本發(fā)明專利技術提供熱處理爐以及熱處理裝置。熱處理爐包括：處理容器，其用于收容至少一個被熱處理體；絕熱部件，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器的周圍；加熱器，其沿該絕熱部件的內周面配置，該加熱器具有沿絕熱部件的內周面呈螺旋狀配置的波紋型的帶狀加熱元件，加熱元件具有向外側突出的谷部和向內側突出的峰部。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及熱處理爐以及具有該熱處理爐的熱處理裝置。
技術介紹
在半導體裝置的制造過程中，為了對作為被處理體的半導體晶圓實施氧化、擴散、CVD (Chemical Vapor Deposition)等處理,使用各種熱處理裝置。而且,通常的熱處理裝置具有熱處理爐，該熱處理爐包括處理容器，其用于收容半導體晶圓；絕熱部件，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器的周圍；加熱器，其設在絕熱部件的內周面上且用于對上述處理容器內的晶圓進行加熱。作為上述加熱器，例如在能夠進行批量處理的熱處理裝置的情況下，使用沿圓筒狀的絕熱部件的內壁面配置且被支承體支承的加熱元件，能夠將爐內加熱到例如800°C 1000°C左右的高溫。另外，作為上述絕熱部件，例如使用將由陶瓷纖維等構成的絕熱材料燒制成圓筒狀而成的絕熱部件，能夠使作為輻射熱以及傳導熱而被吸收的熱量減少，能夠促進高效的加熱。作為上述的支承體，例如使用陶瓷制的支承體，以規(guī)定的間距支承上述加熱元件，使上述加熱元件能夠進行熱膨脹和熱收縮。此外，加熱元件以如下方式設在圓筒狀的絕熱部件的內周面上在將絕熱部件的內周面在縱向上一分為ニ的情況下，將加熱元件設在各半周面上。此時，設在第I半周面上的第I加熱元件以及設在第2半周面上的第2加熱元件各自獨立運轉。并且，各加熱元件具有沿圓周方向延伸并設為多層(日文多段)的多個圓周部和連接各圓周部并且沿上下方向延伸的連接部。以往，難以將由這樣的結構構成的加熱元件設在絕熱部件的整個內周面上，在該情況下，難以均勻地加熱晶圓。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術提供通過將加熱元件配置在絕熱部件的整個內周面上而能夠均勻地加熱晶圓并且能夠避免對加熱元件造成應カ集中的熱處理爐以及熱處理裝置。本專利技術提供ー種熱處理爐，其中，該熱處理爐包括處理容器，其用于收容至少ー個被熱處理體；絕熱部件，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器的周圍；加熱器，其沿該絕熱部件的內周面配置，該加熱器具有沿絕熱部件的內周面呈螺旋狀配置的波紋型的帯狀加熱元件，上述加熱元件具有向外側突出的谷部和向內側突出的峰部。本專利技術提供ー種熱處理裝置，其中，該熱處理裝置包括熱處理爐，其具有下部開放為爐ロ并用于收容ー個以上的被熱處理體的處理容器；蓋體，其用于封閉上述爐ロ ；保持件，其被載置在該蓋體上，用于分多層地保持被熱處理體；升降機構，其通過使保持件以及蓋體升降而開閉上述爐ロ以及向上述處理容器內輸入保持件或從上述處理容器內輸出保持件，上述熱處理爐包括絕熱部件，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器的周圍；加熱器，其沿該絕熱部件的內周面配置，該加熱器具有波紋型的帯狀加熱元件，該加熱元件沿絕熱部件的內周面呈螺旋狀配置，且具有向外側突出的谷部和向內側突出的峰部。附圖說明圖I是概略地表示本專利技術的實施方式的熱處理裝置的縱剖視圖。圖2是表示絕熱部件與加熱元件的放大橫剖視圖。圖3A是表示絕熱部件與加熱元件的放大縱剖視圖，圖3B是表示絕熱部件與加熱元件的變形例的放大縱剖視圖。圖4是表示加熱元件的設置狀態(tài)的圖。圖5是表示設在絕熱部件的內周面上的加熱元件的立體圖。 圖6A 圖6K是表示谷部支撐銷以及峰部支撐銷的圖。圖7是表示形成有狹縫的絕熱部件的圖。圖8是表示在縱向上被一分為ニ的絕熱部件的圖。圖9A以及圖9B是表示用于保持加熱元件的峰部的防傾倒板的圖。具體實施例方式以下，基于附圖詳細敘述本專利技術的實施方式。圖I是概略地表示本專利技術的實施方式的熱處理裝置的縱剖視圖，圖2是表示絕熱部件與加熱元件的放大橫剖視圖，圖3A是表示絕熱部件與加熱元件的放大縱剖視圖，圖3B是表示絕熱部件與加熱元件的變形例的放大縱剖視圖，圖4是表示加熱元件的設置狀態(tài)的圖，圖5是表示設在絕熱部件的內周面上的加熱元件的立體圖。在圖I中，附圖標記I是作為半導體制造裝置之一的立式的熱處理裝置，該熱處理裝置I具有立式的熱處理爐2，該立式的熱處理爐2能夠一次收容多個被處理體、例如半導體晶圓W并對該被處理體實施氧化、擴散、減壓CVD等熱處理。該熱處理爐2具有處理容器3，其呈圓筒狀，用于收容晶圓W ;絕熱部件16，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器3的周圍；加熱器5，其沿絕熱部件16的內周面16a設置。上述熱處理裝置I具有用于設置絕熱部件16的底板6。在該底板6中形成有用于自下而上插入處理容器3的開ロ部7，且在該開ロ部7上以覆蓋底板6與處理容器3之間的間隙的方式設有未圖示的絕熱部件。上述處理容器3由石英制成，形成為上端封閉、下端作為爐ロ 3a而開ロ的縱長的圓筒狀。在處理容器3的開ロ端形成有朝外的凸緣3b，該凸緣3b借助未圖示的凸緣壓板支承于上述底板6。圖I的處理容器3在下側部設有用于向處理容器3內導入處理氣體、非活性氣體等的導入部(導入口)8和用于排出處理容器3內的氣體的未圖示的排氣部(排氣ロ)。導入部8與氣體供給源連接，排氣部與排氣系統(tǒng)連接，該排氣系統(tǒng)具有能夠將處理容器3內的壓カ減壓控制在例如IOTorr KT8Torr左右的真空泵。在處理容器3的下方，設有能夠借助升降機構14升降移動的蓋體10，該蓋體10沿上下方向移動而能夠開閉處理容器3的下端開ロ部(爐ロ)3a。在該蓋體10的上部載置有作為爐ロ的保溫部件的例如保溫筒11，在該保溫筒11的上部載置有作為保持件的石英制的舟皿12，該舟皿12用于沿上下方向以規(guī)定的間隔搭載多張、例如100張 150張左右的例如直徑是300mm的晶圓W。在蓋體10上設有使舟皿12圍繞其軸心線旋轉的旋轉機構13。舟皿12利用蓋體10的下降移動而被從處理容器3內輸出(卸載)到下方的加載區(qū)域15內，在移換晶圓W之后，舟皿12利用蓋體10的上升移動而被輸入(加載)到處理容器3內。如圖2 圖5所示，上述加熱器5具有沿圓筒狀的絕熱部件16的內周面16a呈螺旋狀配置的帶狀加熱元件18，該帶狀加熱元件18由波紋型的材料構成，該波紋型的材料具有向外側(絕熱部件16側)突出的谷部18a和向內側(處理容器3的中心側)突出的峰部18b。而且，加熱元件18的谷部18a的頂部以及峰部18b的頂部均由彎曲線58形成，上述彎曲線58相對于加熱元件1 8的寬度方向(與長度方向L1正交的方向)L3傾斜，并且與絕熱部件16的軸線方向L2相一致。絕熱部件16例如由包含ニ氧化硅、氧化鋁或硅酸鋁的無機纖維構成。另外，加熱元件18是通過如上述那樣沿彎曲線58將加熱元件18的基材成形(彎曲加工)為彎曲的波形而成的。上述加熱元件18的基材例如由鐵(Fe)、鉻(Cr)以及鋁(Al)的合金構成。該加熱元件18被設為例如壁厚為Imm 2mm左右、寬度為14mm 18mm左右、波形部分的振幅為Ilmm 15mm左右、波形部分的間距為28mm 32mm左右。另外，加熱元件18的谷部18a和峰部18b的頂角被設為90度左右，谷部18a的頂部和峰部18b的頂部被施以R彎曲加工。絕熱部件16的內周面形成得平滑，在該絕熱部件16的內周面16a上設有防脫用的谷部支承銷構件20a和防傾倒用的峰部支承銷構件20b，該谷部支承銷構件20a用于以適當?shù)拈g隔保持上述加熱元件18的谷部18a并以使加熱元件18的谷部18a能夠沿徑向移動且不會向絕熱部件16內側脫落及脫離的方式保持上述加熱元件18的谷部18a，該峰部支承銷構件20b以使加熱元件18的峰部18b不會傾倒本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種熱處理爐，其中，該熱處理爐包括：處理容器，其用于收容至少一個被熱處理體；絕熱部件，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器的周圍；加熱器，其沿該絕熱部件的內周面配置，該加熱器具有沿絕熱部件的內周面呈螺旋狀配置的波紋型的帶狀加熱元件，上述加熱元件具有向外側突出的谷部和向內側突出的峰部。
【技術特征摘要】
2011.06.21 JP 2011-1374281.一種熱處理爐，其中， 該熱處理爐包括 處理容器，其用于收容至少一個被熱處理體； 絕熱部件，其呈圓筒狀，用于覆蓋該處理容器的周圍； 加熱器，其沿該絕熱部件的內周面配置， 該加熱器具有沿絕熱部件的內周面呈螺旋狀配置的波紋型的帶狀加熱元件，上述加熱元件具有向外側突出的谷部和向內側突出的峰部。2.根據(jù)權利要求I所述的熱處理爐，其中， 加熱元件的谷部由被局部地嵌入到絕熱部件內的防脫用的谷部支承銷構件來支承，加熱元件的峰部由被局部地嵌入到絕熱部件內的防傾倒用的峰部支承銷構件來支承。3.根據(jù)權利要求2所述的熱處理爐，其中， 谷部支承銷構件以及峰部支承銷構件分別具有U字狀體，且在U字狀體的兩端部設有防脫部，該防脫部用于與絕熱部件相卡合而防止U字狀體從上述絕熱部件脫落。4.根據(jù)權利要求I所述的熱處理爐，其中， 加熱元件的谷部頂部以及峰部頂部均由彎曲線形成，谷部頂部的彎曲線以及峰部頂部的彎曲線相對于加熱元件的寬度方向傾斜。5.根據(jù)權利要求I所述的熱處理爐，其中， 在上述圓筒狀的絕熱部件的內周面上形成有沿縱向延伸的狹縫。6.一種熱處理裝置，其中， 該熱處理裝置包括 熱處理爐，其具有下部開放為爐口并用...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：小林誠，山賀健一，佐佐木章，池田大延，小池貴浩，
申請(專利權)人：霓佳斯株式會社，東京毅力科創(chuàng)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：
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