硅片的制絨酸洗的方法技術

本發明專利技術公開了一種硅片的制絨酸洗的方法。該方法包括使硅片依次經過下述步驟處理：預清洗、第一次水洗、堿制絨、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。應用本發明專利技術的技術方案，硅片的制絨酸洗的方法只需添加一個酸槽，采用兩步酸洗工藝，就可以有效的提高酸槽的使用壽命，并且能夠有效地降低由于硅片表面的雜質清除不徹底造成的單晶N型電池的漏電流問題，從而提高硅片的合格率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及太陽能電池制備
，具體而言，涉及ー種。
技術介紹
單晶N型電池由于具有光致零衰減的優點，在各類電池中有著舉足輕重的地位，但其制備エ藝復雜，并且對電池表面的雜質有著嚴格的要求。如圖I所示，現有技術中硅片的制絨酸洗方法通常包括預清洗、第一次水洗、堿制絨、第二次水洗、第一次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。其中，制絨エ序為單晶N型 電池制備的ー個化學エ序。通常是利用堿溶液(KOH/NaOH溶液)對單晶硅(Si)的各向異性腐蝕特性在單晶硅表面生成表面組織化結構，如金字塔結構、倒金字塔結構，從而在Si片表面形成陷光結構，減小娃片表面光的反射。但是娃片經過制絨エ序后表面會含有大量的金屬離子、氧化物、堿殘留等，除去這些雜質尤為重要。目前，制絨后通常通過酸洗エ藝去除上述雜質，而酸洗エ藝大都采用HF/HC1酸洗エ藝，所用HF濃度為5%左右，HCl濃度為8%左右，通過ー步酸溶液清洗同時去除硅片表面的雜質及氧化物。因為，HCl中的氯離子可以除去金屬離子，HF可以還原硅片表面的氧化物。但是，此種方法對氧化層及堿殘留的去除不太徹底，從而影響電池的電性能參數；另外，僅僅進行這ー步酸洗容易引入氯離子，會在后續擴散エ藝中造成影響。
技術實現思路
本專利技術g在提供一種，以解決現有技術中酸洗對氧化層及堿殘留的去除不太徹底的技術問題。為了實現上述目的，根據本專利技術的ー個方面，提供了一種。該方法包括硅片依次經過下述步驟處理預清洗、第一次水洗、堿制絨、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。進ー步地，第一次酸洗包括采用含有8 12wt%HCl和f 2wt%HF的混合酸溶液或含有8 12wt%HCl酸溶液浸泡硅片，浸泡時間為3飛分鐘。進ー步地，混合酸溶液中含有10wt%的HCl和2wt%的HF。進ー步地,第二次酸洗包括采用含有3 5wt%HF的酸溶液浸泡娃片,浸泡時間為3 5分鐘。進ー步地，酸溶液中含有4wt%HF。 進ー步地，預清洗步驟包括將硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5飛分鐘。進ー步地，第一次水洗步驟包括將硅片在30°C的水中清洗3. 5飛分鐘；第二次水洗步驟包括將硅片在30°C的水中清洗6. 5^10分鐘；第三次水洗步驟包括將硅片在30°C的水中清洗3飛分鐘。進ー步地，堿制絨步驟包括將硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%異丙醇的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5飛分鐘。進ー步地，慢提拉步驟中溫度為60°C，時間為3飛分鐘。進ー步地，烘干步驟中溫度為6(T70°C，時間為7 10分鐘。應用本專利技術的技術方案，只需添加一個酸槽，采用兩步酸洗エ藝，就可以有效的提高酸槽的使用壽命，并且能夠有效地降低由于硅片表面的雜質清除不徹底造成的單晶N型電池的漏電流問題，從而提高硅片的合格率。附圖說明說明書附圖用來提供對本專利技術的進ー步理解，構成本專利技術的一部分，本專利技術的示意性實施例及其說明用于解釋本專利技術，并不構成對本專利技術的不當限定。在附圖中 圖I示出了現有技術中硅片的制絨酸洗方法的流程圖；以及圖2示出了根據本專利技術實施例的硅片的制絨酸洗方法的流程圖。具體實施例方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本專利技術中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本專利技術。根據本專利技術ー種典型的實施方式，如圖2所示，包括硅片依次經過下述步驟處理預清洗、第一次水洗、堿制絨、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。應用本專利技術的技術方案，只需添加一個酸槽，采用兩步酸洗エ藝，就可以有效的提高酸槽的使用壽命，并且能夠有效地降低由于硅片表面的雜質清除不徹底造成的單晶N型電池的漏電流問題，從而提高硅片的合格率。根據本專利技術ー種典型的實施方式，第一次酸洗可以采用含有8 12wt%的HCl酸溶液對硅片進行清洗，優選地，包括采用含有8 12wt%的HCl和f 2wt%HF的混合酸溶液浸泡娃片，浸泡時間為3、分鐘。這樣一方面可以對娃片表面的金屬離子進行清洗，另一方可以有效地去除硅片表面的堿殘留和氧化物。優選地，混合酸溶液中含有10wt%的HCl和2wt%HF。第二次酸洗包括采用含有:T5wt%HF的酸溶液浸泡硅片，浸泡時間為Γ5分鐘。這樣可以進ー步清洗掉硅片表面的雜質、氧化物、堿殘留，從而保證硅片表面無任何雜質及殘留，為后續擴散エ序提供潔凈的制絨片。優選地，酸溶液中含有4wt%HF。根據本專利技術ー種典型的實施方式，預清洗步驟包括將硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5飛分鐘。第一次水洗步驟包括將硅片在30°C的水中清洗3. 5飛分鐘；第二次水洗步驟包括將硅片在30°C的水中清洗6. 5 10分鐘；第三次水洗步驟包括將硅片在30°C的水中清洗Γ5分鐘。堿制絨步驟包括將硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%異丙醇的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5飛分鐘。慢提拉步驟中溫度為60°C，時間為3飛分鐘。烘干步驟中溫度為6(T70°C，時間為7 10分鐘。以下通過實施例進ー步說明本專利技術的有益效果。實施例II)預清洗將硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5分鐘；2)第一次水洗將硅片在30°C的水中清洗3. 5分鐘；3)堿制絨將硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%異丙醇的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5分鐘；4)第二次水洗將硅片在30°C的水中清洗6. 5分鐘；5)第一次酸洗采用含有8wt%的HCl和2wt%HF的混合酸溶液浸泡硅片，浸泡時間為3 5分鐘；6)第二次酸洗采用含有3wt%HF的酸溶液浸泡硅片，浸泡時間為5分鐘；7)第三次水洗將硅片在30°C的水中清洗3分鐘； 8)慢提拉溫度為60°C，時間為5分鐘；9)烘干溫度為60°C，時間為7分鐘。硅片合格率95%。實施例2I)預清洗將硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5飛分鐘；2)第一次水洗將硅片在30°C的水中清洗5分鐘；3)堿制絨將硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%異丙醇的溶液中，在58°C的溫度條件下處理5分鐘；4)第二次水洗將硅片在30°C的水中清洗10分鐘；5)第一次酸洗采用含有12wt%的HCl和lwt%HF的混合酸溶液浸泡硅片，浸泡時間為3 5分鐘；6)第二次酸洗采用含有5wt%HF的酸溶液浸泡硅片，浸泡時間為3分鐘；7)第三次水洗將硅片在30°C的水中清洗5分鐘；8)慢提拉溫度為60°C，時間為5分鐘；9)烘干溫度為70°C，時間為10分鐘。硅片合格率94%。實施例3I)預清洗將硅片放入含有I. 4wt%K0H和6. 3wt%H202的溶液中，在58°C的溫度條件下處理4分鐘；2)第一次水洗將硅片在30°C的水中清洗4分鐘；3)堿制絨將硅片放入含有3. 4wt%K0H和4. 5wt%異丙醇的溶液中，在58°C的溫度條件下處理3. 5飛分鐘；4)第二次水洗將硅片在30°C的水中清洗8分鐘；5)第一次酸洗采用含有10wt%的HCl本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種硅片的制絨酸洗的方法，其特征在于，所述硅片依次經過下述步驟處理：預清洗、第一次水洗、堿制絨、第二次水洗、第一次酸洗、第二次酸洗、第三次水洗、慢提拉、以及烘干。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭延嶺，
申請(專利權)人：英利能源中國有限公司，
類型：發明
國別省市：