射頻功率的檢測(cè)方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種射頻功率的檢測(cè)方法，包括以下步驟：建氧氣流量、腔室氣壓和射頻功率開啟時(shí)間的工藝菜單，在所述工藝菜單下，測(cè)取若干組熱氧化厚度對(duì)應(yīng)射頻功率的數(shù)據(jù)，求取熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系；測(cè)取裸片表面氧化層的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工藝菜單下通入氧氣；裸片熱氧化后，測(cè)取裸片表面氧化層的第二厚度T2；求取第二厚度T2與第一厚度T1的差值得到熱氧化厚度T3；根據(jù)熱氧化厚度T3對(duì)照所述工藝菜單下熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系，求取射頻功率PRF。本發(fā)明專利技術(shù)采用特定工藝條件下熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系，通過(guò)獲取熱氧化厚度后推導(dǎo)出射頻功率，方法簡(jiǎn)單，不需要停機(jī)，檢測(cè)結(jié)果較精確。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
射頻功率的檢測(cè)方法
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體
，特別涉及一種射頻功率的檢測(cè)方法。
技術(shù)介紹
射頻功率是高密度等離子體沉積工藝中一個(gè)重要的參數(shù)，在工藝運(yùn)行中確定準(zhǔn)確的射頻功率是必要的，不同的射頻功率會(huì)帶來(lái)不同的沉積性能。射頻發(fā)生器的功率可以用功率校準(zhǔn)工具(RFcalibrationtool)來(lái)檢測(cè)，所述功率校準(zhǔn)工具包括探頭(sensorhead)、功率計(jì)(powermeter)和虛擬負(fù)載(dummyload)。所述探頭一端連接射頻發(fā)生器，另一端連接虛擬負(fù)載，所述功率計(jì)連接探頭用于觀察射頻功率，虛擬負(fù)載能夠真實(shí)反應(yīng)出射頻功率，這種方法精度高，但是實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，虛擬負(fù)載的檢測(cè)環(huán)境不同于射頻發(fā)生器作用在腔室的環(huán)境，腔室的影響因素很多，是一個(gè)復(fù)雜的環(huán)境，所以用功率校準(zhǔn)工具來(lái)檢測(cè)虛擬負(fù)載時(shí)得出的射頻功率不能完全代表腔室的功率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是提供一種射頻功率的檢測(cè)方法，以精確檢測(cè)射頻功率且方法直接簡(jiǎn)單。本專利技術(shù)的技術(shù)解決方案是一種射頻功率的檢測(cè)方法，包括以下步驟：建氧氣流量、腔室氣壓和射頻功率開啟時(shí)間的工藝菜單，在所述工藝菜單下，測(cè)取若干組熱氧化厚度對(duì)應(yīng)射頻功率的數(shù)據(jù)，求取所述工藝菜單下熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系；測(cè)取裸片表面氧化層的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工藝菜單下通入氧氣；裸片熱氧化后，測(cè)取裸片表面氧化層的第二厚度T2；求取第二厚度T2與第一厚度T1的差值得到熱氧化厚度T3；根據(jù)熱氧化厚度T3對(duì)照所述工藝菜單下熱氧化的厚度與射頻功率的關(guān)系，求取射頻功率PRF。作為優(yōu)選：所述工藝菜單的各工藝參數(shù)如下：所述氧氣流量為10-100sccm；所述腔室氣壓為1-10mtorr；所述射頻功率開啟時(shí)間為30-60s。作為優(yōu)選：在所述工藝參數(shù)下，熱氧化厚度T3與射頻功率PRF的關(guān)系式為T3＝20.05+0.0041*PRF。作為優(yōu)選：所述裸片表面氧化層的第一厚度T1為5-7埃。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)采用特定工藝條件下裸片的熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系，通過(guò)獲取熱氧化厚度后推導(dǎo)出射頻功率，方法簡(jiǎn)單，不需要停機(jī)，結(jié)果直接，通過(guò)改變工藝參數(shù)，可以模擬進(jìn)程狀態(tài)，檢測(cè)結(jié)果較精確，可以用于功率校準(zhǔn)工具的參考。附圖說(shuō)明圖1是本專利技術(shù)射頻功率的檢測(cè)方法的流程圖。具體實(shí)施方式本專利技術(shù)下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述：在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本專利技術(shù)。但是本專利技術(shù)能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本專利技術(shù)內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本專利技術(shù)不受下面公開的具體實(shí)施的限制。其次，本專利技術(shù)利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本專利技術(shù)實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本專利技術(shù)保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。圖1示出了本專利技術(shù)射頻功率的檢測(cè)方法的流程圖。請(qǐng)參閱圖1所示，在本實(shí)施例中，一種射頻功率的檢測(cè)方法，包括以下步驟：在步驟101中，建氧氣流量、腔室氣壓和射頻功率開啟時(shí)間的工藝菜單，在所述工藝菜單下，測(cè)取若干組熱氧化厚度對(duì)應(yīng)射頻功率的數(shù)據(jù)，求取所述工藝菜單下熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系，在本實(shí)施例中，所述工藝菜單的各工藝參數(shù)如下：所述氧氣流量為10-100sccm；所述腔室氣壓為1-10mtorr；所述射頻功率開啟時(shí)間為30-60S；在步驟102中，測(cè)取裸片表面氧化層的第一厚度T1，所述裸片表面氧化層的第一厚度T1為5-7埃；在步驟103中，裸片放入腔室，在所述工藝菜單下通入氧氣，開啟射頻功率，裸片的溫度來(lái)自于射頻對(duì)氣體的解離，解離的離子撞擊硅片產(chǎn)生溫度，所述溫度為370～450度；在步驟104中，裸片熱氧化后，測(cè)取裸片表面氧化層的第二厚度T2；在步驟105中，求取第二厚度與第一厚度的差值得到熱氧化的厚度T3，所述熱氧化厚度T3＝T2-T1；在步驟106中，根據(jù)熱氧化厚度T3對(duì)照所述工藝菜單下熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系，求取射頻功率PRF，在所述工藝參數(shù)下，熱氧化厚度T3與射頻功率PRF的關(guān)系式為T3＝20.05+0.0041*PRF，所述熱氧化厚度的單位為埃，所述射頻功率的單位為瓦。本專利技術(shù)采用特定工藝條件下裸片的熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系，通過(guò)獲取熱氧化厚度后推導(dǎo)出射頻功率，方法簡(jiǎn)單，不需要停機(jī)，結(jié)果直接，通過(guò)改變工藝參數(shù)，可以模擬進(jìn)程狀態(tài)，檢測(cè)結(jié)果較精確，可以用于功率校準(zhǔn)工具參考。以上所述僅為本專利技術(shù)的較佳實(shí)施例，凡依本專利技術(shù)權(quán)利要求范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本專利技術(shù)權(quán)利要求的涵蓋范圍。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種射頻功率的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：建氧氣流量、腔室氣壓和射頻功率開啟時(shí)間的工藝菜單，所述氧氣流量為10-100sccm，腔室氣壓為1-10mtorr；射頻功率開啟時(shí)間為30-60s；在所述工藝菜單下，測(cè)取若干組熱氧化厚度對(duì)應(yīng)射頻功率的數(shù)據(jù)，求取所述工藝菜單下熱氧化厚度與射頻功率的關(guān)系；測(cè)取裸片表面氧化層的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所述工藝菜單下通入氧氣；裸片熱氧化后，測(cè)取裸片表...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：田守衛(wèi)，孫洪福，費(fèi)孝愛，林愛蘭，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：