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本發明涉及一種射頻功率的檢測方法，包括以下步驟：建氧氣流量、腔室氣壓和射頻功率開啟時間的工藝菜單，在所述工藝菜單下，測取若干組熱氧化厚度對應射頻功率的數據，求取熱氧化厚度與射頻功率的關系；測取裸片表面氧化層的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明涉及一種射頻功率的檢測方法，包括以下步驟：建氧氣流量、腔室氣壓和射頻功率開啟時間的工藝菜單，在所述工藝菜單下，測取若干組熱氧化厚度對應射頻功率的數據，求取熱氧化厚度與射頻功率的關系；測取裸片表面氧化層的第一厚度T1；裸片放入腔室，在所...