【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種簡單制備有序V形納米硅孔陣列的方法，包括如下步驟：步驟1，在硅襯底上沉積二氧化硅掩膜層；步驟2，在所述二氧化硅掩膜層之上旋涂光刻膠，制備周期性納米光刻膠點陣圖形；步驟3，采用干法刻蝕技術將該光刻膠點陣圖形轉移至二氧化硅掩膜層，同時在刻蝕過后的硅層上留下可充當刻蝕掩膜作用的氟碳基有機聚合物層；步驟4，將步驟3得到的襯底放入腐蝕液進行腐蝕，得到有序V形納米硅孔陣列襯底；步驟5，利用氫氟酸溶液去除襯底上殘留的二氧化硅，采用干法刻蝕技術去除氟碳基有機聚合物層，得到清潔的有序V形納米硅孔陣列襯底。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：戴隆貴，丁芃，陳弘，賈海強，王文新，
申請(專利權)人：中國科學院物理研究所，
類型：發明
國別省市：
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