上述基板中配置有靜電應(yīng)對(duì)元件。本專利技術(shù)的實(shí)施方式2的無(wú)線IC器件的特征在于，包括無(wú)線IC、輻射板、以及基板，該基板與上述無(wú)線IC相耦合并與上述輻射板電連接，在上述基板中配置有靜電應(yīng)對(duì)元件。作為靜電應(yīng)對(duì)元件，能夠適用并聯(lián)連接在無(wú)線IC和輻射板之間的電感和/或串聯(lián)連接在無(wú)線IC和輻射板之間的電容。對(duì)于電感，最好其在靜電頻率下的阻抗比無(wú)線IC的阻抗要小。根據(jù)本專利技術(shù)，由于基板中具備靜電應(yīng)對(duì)元件，因此能夠防止無(wú)線IC和天線被制造工序中不可避免而生成的靜電所破壞。附圖說(shuō)明圖1是表示高頻器件的實(shí)施方式1的等價(jià)電路圖。圖2是表示高頻器件的實(shí)施方式2的等價(jià)電路圖。圖3是表示高頻器件的實(shí)施方式3的等價(jià)電路圖。圖4是表示頻率與電抗的關(guān)系的曲線圖。圖5是表示所述實(shí)施方式1的基板的第一例的說(shuō)明圖。圖6是表示所述實(shí)施方式1的基板的第二例的說(shuō)明圖。圖7是表示所述實(shí)施方式2的基板的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。圖8是表示所述實(shí)施方式3的基板的一個(gè)例子的說(shuō)明圖。圖9是表示無(wú)線IC器件的實(shí)施方式1的立體圖。圖10是表示無(wú)線IC器件的實(shí)施方式2的立體圖。圖11是表示圖10所示的無(wú)線IC器件的主要部分的立體圖。附圖標(biāo)記10…無(wú)線IC芯片20(20A,20B,20C)基板31 35輻射板35a 端部35b環(huán)狀電極35c偶極電極L 電感C 電容具體實(shí)施例方式以下，參照附圖說(shuō)明本專利技術(shù)的高頻器件及無(wú)線IC器件的實(shí)施方式。另外，在各圖中，對(duì)于相同構(gòu)件、部分標(biāo)注共用的符號(hào)，省略重復(fù)的說(shuō)明。(高頻器件的實(shí)施方式，參照?qǐng)D1至圖4)本專利技術(shù)所涉及的高頻器件包括無(wú)線IC和基板，該基板與該無(wú)線IC相耦合并與輻射板電連接，上述基板中配置有靜電應(yīng)對(duì)元件。如眾所周知的那樣，無(wú)線IC包括時(shí)鐘電路、 邏輯電路、及存儲(chǔ)器電路等，存儲(chǔ)有所需要的信息，設(shè)有輸入端子電極和輸出端子電極。以下，說(shuō)明高頻器件的實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、及實(shí)施方式3。如圖1所示，實(shí)施方式1包括無(wú)線IC芯片10和基板20A，基板20A中內(nèi)置有作為靜電應(yīng)對(duì)元件的電感L。電感L并聯(lián)連接在無(wú)線IC芯片10的輸入輸出端子電極11、12與輻射板31、32之間。將電感L在靜電頻率(通常為200MHz以下)下的阻抗設(shè)定得比無(wú)線IC芯片10 的阻抗要小。因此，通過(guò)輻射板31、32進(jìn)入的靜電通過(guò)電感L，而不會(huì)進(jìn)入無(wú)線IC芯片10， 從而防止無(wú)線IC芯片10被靜電破壞。此外，電感L的特性也能表現(xiàn)如下。即，對(duì)于靜電頻率下電感L的感抗OQ產(chǎn)生的阻抗(ZJ，會(huì)比無(wú)線IC芯片10的容抗Og產(chǎn)生的阻抗(Zc)要小。另外，對(duì)于UHF頻帶中電感L的感抗Og產(chǎn)生的阻抗(ZJ，會(huì)比無(wú)線IC芯片10的容抗OQ產(chǎn)生的阻抗(Zc)要大。阻抗包含實(shí)部(R:電阻)和虛部》:電抗)。而且，無(wú)線IC芯片10具有電容(C) 分量。對(duì)于虛部，感抗(XJ產(chǎn)生的阻抗(ZJ是根據(jù)4= L決定的，因此如圖4所示，隨著頻率的增高而變大。另一方面，容抗(Xe)產(chǎn)生的阻抗( )是由1/ω C決定的，因此隨著頻率增高而減小。由此，在靜電頻帶中，感抗(XJ產(chǎn)生的阻抗(ZJ比容抗(Xc)產(chǎn)生的阻抗(Zc)要小，在UHF頻帶中，感抗OQ產(chǎn)生的阻抗(Z)比容抗OQ產(chǎn)生的阻抗(Zc)要大。此外，對(duì)于實(shí)部，由于無(wú)線IC芯片10在靜電頻率下不起動(dòng)，因此在靜電頻帶中無(wú)線IC芯片10的電阻(Rc)為無(wú)限大。在UHF頻帶中，無(wú)線IC芯片10起動(dòng)，具有10歐、20 歐等的電阻(Re)。對(duì)于電感L，在靜電頻率下具有數(shù)毫歐 數(shù)百毫歐的電阻( )，在UHF頻帶中具有數(shù)十毫歐 數(shù)歐的電阻αυ。其原因在于，集膚效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致電阻ου隨著頻率的升高而增大，但電阻(RJ不會(huì)因頻帶而發(fā)生較大的變化。此外，在UHF頻帶中，如上所述， 電感L的感抗(X)產(chǎn)生的阻抗(ZJ與無(wú)線IC芯片10的容抗OQ產(chǎn)生的阻抗(Zc)相比足夠大。S卩，在靜電頻帶中，無(wú)線IC芯片10的阻抗比電感L的阻抗要大，因而信號(hào)通過(guò)電感L，防止無(wú)線IC芯片10被靜電破壞。另外，在UHF頻帶中，電感L的阻抗比無(wú)線IC芯片 10的阻抗要大，因而信號(hào)會(huì)通過(guò)無(wú)線IC芯片10。此外，電感L的實(shí)部必須有數(shù)十毫歐 數(shù)歐的理由是，若不是數(shù)十毫歐以上，則噪聲不能被轉(zhuǎn)換成熱從而被消耗，若不是數(shù)歐以下， 則傳導(dǎo)效率變低。在未配置有電感L的情況下，S卩，在未實(shí)施靜電應(yīng)對(duì)的情況下，無(wú)線IC芯片10的耐靜電電壓特性為300V。在將電感L的電感值設(shè)為120ηΗ的情況下，耐靜電電壓特性為 700V，在將電感L的電感值設(shè)為30ηΗ的情況下，可將耐靜電電壓特性提高至^00V。如圖2(A)所示，實(shí)施方式2包括無(wú)線IC芯片10和基板20B，基板20B中內(nèi)置有作為靜電應(yīng)對(duì)元件的兩個(gè)電容C。電感C串聯(lián)連接在無(wú)線IC芯片10的輸入輸出端子電極 11、12與輻射板31、32之間。另外，如圖2(B)所示，電容C也可由多個(gè)電極形成。而且，如圖2(C)所示，也可耦合電容Cl、C2。在這些高頻器件中，通過(guò)輻射板31、32進(jìn)入的靜電會(huì)被電容C、Cl、C2遮擋，而不會(huì)進(jìn)入無(wú)線IC芯片10，從而防止無(wú)線IC芯片10被靜電破壞。如圖3所示，實(shí)施方式3包括無(wú)線IC芯片10和基板20C，基板20C中內(nèi)置有作為靜電應(yīng)對(duì)元件的電感L及電容C。電感L并聯(lián)連接在無(wú)線IC芯片10的輸入輸出端子電極 11、12與輻射板31、32之間，電容C串聯(lián)連接在無(wú)線IC芯片10的輸入輸出端子電極11、12 與輻射板31、32之間。電感L及電容C的功能與上述實(shí)施方式1及實(shí)施方式2相同。然而，作為高頻器件的結(jié)構(gòu)，如圖1、圖2、及圖3所示那樣，可包括無(wú)線IC芯片10 和基板2(K20A、20B、20C)，或也可將無(wú)線IC的電路和基板20的電路(電感L或電容C)內(nèi)置于一塊基板，以構(gòu)成一體。或者，除了無(wú)線IC芯片10和基板20以外，還可以配置有包括與RFID系統(tǒng)的使用頻率進(jìn)行諧振的諧振電路的供電電路基板。或者，還可將無(wú)線IC與供電電路基板構(gòu)成一體。或者，還可將無(wú)線IC、靜電應(yīng)對(duì)元件、及供電電路配置于一塊基板，以構(gòu)成一體。如上述實(shí)施例1 實(shí)施例3所示本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
１．一種高頻器件，其特征在于，包括：無(wú)線ＩＣ；以及基板，該基板與所述無(wú)線ＩＣ相耦合，并與輻射板電連接，在所述基板中配置有靜電應(yīng)對(duì)元件。

【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：加藤登，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：株式會(huì)社村田制作所，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：JP