本發明專利技術公開了一種用于碲鎘汞薄膜電學性能測試的電極處理方法，包括：將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到186～210攝氏度，使用助焊劑將純度為99.999％以上的銦焊接到銀絲引線的一端，形成銦球；去除銦球表面附著的助焊劑；將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到165～185攝氏度，將帶有銀絲引線的銦球焊接到經過碲鎘汞薄膜片邊緣上，制成測試電極。本發明專利技術有效地解決了傳統的焊接方法經常會出現的測試中低溫下電極斷開、重復制備測試電極、碲鎘汞薄膜表面銦的沾污面積增大、測試中歐姆接觸不好、多次重復測試、測試后銦球不易去除等問題，且大大提高了電學性能測試中的測試結果的準確性和工作效率，提高了碲鎘汞薄膜片的使用面積，降低了成本。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及紅外探測器的碲鎘汞(HghCdxTe)薄膜
，尤其涉及。
技術介紹
碲鎘汞(HghCdxTe)三元合金化合物是ー種理想的用于制作紅外探測器的重要半導體材料，由于其禁帶寬度隨組分的變化可以從零連續増大到I. 6eV,因此可用來制作幾乎覆蓋整個紅外區域的各種響應波段的紅外探測器，尤其是1-3 μ m、3-5 μ m和8_14 μ m的紅外探測器，在預警探測、情報偵察、資源衛星以及氣象衛星、農牧業、地震、火控、制導，太空 天文探測等領域已得到廣泛應用并具有更廣闊的潛在應用前景，目前碲鎘汞材料是第三代紅外焦平面探測器發展的重點和熱點。對于碲鎘汞紅外探測器，材料的電學性能指標是直接決定探測器性能的重要參數。碲鎘汞紅外探測器材料的發展已有多年的歷史，霍爾測試一直是獲得碲鎘汞材料電學參數的常規檢測手段。由于紅外器件對材料的電學參數有嚴格的要求，通過霍爾測試可以獲得電學性能數據，以此來優化工藝并調整エ藝參數。碲鎘汞材料的電學性能數據包括載流子濃度、遷移率和導電類型等。遷移率是衡量半導體材料導電性能的重要參數，它決定著半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。同時載流子濃度和導電類型也是制備器件的重要參數。由于對紅外焦平面探測器的碲鎘汞薄膜片進行電學性能測試時，需要通過在碲鎘汞薄膜片的邊緣處焊接銦來制作測試電扱，采用現有制作測試電極的方法不能取得很好的銦的焊接效果，經常會出現測試中低溫下電極斷開、重復制備測試電極、測試中I-V(電流-電壓)特性曲線線性系數與I偏差大即反映出歐姆接觸不好、多次重復測試嚴重影響測試過程，另外，還會導致電學性能測試完成后銦球不易去除即測試電極不易去除、碲鎘汞薄膜表面銦的沾污面積増大等問題，不僅嚴重影響測量結果，降低了工作效率，而且碲鎘汞薄膜片的使用面積下降，増加了成本。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是，提供，克服現有的測試電極制作方法導致的上述缺陷，提高測試效率、減小影響測試的不利因素。本專利技術采用的技術方案是，所述用于碲鎘汞薄膜電學性能測試的電極處理方法，包括步驟一，將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到186 210攝氏度，使用助焊劑將純度為99. 999%以上的銦焊接到銀絲引線的一端，形成銦球；所述鋁質烙鐵頭的純度為95%以上；步驟ニ，去除銦球表面附著的助焊劑；步驟三，將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到165 185攝氏度，將帶有銀絲引線的銦球焊接到碲鎘汞薄膜片邊緣上，制成測試電扱。進ー步的，該方法還包括步驟四，利用碲鎘汞薄膜片上的測試電極完成電學性能測試后，采用氣槍從碲鎘汞薄膜片的中心到邊緣吹氣，隨即將測試電極從碲鎘汞薄膜片上拉開；所述氣槍中使用的氣體可以為氮氣和惰性氣體。進ー步的，所述助焊劑為丙三醇和去離子水的混合物，其中，丙三醇和去離子水的體積比范圍為(4. 5 11) I。 進ー步的，所述銦球的直徑范圍為O. 05 O. 3毫米。進ー步的，所述步驟ニ具體包括將所述銦球在無水こ醇中浸泡然后干燥以去除銦球表面附著的助焊劑。進ー步的，所述步驟三中，將帶有銀絲引線的銦球焊接到經過溴甲醇溶液腐蝕過的碲鎘汞薄膜片邊緣上，制成測試電扱；所述溴甲醇溶液由溴和甲醇混合組成，其中，溴與甲醇的體積比范圍為(O. I O. 5) 100。進ー步的，當碲鎘汞薄膜片呈正方形或菱形、且測試電極位于所述碲鎘汞薄膜片的四個角時，步驟四具體包括用氣槍沿著與碲鎘汞薄膜片表面呈30 60度夾角、由碲鎘汞薄膜片的中心向一邊的邊緣吹氣，吹氣時長為t時將所述邊上的兩個測試電極從碲鎘汞薄膜片上拉開；所述時長t的范圍5 20秒；然后，用氣槍沿著與碲鎘汞薄膜片表面呈30 60度夾角、由碲鎘汞薄膜片的中心向另ー邊的邊緣吹氣，吹氣時長為(1/3 2/3) t時將所述另ー邊上的兩個測試電極從碲鎘汞薄膜片上拉開。進ー步的，所述氣槍的口徑范圍為O. 2 O. 4毫米，壓カ范圍為O. 2 O. 6兆帕。采用上述技術方案，本專利技術至少具有下列優點本專利技術有效地解決了傳統的焊接方法經常會出現的測試中低溫下電極斷開、重復制備測試電極、碲鎘汞薄膜表面銦的沾污面積増大、測試中I-V特性曲線線性系數與I偏差大即歐姆接觸不好、多次重復測試、測試后銦球不易去除等問題。另外，本專利技術使碲鎘汞薄膜的銦焊接處在后道エ序中仍可正常使用，與未焊接處使用效果無差別，而且還大大提高了電學性能測試中的測試結果的準確性和工作效率，提高了碲鎘汞薄膜片的使用面積，降低了成本。附圖說明圖I為本專利技術所述用于碲鎘汞薄膜電學性能測試的電極處理方法流程圖。具體實施例方式為更進ー步闡述本專利技術為達成預定目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對本專利技術的技術方案進行詳細說明如后。本專利技術的用于碲鎘汞薄膜電學性能測試的電極處理方法，如圖I所示，包括以下具體步驟步驟S101，將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到186 210攝氏度，使用助焊劑將純度為99. 999%以上的銦焊接到銀絲引線的一端，形成銦球。該鋁質烙鐵頭的純度為95%以上。具體的，該助焊劑為丙三醇和去離子水的混合物，其中，丙三醇和去離子水的體積比范圍可以為(4. 5 11) 1，助焊劑的作用是使銦塊在焊接時容易成球。本步驟中形成的銦球的直徑可以為O. 05 O. 3毫米。步驟S102，去除銦球表面附著的助焊劑。具體的，將所述銦球在無水こ醇中浸泡以去除銦球表面附著的助焊劑，通常浸泡的時間為2 6分鐘然后干燥，即可完全去除銦球表面附著的助焊劑了?！げ襟ES103，將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到165 185攝氏度，將帶有銀絲引線的銦球焊接到碲鎘汞薄膜片邊緣上，制成測試電扱。具體的，在將帶有銀絲的銦球焊接到碲鎘汞薄膜片邊緣上之前，如果采用溴甲醇對碲鎘汞薄膜片進行腐蝕處理，那么進行銦球焊接的效果會更好。所述溴甲醇溶液由溴和甲醇混合組成，其中，溴與甲醇的體積比范圍為(O. I O. 5) 100。為了改善測試后銦球不易去除等問題，使碲鎘汞薄膜的銦焊接處在后道エ序中仍可正常使用，與未焊接處使用效果無差別，優選的，該方法還包括步驟S104，利用碲鎘汞薄膜片上的測試電極完成電學性能測試后，采用氣槍從碲鎘汞薄膜片的中心到邊緣吹氣，隨即將測試電極從碲鎘汞薄膜片上拉開?？梢赃x擇的氣槍的口徑為O. 2 O. 4毫米，壓カ為O. 2 O. 6兆帕，當選擇的氣槍口徑越小，則所需的壓カ越大，反之，當選擇的氣槍口徑越大，則所需的壓力越小。所述氣槍中使用的氣體可以為氮氣和惰性氣體，優選的，為純度為99. 999%的氮氣和惰性氣體。具體的，對碲鎘汞薄膜進行霍爾測試即電學性能測試時，通常采用規則形狀的切片，包括正方形或者菱形的碲鎘汞薄膜片，且測試電極位于該碲鎘汞薄膜片的四個角。處于成本的考慮，以氮氣槍為例，步驟S104具體包括用氮氣槍沿著與碲鎘汞薄膜片表面呈30 60度夾角、由碲鎘汞薄膜片的中心向ー邊的邊緣吹氮氣，吹氣時長為t時將所述邊上的兩個測試電極從碲鎘汞薄膜片上拉開。所述時長t = 5 20秒。當選擇的氮氣槍口徑和壓カ越小時，所需的時長就越長，反之，則所需的時長越短。然后，用氮氣槍沿著與碲鎘汞薄膜片表面呈30 60度夾角、由碲鎘汞薄膜片的中心向另ー邊的邊緣吹氮氣，吹氣時長為(1/3 2/3) t時將所述另ー邊上的兩個測試電極從碲鎘汞薄膜片上拉開。基本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種用于碲鎘汞薄膜電學性能測試的電極處理方法，其特征在于，所述方法包括：步驟一，將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到186～210攝氏度，使用助焊劑將純度為99.999％以上的銦焊接到銀絲引線的一端，形成銦球；所述鋁質烙鐵頭的純度為95％以上；步驟二，去除銦球表面附著的助焊劑；步驟三，將鋁質烙鐵頭的烙鐵溫度調節到165～185攝氏度，將帶有銀絲引線的銦球焊接到碲鎘汞薄膜片邊緣上，制成測試電極。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：許秀娟，折偉林，周翠，晉舜國，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發明
國別省市：
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