本發明專利技術公開了一種導電塑料，包括：塑料基材層和導電填料層，所述塑料基材層為高分子材料層，所述導電填料層是由若干導電纖維線組成的導電纖維層，所述導電填料層填充在所述塑料基材層的內部，所述導電填料層為不銹鋼纖維層、鋁合金纖維層或鍍鎳碳纖維層。本發明專利技術在塑料基材中加入導電填料，使塑料實現了從絕緣體到半導體再到導體的巨大轉變，與傳統材料相比，具有重量輕、易成型、電阻率可調節的特點，并可以方便地通過分子設計合成或復合成多種結構的材料，成本低。適用于電子元器件、通訊器件等領域，可抗電磁波干擾和抗靜電。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及塑料領域，特別是涉及一種導電塑料。
技術介紹
隨著現代科學技術的發展和現代電子、通訊技術的廣泛運用，為了信息的安全，防止信息泄露和被干擾，需要電磁屏蔽的對象日益增多，需要屏蔽的程度日益增強，對屏蔽的時間和空間要求日益增高。比如很多精密儀器的外殼都需要電磁屏蔽，現有的屏蔽一般都采用金屬外殼作為電磁屏蔽外殼，其屏蔽方式主要是反射損耗，吸收損耗很小或沒有，但是其重量重，還有其外形不易成型，電阻率不可調節，在廣泛用于精密儀器的外殼使存在加工過程復雜的問題， 致使成本過高，因而不適用于精密儀器的外殼。而傳統的塑料外殼又沒有電磁屏蔽功能。
技術實現思路
本專利技術主要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種導電塑料，具有重量輕、易成型、電阻率可調節的特點，能夠抗電磁波干擾和抗靜電。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是提供一種導電塑料，包括塑料基材層和導電填料層，所述塑料基材層為高分子材料層，所述導電填料層是由若干導電纖維線組成的導電纖維層，所述導電填料層填充在所述塑料基材層的內部，所述導電填料層為不銹鋼纖維層、鋁合金纖維層或鍍鎳碳纖維層。在本專利技術一個較佳實施例中，所述塑料基材層為聚碳酸酯層、工程塑料層或聚丙烯層。本專利技術的有益效果是本專利技術揭示了一種導電塑料，本專利技術在塑料基材中加入導電填料，使塑料實現了從絕緣體到半導體再到導體的巨大轉變，與傳統材料相比，具有重量輕、易成型、電阻率可調節的特點，并可以方便地通過分子設計合成或復合成多種結構的材料，成本低。適用于電子元器件、通訊器件等領域，可抗電磁波干擾和抗靜電。附圖說明圖I是本專利技術導電塑料一較佳實施例的結構示意 附圖中各部件的標記如下I、塑料基材層，2、導電填料層。具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術的較佳實施例進行詳細闡述，以使本專利技術的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本專利技術的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖I所示，本專利技術實施例包括一種導電塑料，包括塑料基材層I和導電填料層2，所述塑料基材層I為高分子材料層，所述導電填料層2是由若干導電纖維線組成的導電纖維層，所述導電填料層2填充在所述塑料基材層I的內部。所述塑料基材層I為聚碳酸酯層、工程塑料層或聚丙烯層。所述導電填料層2為不銹鋼纖維層、鋁合金纖維層或鍍鎳碳纖維層。本專利技術的導電塑料，其屏蔽主要通過反射損耗和投射引起的吸收損耗來實現。可一次加工成型，加工過程較短，成本低。由于其采用的均是可回收的環保材料，對環境無污染，對人體無傷害，且屏蔽效果好，屏蔽效能可在30-90dB之間調節，重量減輕50%-75%。本專利技術揭示了一種導電塑料，本專利技術在塑料基材中加入導電填料，使塑料實現了從絕緣體到半導體再到導體的巨大轉變，與傳統材料相比， 具有重量輕、易成型、電阻率可調節的特點，并可以方便地通過分子設計合成或復合成多種結構的材料，成本低。適用于電子元器件、通訊器件等領域，可抗電磁波干擾和抗靜電。以上所述僅為本專利技術的實施例，并非因此限制本專利技術的專利范圍，凡是利用本專利技術說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的
，均同理包括在本專利技術的專利保護范圍內。權利要求1.一種導電塑料，其特征在于，包括塑料基材層和導電填料層，所述塑料基材層為高分子材料層，所述導電填料層是由若干導電纖維線組成的導電纖維層，所述導電填料層填充在所述塑料基材層的內部，所述導電填料層為不銹鋼纖維層、鋁合金纖維層或鍍鎳碳纖維層。2.根據權利要求I所述的導電塑料，其特征在于，所述塑料基材層為聚碳酸酯層、工程塑料層或聚丙烯層。全文摘要本專利技術公開了一種導電塑料，包括塑料基材層和導電填料層，所述塑料基材層為高分子材料層，所述導電填料層是由若干導電纖維線組成的導電纖維層，所述導電填料層填充在所述塑料基材層的內部，所述導電填料層為不銹鋼纖維層、鋁合金纖維層或鍍鎳碳纖維層。本專利技術在塑料基材中加入導電填料，使塑料實現了從絕緣體到半導體再到導體的巨大轉變，與傳統材料相比，具有重量輕、易成型、電阻率可調節的特點，并可以方便地通過分子設計合成或復合成多種結構的材料，成本低。適用于電子元器件、通訊器件等領域，可抗電磁波干擾和抗靜電。文檔編號B32B27/12GK102632670SQ20121010公開日2012年8月15日 申請日期2012年4月13日 優先權日2012年4月13日專利技術者金振良 申請人:常熟市海虹苗木花卉有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：金振良，
申請(專利權)人：常熟市海虹苗木花卉有限公司，
類型：發明
國別省市：
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