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    可提升太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的雷射劃線定位技術(shù)方法技術(shù)

    技術(shù)編號:8100132 閱讀:187 留言:0更新日期:2012-12-20 01:43
    本發(fā)明專利技術(shù)為一種可提升太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的雷射劃線定位技術(shù)方法,包含基板進出傳送裝置,夾持裝置,對位CCD系統(tǒng),laser劃線系統(tǒng)及十字定位刻線。此技術(shù)方法先于第一道雷射制程中增加刻劃十字定位刻線,后續(xù)雷射刻線制程設(shè)備均以此十字定位刻線為基淮,以完成相對應(yīng)雷射刻線制程。本發(fā)明專利技術(shù)系以增加雷射刻線十字定位線,避免各設(shè)備因為結(jié)構(gòu)上機械誤差,而造成基板側(cè)邊定位精準度不同所成的定位變異,完成一種提高各設(shè)備刻線之相互平行度,有效提高光電轉(zhuǎn)化效率區(qū)之利用,進而提升太陽能電池效率。是一種可有效提升太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的雷射劃線定位技術(shù)方法。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)系一種,其目的提高可進行光電轉(zhuǎn)化效率區(qū)之利用。
    技術(shù)介紹
    目前,太陽能電池是大面積制模,但由于導電層阻力引起的損失使電池無法得到高效率,因此有必要分割為復數(shù)電池單元,并使其形成集成化。而其中雷射制程就是利用雷射劃線方式設(shè)計出可進行光電轉(zhuǎn)化的電池單元,并使其集成。業(yè)界于雷射制程進行時,大多采用基板側(cè)邊定位方式,但此方式仍有缺點存在。所謂基板側(cè)邊定位方式是指利用太陽能基板邊緣做為雷射刻劃基準線,進行間距式雷射制程線刻劃。而太陽能電池設(shè)備中有3 4道以上雷射制程不等,由于各雷射制程為非單機非連續(xù)制程,各設(shè)備間均存在結(jié)構(gòu)上機械誤差,導致于基板側(cè)邊定位精確度不同,最后造成各設(shè)備于基板刻劃雷射線平行度不一,只好加大線間距以避免雷射刻線交錯,導致無法有效利用光電轉(zhuǎn)化效率區(qū),進而影響光電轉(zhuǎn) 化效率。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)系一種,包含基板進出傳送裝置,夾持裝置,對位CXD系統(tǒng),laser劃線系統(tǒng)及十字定位刻線。先于第一道雷射制程中增加刻劃十字定位刻線,使雷射刻線制程定位點為十字定位刻線,以此為基淮完成雷射刻線制程。其動作流程系先將基板置放于第一道雷射制程設(shè)備基板進出傳裝置,傳到定點并給予夾持裝置夾持,通過laser劃線系統(tǒng)計算于基板的其中一角落進行十字定位刻線,再以定位CCD系統(tǒng)確認十字定位刻線X/Y軸方向,經(jīng)由laser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第一道雷射制程的起始刻劃位置并進行第一道雷射制程刻劃,刻劃完成后放開夾持部,由基板進出傳送裝置傳送出。基板欲進行制備第二道雷射制程時,將基板置放于第二道雷射制程設(shè)備基板進出傳裝置進出傳裝置,傳到定點并給予夾持夾持裝置夾持,以定位CCD系統(tǒng)確認十字定位刻線X/Y軸方向,經(jīng)由laser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第二道雷射制程的起始刻劃位置并進行第二道雷射制程刻劃,刻劃完成后放開夾持部,由基板進出傳送裝置傳送出。后續(xù)不論第η道雷射制程流程均同于第二道雷射制程。本專利技術(shù)藉以增加雷射刻線十字定位線,避免各設(shè)備因為結(jié)構(gòu)上機械誤差,造成基板側(cè)邊定位精確度不同所造成之定位變異,以提高各設(shè)備刻線相互平行度,完成一種;有效提高光電轉(zhuǎn)化效率區(qū)利用,進而提升太陽能電池效率。具體實施例方式茲將本專利技術(shù)配合附圖,詳細說明如下請參閱第一圖,為本專利技術(shù)系一種之動作流程方塊示意圖,由圖中可知,系將欲進行第一道雷射制程基板置入第一道雷射制程設(shè)備進行刻劃十字定位刻線及l(fā)aser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第一道雷射制程的起始刻劃位置并進行第一道雷射制程刻劃完成后傳送出。欲進行第二道雷射制程基板置入第二道雷射制程設(shè)備確認十字定位刻線及l(fā)aser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第二道雷射制程的起始刻劃位置并進行第二道雷射制程刻劃完成后傳送出,欲進行第η道雷射制程基板置入第η道雷射制程設(shè)備確認十字定位刻線及l(fā)aser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第η道雷射制程的起始刻劃位置并進行第二道雷射制程刻劃完成后傳送出,藉以增加雷射刻線十字定位線,減少設(shè)備間定位變異,提高各設(shè)備刻線相互平行度,有效提高光電轉(zhuǎn)化效率區(qū)利用,完成一種關(guān)于。請參閱第二圖,為本專利技術(shù)一種之第一道雷射制程設(shè)備刻劃十字定位線動作示意圖,由圖中可知,欲進行第一道雷射制程基板I由進出傳送裝置5將基置入定位點,由夾持裝置2進行夾持固定,通過laser劃線系統(tǒng)6計算,于基板的其中一角落進行十字定位刻線4。 請參閱第三圖,為本專利技術(shù)一種之第一道雷射制程設(shè)備定位CCD系統(tǒng)確認十字定位線動作示意圖,以定位CCD系統(tǒng)3確認十字定位刻線4X/Y軸方向,再經(jīng)laser劃線系統(tǒng)6計算第一道雷射制程線起始刻劃位置。請參閱第四圖,為本專利技術(shù)一種之第一道雷射制程設(shè)備刻劃線動作示意圖,laser劃線系統(tǒng)6計算第一道雷射制程線起始刻劃位置并進行刻劃。請參閱第五圖,為本專利技術(shù)一種之第二道雷射制程設(shè)備定位CCD系統(tǒng)確認十字定位線動作示意圖,以定位CCD系統(tǒng)3確認十字定位刻線4X/Y軸方向,再經(jīng)laser劃線系統(tǒng)6計算第二道雷射制程線起始刻劃位置。請參閱第六圖,為本專利技術(shù)一種之第二道雷射制程設(shè)備刻劃線動作示意圖,laser劃線系統(tǒng)6計算第二道雷射制程線起始刻劃位置并進行刻劃。請參閱第七圖,為本專利技術(shù)一種之第η道雷射制程設(shè)備定位CCD系統(tǒng)確認十字定位線動作示意圖,以定位CCD系統(tǒng)3確認十字定位刻線4Χ/Υ軸方向,再經(jīng)laser劃線系統(tǒng)6計算第η道雷射制程線起始刻劃位置。請參閱第八圖,為本專利技術(shù)一種之第η道雷射制程設(shè)備刻劃線動作示意圖,laser劃線系統(tǒng)6計算第η道雷射制程線起始刻劃位置并進行刻劃。以上說明,對本專利技術(shù)而言只是說明性的,非限制性的,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解,在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本專利技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。附圖說明下面結(jié)合附圖和實施例對本專利技術(shù)進一步說明。圖I是本專利技術(shù)之動作流程方塊示意圖。圖2是本專利技術(shù)之第一道雷射制程刻劃設(shè)備十字定位線動作示意圖。圖3是本專利技術(shù)之第一道雷射制程設(shè)備定位CCD系統(tǒng)確認十字定位線示意圖。圖4是本專利技術(shù)之第一道雷射制程設(shè)備刻劃線動作示意圖。圖5是本專利技術(shù)之第二道雷射制程設(shè)備定位CCD系統(tǒng)確認十字定位線示意6是本專利技術(shù)之第二道雷射制程設(shè)備刻劃線動作槽動作示意圖。圖7是本專利技術(shù)之第η道雷射制程設(shè)備定位CCD系統(tǒng)確認十字定位線示意8是本專利技術(shù)之第η道雷射制程設(shè)備刻劃線動作槽動作示意圖。主要元件符號說明 I…太陽能基板2…夾持裝置3 …定位 CCD4----h字定位線5…基板進出傳送裝置6…laser劃線系統(tǒng)權(quán)利要求1.本專利技術(shù)系一種,其技術(shù)方法包含基板進出傳送裝置,夾持裝置,對位CCD,laser劃線系統(tǒng)及十字定位刻線,先將基板置放于第一道雷射制程設(shè)備基板進出傳裝置,傳到定點并給予夾持裝置夾持。通過laser劃線系統(tǒng)計算于基板的其中一角落進行十字定位刻線,再以定位CCD確認十字定位刻線X/Y軸方向,再經(jīng)laser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第一道雷射制程的起始刻劃位置并進行第一道雷射制程刻劃,刻劃完成后放開夾持部,由基板進出傳送裝置傳送出。基板欲進行制備第二道雷射制程時,將基板置放于第二道雷射制程設(shè)備基板進出傳裝置進出傳裝置,傳到定點并給予夾持夾持裝置夾持,以定位CCD確認十字定位刻線X/Y軸方向,經(jīng)由laser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第二道雷射制程的起始刻劃位置并進行第二道雷射制程刻劃,刻劃完成后放開夾持部,由基板進出傳送裝置傳送出。后續(xù)不論第η道雷射制程流程均同于第二道雷射制程。藉以增加雷射刻線十字定位線,免除基板側(cè)邊定位精度不同造成影響,而提高各設(shè)備刻線相互平行度,完成一種;有效提高光電轉(zhuǎn)化效率區(qū)利用,進而提升太陽能電池效率。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種,其中該十字定位刻線,于欲進行第一道雷射制程基板由第一道雷射制程設(shè)備進出傳送裝置將基置入定位點,由夾持裝置進行夾持固定,通過laser劃線系統(tǒng)計算于基板的其中一角落進行十字定位刻線,并做為后續(xù)雷射制程設(shè)備劃線定位線。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的種,其中該基板進出傳送裝置,是以一般載具,導軌形式將基板運送至夾持裝置或載出基板。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種,其中該夾持裝置是一種夾持方式,使其基板進行固定。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    本專利技術(shù)系一種可提升太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的雷射劃線定位技術(shù)方法,其技術(shù)方法包含基板進出傳送裝置,夾持裝置,對位CCD,laser劃線系統(tǒng)及十字定位刻線,先將基板置放于第一道雷射制程設(shè)備基板進出傳裝置,傳到定點并給予夾持裝置夾持。通過laser劃線系統(tǒng)計算于基板的其中一角落進行十字定位刻線,再以定位CCD確認十字定位刻線X/Y軸方向,再經(jīng)laser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第一道雷射制程的起始刻劃位置并進行第一道雷射制程刻劃,刻劃完成后放開夾持部,由基板進出傳送裝置傳送出。基板欲進行制備第二道雷射制程時,將基板置放于第二道雷射制程設(shè)備基板進出傳裝置進出傳裝置,傳到定點并給予夾持夾持裝置夾持,以定位CCD確認十字定位刻線X/Y軸方向,經(jīng)由laser劃線系統(tǒng)計算以十字定位刻線為基準線,第二道雷射制程的起始刻劃位置并進行第二道雷射制程刻劃,刻劃完成后放開夾持部,由基板進出傳送裝置傳送出。后續(xù)不論第n道雷射制程流程均同于第二道雷射制程。藉以增加雷射刻線十字定位線,免除基板側(cè)邊定位精度不同造成影響,而提高各設(shè)備刻線相互平行度,完成一種可提升太陽能電池轉(zhuǎn)化效率的雷射劃線定位技術(shù)方法;有效提高光電轉(zhuǎn)化效率區(qū)利用,進而提升太陽能電池效率。...

    【技術(shù)特征摘要】

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:許純獻劉幼海劉吉人
    申請(專利權(quán))人:吉富新能源科技上海有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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