半導體制造裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種可抑制消耗電力的半導體制造裝置。半導體制造裝置（1）具備：對處理空間S進行劃分的處理容器（2），該處理容器（2）具有上表面（2a）；設于處理空間S內的載置臺（3）；以與載置臺（3）對面的方式設于該載置臺的上方的上部電極（20）；對上部電極（20）進行加熱的加熱器（35）、（36），該加熱器（35）、（36）設于上部電極（20）的周圍且上表面（2a）的下方；搭載于上表面（2a）的隔熱部件（50），隔熱部件（50）包含板狀部（51）和設于該板狀部（51）的一方的主面（51a）側的隔熱部（52）。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體制造裝置。
技術介紹
作為現有的半導體制造裝置，已知有例如專利文獻I中記載的裝置。專利文獻I中記載的半導體制造裝置包括載置半導體晶片的載置臺；處理容器，其具有設置于載置臺的上方且與載置臺平行地對置的上部電極；向載置臺施加高頻的高頻電源；和向上部電極供給處理氣體的處理氣體供給部。該半導體制造裝置作為平行平板式的等離子體蝕刻裝 置而構成。現有技術文獻專利文獻I :日本特開2006 - 286733號公報在具有如上所述的構成的平行平板式半導體制造裝置中，有時在上部電極的附近設有用于加熱上部電極(向上部電極供給的處理氣體)的加熱器。在這種半導體制造裝置中，要求抑制消耗電力。
技術實現思路
本專利技術是用于解決上述課題而設立的，其目的在于，提供一種可抑制消耗電力的半導體制造裝置。本專利技術一方面提供一種半導體制造裝置，包括劃分形成處理空間并具有上表面的處理容器；設置于所述處理空間內的載置臺；上部電極，以與所述載置臺對置的方式設置于該載置臺的上方；加熱器，加熱所述上部電極，設置于所述上部電極的周圍且所述上表面的下方；和搭載于所述上表面的隔熱部件，所述隔熱部件包括板狀部和設置于該板狀部的一方的主面側的隔熱部。在該半導體制造裝置中，在處理容器的上表面搭載有隔熱部件。因此，利用構成隔熱部件的隔熱部來提高隔熱效果，特別是可以抑制從散熱量多的處理容器的上部散熱。因此，能夠實現熱效率的提高，其結果是，可以實現消耗電力的抑制。在一個實施方式中，隔熱部也可以是發泡隔熱材料。使用發泡隔熱材料時，可以有效地抑制散熱。在一個實施方式中，隔熱部也可以具有多個零件，該多個零件在與上表面平行的方向能夠分離，分別包括板狀部和隔熱部。根據該方式，即使是在處理容器的上表面連接有導管等的情況，也能夠容易地配置隔熱部件，可實現作業性的提高。在一個實施方式中，板狀部也可以具有比隔熱部的剛性更高的剛性。根據該方式，即使是使用具有柔軟性的隔熱部的情況，也可防止配置于處理容器的上表面時的彎曲及安裝作業時的隔熱部的撓曲等，因此，可實現隔熱部件的作業性的提高。在一個實施方式中，隔熱部件的外圓周面也可以用樹脂覆蓋。根據該方式，可抑制在隔熱部件產生塵埃及灰塵。根據本專利技術，可抑制處理容器的散熱，使熱效率提高，可抑制消耗電力。附圖說明圖I是示意性地表示一實施方式的等離子體處理裝置的剖面圖；圖2是示意性地表示腔室的立體圖；圖3是從上方觀察圖2表示的腔室的圖；圖4是表示隔熱部件的立體圖；圖5是圖4的V — V線剖面圖；圖6是表示隔熱部件分離后的狀態的立體圖； 圖7是表示隔熱效果的試驗結果的表；圖8是表示消耗電力的試驗結果的表；圖9是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖10是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖11是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖12是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖13是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖14是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖15是表示其它方式的隔熱部件的圖；圖16是表示其它方式的隔熱部件的圖。符號說明I :等離子體處理裝置(半導體制造裝置)、2 :腔室(處理容器)、2a :主面、3 :載置臺、20 :噴頭(上部電極)、35 :第一加熱器、36 :第二加熱器、50、50A 50Z、50Aa 50Ae :隔熱部件、50a :主面、51、51A、54a、55a :板狀部、52、57、57A、60、61 :隔熱部。下面，參照附圖對本專利技術的各種實施方式詳細地進行說明。另外，在附圖說明中，對相同或相當元素附加相同符號，省略重復的說明。等離子體處理裝置圖I是示意性地表示一實施方式的等離子體處理裝置的圖。圖I表示的等離子體處理裝置1，作為平行平板式等離子體蝕刻裝置而構成。等離子體處理裝置1，具有劃分形成處理空間S的圓筒形的腔室(處理容器)2。腔室2具有上表面2a。在腔室2的處理空間S內，設有載置作為被處理基板的例如半導體晶片W的圓板狀的載置臺3，將其作為下部電極或基座。載置臺3例如為鋁制，經由絕緣性的筒狀保持部4支承于從腔室2的底面向垂直方向延伸的筒狀支承部6。在筒狀保持部4的上表面，配置有環狀包圍載置臺3的上表面的例如由石英形成的聚焦環7。在腔室2的側壁與筒狀支承部6之間，形成有排氣通道8。在該排氣通道8的入口或其中途，安裝有阻流板(baffle plate) 9，并且在底部設有排氣口 10。排氣裝置11經由排氣管12與排氣口 10連接。排氣裝置11具有真空泵，能夠將腔室2內的處理空間減壓至規定的真空度。在腔室2的側壁，安裝有開閉半導體晶片W的搬入搬出口的閘閥14。在載置臺3，經由匹配器16及供電棒17電連接有等離子體生成用的高頻電源15。高頻電源15向下部電極即載置臺3施加規定的高頻率(例如27MHZ以上)的高頻電力。在與載置臺3平行地對置的腔室2的上部，作為接地電位的上部電極設有噴頭20。利用來自高頻電源15的高頻，在載置臺3與噴頭20之間的空間，即等離子體生成空間PS形成高頻電場。噴頭20包括具有多個氣體通氣孔21的電極板22 ;和以能夠拆卸的方式支承電極板22的電極支承體23。在電極支承體23的內部設有緩沖室24，在該緩沖室24的氣體導入口 25，連接有來自處理氣體供給部26的氣體供給導管27。在腔室2的頂部，在等離子體生成空間PS周邊的上方(噴頭20的周圍)，設有環狀或同心狀延伸的磁場形成機構28。磁場形成機構28為了容易地開始腔室2內的等離子體生成空間PS中的高頻放電(等離子體點火)并穩定地維持放電而發揮作用。在載置臺3的上表面，設有用于利用靜電吸附力保持半導體晶片W的靜電卡盤30。靜電卡盤30將由導電膜形成的電極31夾入一對絕緣膜32a、32b之間，在電極31上，經由開關SW電連接有直流電源33。利用來自直流電源33的直流電壓，可依靠庫侖力將半導體晶片W吸附保持在卡盤上。 在噴頭20的上方(噴頭20的周圍且上表面2a的下方),配置有第一加熱器35。第一加熱器35為用于對噴頭20進行加熱(電極板22的溫度控制)的熱源，呈環狀。第一加熱器35的外徑比噴頭20的外徑大。圖2是不意性地表不腔室的立體圖，圖3是從上方觀察圖2表不的腔室的圖。如圖3所示，在腔室2內，配置有多個(在此為4個)第二加熱器36。第二加熱器36是用于加熱噴頭20的熱源，在腔室2的側壁，配置于比第一加熱器35更靠徑向的外側。另外，在載置臺3，經由氣體供給管線38連接有傳熱氣體供給部39。傳熱氣體供給部39向靜電卡盤30的上表面與半導體晶片W的背面之間供給傳熱氣體(例如He氣體)。控制部40對等離子體處理裝置I內的各部分別進行控制，并統一控制整體的順序。隔熱部件如圖I及圖2所示，在腔室2的上表面2a上，配置(搭載)有隔熱部件50。圖4是表示隔熱部件的立體圖，圖5是圖4的V —V線剖面圖。如圖4及圖5所示，隔熱部件50由板狀部51和隔熱部52形成。板狀部51例如由丙烯酸樹脂形成，呈圓板狀(與腔室2的上表面2a的形狀對應的形狀)。板狀部51的厚度為數mm左右，具有比后述的隔熱部52聞的剛性。另外，板狀部51也可以用金屬形成。隔熱部52例如為發泡隔熱材料(商品名Aeroflex (注冊商標))，呈圓板狀(與腔室2的上表面2a的形狀對應的形狀)。隔熱部52的厚度例如設定為IOmm左右，一方本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體制造裝置，其特征在于，包括：劃分形成處理空間并具有上表面的處理容器；設置于所述處理空間內的載置臺；上部電極，以與所述載置臺對置的方式設置于該載置臺的上方；加熱器，加熱所述上部電極，設置于所述上部電極的周圍且所述上表面的下方；和搭載于所述上表面的隔熱部件，所述隔熱部件包括：板狀部和設置于該板狀部的一方的主面側的隔熱部。

【技術特征摘要】
2011.06.21 JP 2011-1375061.一種半導體制造裝置，其特征在于，包括 劃分形成處理空間并具有上表面的處理容器； 設置于所述處理空間內的載置臺； 上部電極，以與所述載置臺對置的方式設置于該載置臺的上方； 加熱器，加熱所述上部電極，設置于所述上部電極的周圍且所述上表面的下方；和 搭載于所述上表面的隔熱部件， 所述隔熱部件包括板狀部和設置于該板狀部的一方的主面側的隔...

【專利技術屬性】
技術研發人員：小林敦，三浦和幸，安室章，
申請(專利權)人：東京毅力科創株式會社，
類型：發明
國別省市：