一種片式陶瓷電容器制造技術(shù)

一種片式陶瓷電容器，包括陶瓷電容芯片、絕緣封裝和與芯片焊接的引腳，所述陶瓷電容芯片與引腳被絕緣模壓封裝，引腳部分暴露在絕緣封裝外，其特征在于：所述暴露在絕緣封裝層外的引腳與絕緣封裝外壁貼合并延伸至陶瓷電容器的頂面或底面。根據(jù)本實(shí)用新型專利技術(shù)提供的片式陶瓷電容器，其克服了現(xiàn)有圓片型或貼片式多層結(jié)構(gòu)陶瓷電容器的問題，將陶瓷電容器制成片式形狀，引腳與外壁貼合，外觀規(guī)整。在使用時(shí)可直接插接在電路板上，耐震性和抗沖擊性大大增強(qiáng)，使用范圍大；而且與貼片式陶瓷電容器相比，有抗氧化功能，耐潮濕，耐沖擊和焊接條件更適合大范圍，提高產(chǎn)品的可靠性。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及電子元件領(lǐng)域，特別涉及一種片式陶瓷電容器。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的陶瓷電容器通常采用圓片型或貼片式多層結(jié)構(gòu)，圓片型陶瓷電容器是傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，在陶瓷芯片上焊接兩根細(xì)長的引腳，表面覆蓋ー層絕緣封裝。安裝吋，將兩條引腳插裝在電路板上的安裝孔上，這種安裝形式不但エ藝性差，而且耐震性和抗沖擊性差，在使用范圍上受到限制。貼片式多層陶瓷電容器由陶瓷薄膜疊加成片狀，兩端覆蓋外電極，他可滿 足表面貼裝生產(chǎn)エ藝的需要且制成小體積的電容器，但其エ藝設(shè)備及技術(shù)較傳統(tǒng)圓片型電容器要復(fù)雜很多，造價(jià)高。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
為了解決上述問題，本技術(shù)提供了一種片式陶瓷電容器。本技術(shù)提供的一種片式陶瓷電容器，包括陶瓷電容芯片、絕緣封裝和與芯片焊接的引腳，所述陶瓷電容芯片與引腳被絕緣封裝模壓封裝，引腳部分暴露在絕緣封裝外，其特征在干所述暴露在絕緣封裝層外的引腳與絕緣封裝外壁貼合并延伸至陶瓷電容器的頂面或底面。進(jìn)ー步的，所述絕緣封裝的外壁上形成有用于容納引腳的凹槽。進(jìn)ー步的，所述引腳為扁平的鐵鎳材料制成。進(jìn)ー步的，所述陶瓷電容芯片至少有兩個(gè)，其電極分別焊接在兩個(gè)金屬框架上，兩金屬框架分別與引腳連接。進(jìn)ー步的，所述絕緣封裝為環(huán)氧樹脂絕緣封裝層。進(jìn)ー步的，所述陶瓷電容器和絕緣封裝層之間設(shè)有ー層硅酮、邦定膠或紅膠的緩沖層。本技術(shù)具有如下有益效果根據(jù)本技術(shù)提供的片式陶瓷電容器，其克服了現(xiàn)有圓片型或貼片式多層結(jié)構(gòu)陶瓷電容器的問題，將陶瓷電容器制成片式形狀，引腳與外壁貼合，外觀規(guī)整。在使用時(shí)可直接插接在電路板上，耐震性和抗沖擊性大大增強(qiáng)，使用范國大；而且與貼片式陶瓷電容器相比，有抗氧化功能，耐潮濕，耐沖擊和焊接條件更適合大范圍，提高產(chǎn)品的可靠性。以下結(jié)合附圖對本技術(shù)作進(jìn)ー步詳細(xì)的說明。圖I為本實(shí)施例片式陶瓷電容器未完全封裝時(shí)的示意圖。圖2為本實(shí)施例片式陶瓷電容器封裝后示意圖的。圖3為本實(shí)施例片式陶瓷電容器的示意圖。具體實(shí)施方式為了更好的理解本技術(shù)的技術(shù)方案，以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本技術(shù)提供的實(shí)施例。參照圖I所示，片式陶瓷電容器包括陶瓷電容芯片I、絕緣封裝2、金屬框3，和緩沖層4。該陶瓷電容器的陶瓷電容芯片I共有十二個(gè)，堆疊為兩層，每層三行兩列平行設(shè)置，所述十二個(gè)陶瓷電容芯片I的兩個(gè)外電極分別焊接在兩個(gè)金屬框3上，兩金屬框3分別與引腳31—體成型，采用扁平的鐵鎳材料制成。絕緣封裝2由環(huán)氧樹脂材料制成，在陶瓷芯片I和絕緣封裝2之間設(shè)有一層由硅酮、邦定膠或紅膠制成的緩沖層4。參照圖2、圖3所示，絕緣封裝2的頂面形成有用于容納引腳的凹槽21，兩條引腳31暴露在絕緣封裝層外的部分與絕緣封裝2外壁貼合并延伸至頂面頂面的凹槽21中。以上所述，僅為本技術(shù)較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本技術(shù)實(shí)施的 范圍，即依本技術(shù)申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本技術(shù)專利涵蓋的范圍內(nèi)。權(quán)利要求1.一種片式陶瓷電容器，包括陶瓷電容芯片、絕緣封裝和與芯片焊接的引腳，所述陶瓷電容芯片與引腳被絕緣封裝模壓封裝，引腳部分暴露在絕緣封裝外，其特征在于所述暴露在絕緣封裝層外的引腳與絕緣封裝外壁貼合并延伸至陶瓷電容器的頂面或底面。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式陶瓷電容器，其特征在于所述絕緣封裝的外壁上形成有用于容納引腳的凹槽。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的片式陶瓷電容器，其特征在于所述引腳為扁平的鐵鎳材料制成。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式陶瓷電容器，其特征在于所述陶瓷電容芯片至少有兩個(gè)，其電極分別焊接在兩個(gè)金屬框架上，兩金屬框架分別與引腳連接。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式陶瓷電容器，其特征在于所述絕緣封裝為環(huán)氧樹脂絕緣封裝層。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式陶瓷電容器，其特征在于所述陶瓷電容器和絕緣封裝層之間設(shè)有ー層硅酮、邦定膠或紅膠的緩沖層。專利摘要一種片式陶瓷電容器，包括陶瓷電容芯片、絕緣封裝和與芯片焊接的引腳，所述陶瓷電容芯片與引腳被絕緣模壓封裝，引腳部分暴露在絕緣封裝外，其特征在于所述暴露在絕緣封裝層外的引腳與絕緣封裝外壁貼合并延伸至陶瓷電容器的頂面或底面。根據(jù)本技術(shù)提供的片式陶瓷電容器，其克服了現(xiàn)有圓片型或貼片式多層結(jié)構(gòu)陶瓷電容器的問題，將陶瓷電容器制成片式形狀，引腳與外壁貼合，外觀規(guī)整。在使用時(shí)可直接插接在電路板上，耐震性和抗沖擊性大大增強(qiáng)，使用范圍大；而且與貼片式陶瓷電容器相比，有抗氧化功能，耐潮濕，耐沖擊和焊接條件更適合大范圍，提高產(chǎn)品的可靠性。文檔編號H01G4/224GK202633056SQ201220161740公開日2012年12月26日 申請日期2012年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月17日專利技術(shù)者雷財(cái)萬 申請人:福建火炬電子科技股份有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種片式陶瓷電容器，包括陶瓷電容芯片、絕緣封裝和與芯片焊接的引腳，所述陶瓷電容芯片與引腳被絕緣封裝模壓封裝，引腳部分暴露在絕緣封裝外，其特征在于：所述暴露在絕緣封裝層外的引腳與絕緣封裝外壁貼合并延伸至陶瓷電容器的頂面或底面。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：雷財(cái)萬，
申請(專利權(quán))人：福建火炬電子科技股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：