晶圓測試裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術公開了一種晶圓測試裝置，所述晶圓測試裝置包括一套復合探針卡，所述復合探針卡包括：至少一組測量探針卡，所述測量探針卡中包括用于測量對應晶片的電信號的測量探針，至少一組熔斷探針卡，所述熔斷探針卡中包括用于對對應晶片進行修調或者編程的熔斷探針，其中在所述復合探針卡位于同一位置時各組探針卡分別對應不同的晶片。這樣就可以在晶圓測試時，使同一晶片的測量過程和熔斷過程分開進行，提高了測量精度，而且由于不同晶片的測量過程和熔斷過程可以同時進行，從而未過多延長測試機臺的占用時間，而測試成本正比于測試時間，所述本實用新型專利技術在提高測量精確度的同時，并未過多增加測試成本。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

晶圓測試裝置
本技術涉及晶圓測試領域，特別涉及ー種晶圓測試裝置。背景技木在芯片制造流程上，主要可分為IC設計、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。晶圓初始通常為4英寸，6英寸，8英寸，12英寸等直徑規格的圓形硅片。在晶圓制程階段，會在晶圓上形成緊密規則分布的數量很大的晶片，根據不同晶片大小，一個晶圓上可以存在著幾十至幾十萬顆晶片。而在晶圓測試階段，通常是由測試機臺與探針卡共同構建ー個測試環境，在此環境下測試晶圓上的晶片，以確保各個晶片的電氣特性與功能都符 合設計的規格和規范。未能通過測試的晶片將會被標記為不良產品或者壞片，在其后的切割封裝階段將被剔除。只有通過測試的晶片才會被封裝為芯片。在晶圓測試階段，為了提高芯片的良率和質量，通常還需要對芯片的若干參數進行必要的修調和編程，從而實現更高性能或者差異化的功能。晶圓測試對于降低芯片的生產成本和提高芯片的質量是非常必要的。而ー個優質的芯片測試環境將是這一切的ー個非常重要的保證。現有技術中的ー種晶圓測試方法為對于ー種型號的晶片，預先設計提供ー套探針卡，該探針卡上包括用于測量晶片電信號的測量探針和用于修調和編程晶片的熔斷探針。首先，通過該探針卡上的測量探針測量晶片是否符合設計的規格和規范；然后，根據測量結果通過熔斷探針對晶片進行修調或編程，此處的“修調”通常是指通過熔斷探針對晶片中預先設計的電阻網絡、熔絲或者齊納ニ極管之類的器件進行選擇性熔斷以改良晶片的性能，此處的“編程”通常是指通過熔斷探針對晶片中預先設計的熔絲進行熔斷以選擇晶片的不同功能；在修調或編程后，再次通過測量探針測量修調或者編程后的晶片是否已經達到了修調目的或達到了設計規范。在整個過程中，探針卡上的各個探針通常一一對應地與晶片上的對應接點緊密接觸，并且不發生移動。在實現本技術的過程中，專利技術人發現現有技術至少存在如下缺陷第一，現有技術中的探針卡通常存在漏電，在使用包括漏電的探針卡進行測試吋，如果這些漏電出現在晶片的低阻抗節點(如該節點驅動能力很強)上，則對晶片內的電路的影響很小。但對于ー些高精度、低功耗模擬電路來說，存在ー些高阻抗節點，如果探針探測這些高阻抗節點時，探針上的漏電產生的影響則很大，等效改變的電壓幅度近似為漏電電流乘以該高阻抗節點的阻抗值。比如，探測卡的一部分被設計為修調ー個基準電壓至3V+/-1%的精度，當被測試晶片接上探針后，由于探針上的漏電電流的干擾導致本來電壓值為3. 04V的晶片實際電壓被測量為2. 98V，則系統判斷該被測試晶片為無需修調，但是探針移除后，該被測試晶片的真實電壓為3. 04V，其實是需要修調的晶片。第二，探針與晶片之間容易產生寄生電容，寄生電容對測量探針的準確性也有一定影響，甚至會引起環路振蕩。為此，有必要提供一種新的技術方案來解決上述問題。
技術實現思路
本部分的目的在于概述本技術的實施例的ー些方面以及簡要介紹ー些較佳實施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和專利技術名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和專利技術名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本技術的范圍。本技術的目的在于提供ー種晶圓測試裝置，其可以減小探針上的漏電對晶片測試的影響。為了達到本技術的目的，本技術提出ー種晶圓測試裝置，所述裝置包括至少ー組測量探針卡，所述測量探針卡中包括用于測量對應晶片的電信號的測量探針；至少ー組熔斷探針卡，所述熔斷探針卡中包括用于對對應晶片進行修調或者編程的熔斷探針，其中在所述復合探針卡位于同一位置時各組探針卡分別對應不同的晶片。在一個進ー步的實施例中，所述復合探針卡包括多組測量探針卡,各組測量探針 卡對應不同的晶片，各組測量探針卡測量對應的晶片的不同測試項目。在一個進ー步的實施例中，所述晶圓測試裝置還包括與所述各組探針卡相連的測試機臺，所述測試機臺中包括用于存儲各組測量探針卡的測量結果的存儲裝置。在一個進ー步的實施例中，所述熔斷探針卡根據所述測試機臺的存儲裝置內存儲的來自各組測量探針卡的針對同一晶片的測量結果修調或編程對應的晶片。在一個進ー步的實施例中，在所述測量探針卡對對應的晶片測量完成，所述熔斷探針卡對對應的晶片修調或編程完成后，整體向前移動所述復合探針卡，以使得各組探針卡分別對應于與移動前對應的晶片相鄰的下ー個晶片。在一個進ー步的實施例中，隨著所述復合探針卡的不斷的向前移動，各測量探針卡和熔斷探針卡先后經過晶圓上的每個晶片。與現有技術相比，本技術中的晶圓測試裝置及方法具有以下優點通過將測量探針和熔斷探針分組設計在同一套復合探針卡中，并且所述復合探針卡中的每組探針對應不同晶片，同一晶片的測量過程和熔斷過程分開進行，提高了測量精度，而且由于不同晶片的測量過程和熔斷過程可以同時進行，從而未過多延長測試機臺的占用時間，而測試成本正比于測試時間，所述本技術在提高測量精確度的同吋，并未過多增加測試成本。附圖說明結合參考附圖及接下來的詳細描述，本技術將更容易理解，其中同樣的附圖標記對應同樣的結構部件，其中圖I為本技術中的晶圓測試裝置在一個實施例中的結構示意圖；圖2是本技術中的晶圓測試方法在一個實施例中的方法流程圖。具體實施方式本技術的詳細描述主要通過程序、步驟、邏輯塊、過程或其他象征性的描述來直接或間接地模擬本技術技術方案的運作。為透徹的理解本技術，在接下來的描述中陳述了很多特定細節。而在沒有這些特定細節時，本技術則可能仍可實現。所屬領域內的技術人員使用此處的這些描述和陳述向所屬領域內的其他技術人員有效的介紹他們的工作本質。換句話說，為避免混淆本技術的目的，由于熟知的方法、程序、成分和電路已經很容易理解，因此它們并未被詳細描述。此處所稱的“ー個實施例”或“實施例”是指可包含于本技術至少ー個實現方式中的特定特征、結構或特性。在本說明書中不同地方出現的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。此外，表示ー個或多個實施例的方法、流程圖或功能框圖中的模塊順序并非固定的指代任何特定順序，也不構成對本技術的限制。本技術中提供的晶圓測試裝置及方法的ー個重點和亮點是對于ー種型號的待測晶片，將用于測試一晶片電信號的測量探針和用于修調或者編程另一晶片的熔斷探針分組設計在同一套探針卡中，由于不同晶片的測量過程和熔斷過程可以同時進行，并且同一晶片的測量過程和熔斷過程分開進行，這樣不僅可以減少干擾提高測量探針的測量結果的準確性，而且可以實現不過多増加測試時間。請參考圖I所示，其為本技術中的晶圓測試裝置在一個實施例100中的結構示意圖。所述晶圓測試裝置100包括一套復合探針卡和與該復合探針卡相連的測試機臺110。其中，所述復合探針卡包括依次連接的第一組測量探針卡120、第二組測量探針卡130和一組熔斷探針卡140。需要注意的是，在此例中是以兩組測量探針卡為例進行介紹，在其他實施例中還可以是ー組、三組或更多組測量探針卡。第一組測量探針卡120包括用于ー個測試項目的測量探針122，并且與所述測試機臺110相連。測量探針122可以用于測量對應晶片的電信號。在一個實施例中，第一組測量探針卡120可以包括自其上延伸出測量探針的第一基板124，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶圓測試裝置，其特征在于，其包括一套復合探針卡，所述復合探針卡包括：至少一組測量探針卡，所述測量探針卡中包括用于測量對應晶片的電信號的測量探針；至少一組熔斷探針卡，所述熔斷探針卡中包括用于對對應晶片進行修調或者編程的熔斷探針，其中在所述復合探針卡位于同一位置時各組探針卡分別對應不同的晶片。

【技術特征摘要】
1.一種晶圓測試裝置，其特征在于，其包括一套復合探針卡，所述復合探針卡包括 至少一組測量探針卡，所述測量探針卡中包括用于測量對應晶片的電信號的測量探針； 至少一組熔斷探針卡，所述熔斷探針卡中包括用于對對應晶片進行修調或者編程的熔斷探針， 其中在所述復合探針卡位于同一位置時各組探針卡分別對應不同的晶片。2.根據權利要求I所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述復合探針卡包括多組測量探針卡，各組測量探針卡對應不同的晶片，各組測量探針卡測量對應的晶片的不同測試項目。3.根據權利要求I或2所述的晶圓測試裝置，其特征在于，所述晶圓測試裝置還包括與所述各組探針卡相連的測試機臺，所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王釗，田文博，尹航，
申請(專利權)人：無錫中星微電子有限公司，
類型：實用新型
國別省市：