晶圓邊緣部分的處理方法和裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種使用光刻設(shè)備處理晶圓邊緣部分的方法。所述方法包括：將晶圓放置在支撐板上，檢查放置在支撐板上的晶圓的邊緣部分的光刻膠移除狀態(tài)，及將放置在支撐板上的晶圓的邊緣部分曝露于光。所述檢查光刻膠移除狀態(tài)通過從放置在支撐板上的晶圓捕捉第一圖像和檢查所述第一圖像來執(zhí)行。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

此處揭露的本專利技術(shù)涉及光刻設(shè)備，并由其涉及ー種晶圓邊緣部分的處理方法和裝直(apparatus；ο
技術(shù)介紹
一般的，半導體裝置(device)是經(jīng)過諸如如下エ藝的制造品用于在晶圓上形成層的沉積エ藝；用于平坦化該層的化學機械拋光エ藝；用于在該層上形成光刻膠圖案的光刻エ藝；用于通過使用該光刻膠圖案使該層形成為具有電學特性的圖案的刻蝕エ藝；用于在晶圓的預定區(qū)域中注入離子的離子注入エ藝；用于從晶圓上移除污染物的清洗エ藝；及用于檢查形成有層或圖案的晶圓表面、或者層的組成或濃度的檢查エ藝。執(zhí)行光刻エ藝以在由硅形成的半導體晶圓上形成光刻膠圖案。光刻エ藝包括用于在晶圓上形成光刻膠層的涂層和軟烤エ藝；用于使該光刻膠層形成為光刻膠圖案的曝光和顯影エ藝；用于移除光刻膠層或圖案的邊緣部分的邊緣光刻膠去除(EBR)エ藝和晶圓邊緣曝光(EEW);及用于穩(wěn)定和密化光刻膠圖案的硬烘エ藝。執(zhí)行EBRエ藝和EEWエ藝以移除光刻膠層或圖案的邊緣部分，也就是形成在晶圓的邊緣部分上的光刻膠層或圖案的部分，這是因為在稍后使用光刻膠層或圖案的エ藝中分離光刻膠層或圖案時，會產(chǎn)生污染物。但是，在現(xiàn)有的光刻設(shè)備中，EBR或EEWエ藝的進展狀態(tài)不可被估計。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供了晶圓邊緣部分的處理方法和裝置，以檢查邊緣光刻膠移除(EBR)エ藝和晶圓邊緣曝光(EEW)エ藝的結(jié)果。本專利技術(shù)并不限定于上面提及的內(nèi)容，并且本專利技術(shù)通過下面的描述將被本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚的理解。本專利技術(shù)實施例提供了晶圓邊緣部分的處理方法，該方法包括將晶圓放置在支撐板上；檢查放置在所述支撐板上的所述晶圓的邊緣部分的光刻膠移除狀態(tài)；及將放置在所述支撐板上的所述晶圓的所述邊緣部分曝露于光，其中所述檢查光刻膠移除狀態(tài)通過從放置在所述支撐板上的所述晶圓捕捉第一圖像和檢查所述第一圖像來執(zhí)行。在一些實施例中，所述方法可進ー步包括在曝光所述晶圓的所述邊緣部分后，檢查放置在支撐板上的所述晶圓的邊緣曝光狀態(tài)，其中所述檢查邊緣曝光狀態(tài)可通過從放置在所述支撐板上的所述晶圓捕捉第二圖像和檢查所述第二圖像執(zhí)行。在其他實施例中，當放置在所述支撐板上的所述晶圓一度被旋轉(zhuǎn)時，可使用固定到預定位置的成像照相機連續(xù)捕捉所述第一圖像。又在其他實施例中，當放置在所述支撐板上的所述晶圓一度被旋轉(zhuǎn)時，可使用固定到預定位置的成像照相機連續(xù)捕捉所述第一圖像。又在其他實施例中，所述成像照相機可以是能夠通過區(qū)域掃描方法捕捉圖像的面型照相機(area camera)。又在其他實施例中，所述檢測光刻膠移除狀態(tài)可通過使用所述第一圖像檢測粒子和測量光刻膠移除區(qū)域的寬度來執(zhí)行。又在本專利技術(shù)的其他實施例中，提供了晶圓邊緣部分的處理方法，所述方法包括從晶圓的邊緣部分移除光刻膠；檢查所述晶圓的所述邊緣部分的光刻膠移除狀態(tài)；將所述晶圓的所述邊緣部分曝露于光；及檢查所述晶圓的所述邊緣部分的曝光狀態(tài)，其中所述檢測光刻膠移除狀態(tài)、所述邊緣部分的曝光和所述檢查曝光狀態(tài)可使用相同的裝置執(zhí)行。在一些實施例中，所述檢查光刻膠移除狀態(tài)可通過獲得所述晶圓的第一圖像及檢查所述第一圖像來執(zhí)行，以及所述檢查曝光狀態(tài)可通過獲得所述晶圓的第二圖像及檢查所述第二圖像來執(zhí)行。在本專利技術(shù)的其他實施例中，提供了晶圓邊緣部分的處理方法，所述方法包括將晶 圓放置在支撐板上；及檢查放置在所述支撐板上的所述晶圓的邊緣部分的光刻膠移除狀態(tài)，其中所述檢查光刻膠移除狀態(tài)可通過從放置在所述支撐板上的所述晶圓的所述邊緣部分捕捉第一圖像及檢查所述第一圖像來執(zhí)行。在一些實施例中，所述方法可進ー步包括在所述檢查光刻膠移除狀態(tài)后，將放置在所述支撐板上的所述晶圓的所述邊緣部分曝露于光。在其他實施例中，所述方法可進ー步包括在將所述晶圓的所述邊緣部分曝光后，檢查放置在所述支撐板上的所述晶圓的邊緣曝光狀態(tài)。在又一些實施例中，所述檢查邊緣曝光狀態(tài)可通過給放置在所述支撐板上的所述晶圓照相以獲得不同于所述第一圖像的第二圖像及檢查所述第二圖像來執(zhí)行。又在本專利技術(shù)的其他實施例中，提供了用于將晶圓邊緣部分曝露于光的裝置，所述裝置包括用干支撐晶圓的支撐板；用于檢測放置在所述支撐板上的被配置晶圓的偏心距的偏心距檢測裝置；用于從放置在所述支撐板的被配置晶圓的邊緣部分捕捉第一圖像的成像裝置；用于以紫外線輻射所述晶圓的被配置邊緣部分的紫外線輻射裝置；和用于從所述成像裝置接收所述第一圖像以檢測光刻膠移除區(qū)域的寬度的圖像處理裝置。在一些實施例中，當所述晶圓被旋轉(zhuǎn)時，所述成像裝置可間斷地從所述晶圓的邊緣部分捕捉所述第一圖像。在其他一些實施例中，所述偏心距檢測裝置可包括電荷耦合裝置(CXD)，所述成像裝置可包括用于通過區(qū)域掃描方法捕捉圖像的面型照相機。在本專利技術(shù)的進ー步的實施例中，晶圓處理裝置包括包括裝載端口和索引機械手的索引部，所述裝載端ロ用于接收晶圓容納盒子；連接到所述索引部的處理部，所述處理部包括用于施加光刻膠到晶圓的涂層處理部和用于在曝光エ藝后將晶圓顯影的顯影處理部；用于在所述處理部和曝光裝置之間運載晶圓的接ロ部，所述曝光裝置被配置用于對晶圓執(zhí)行曝光工藝；及邊緣曝光単元，所述邊緣曝光単元用于將晶圓的邊緣部分曝露于光及檢查所述晶圓的所述邊緣部分的光刻膠移除狀態(tài)。在一些實施例中，所述邊緣曝光単元可被設(shè)置在所述接ロ部或所述處理部處。在其他實施例中，所述邊緣曝光単元可包括用干支撐晶圓的支撐板；用于檢測放置在所述支撐板上的所述晶圓的偏心距的偏心距檢測裝置；用于從放置在所述支撐板上的所述晶圓的邊緣部分捕捉第一圖像的成像裝置；用于以紫外線輻射所述晶圓的所述邊緣部分的紫外線輻射裝置；和圖像處理裝置，所述圖像處理裝置用于從所述成像裝置接收所述第一圖像以檢測光刻膠移除區(qū)域的寬度。附圖說明附圖被包括在內(nèi)以提供對本專利技術(shù)的進ー步的理解，并被合并在本說明書中及組成本說明書的一部分。附圖示出了本專利技術(shù)的示例性實施方式，結(jié)合說明書一起，用于解釋本專利技術(shù)的原理。在圖中圖I是示出了使用在根據(jù)本專利技術(shù)實施例的晶圓處理方法中的光刻設(shè)備的立體圖；圖2是示出了圖I中的光刻設(shè)備的涂層エ藝部的圖；圖3是示出了圖I中的光刻設(shè)備的顯影エ藝部的圖；圖4是示出了邊緣曝光單元的側(cè)視圖；·圖5是示出了邊緣曝光單元的平面圖；及圖6是用于解釋晶圓邊緣部分曝光方法的流程圖。具體實施例方式現(xiàn)在參考根據(jù)本專利技術(shù)的示例性實施例的附圖解釋用于使用光刻設(shè)備處理晶圓邊緣部分的方法。在圖中，自始至終相同的附圖標記表示相同的元件。此外，關(guān)于公知的功能或構(gòu)造的細節(jié)描述將被排除以免不必要地模糊本專利技術(shù)的主題。(實施例)圖I示出了使用在根據(jù)本專利技術(shù)實施例的晶圓處理方法中的光刻設(shè)備的立體圖。圖2示出了圖I中的光刻設(shè)備的涂層エ藝部的圖，及圖3示出了圖I中的光刻設(shè)備的顯影エ藝部的圖。參考圖I至3，光刻設(shè)備(下面稱為晶圓處理裝置I)包括索引部100、處理部200、接ロ部700和曝光裝置900。該索引部100、處理部200和接ロ部700和曝光裝置900按預定的方向順序布置在一條線上。在晶圓(W)被容納在盒子20中時運載晶圓(W)。盒子20可被密封地閉合。例如，盒子20可以是具有前門的前端開ロ的統(tǒng)一片盒(FOUP)。(索引部)索引部100包括多個裝載端ロ(load ports) 110、索引機器手120和第一緩沖模塊 140。裝載端ロ 110包括臺11本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種晶圓邊緣部分的處理方法，所述方法包括：將晶圓放置在支撐板上；檢查放置在所述支撐板上的所述晶圓的邊緣部分的光刻膠移除狀態(tài)；及將放置在所述支撐板上的所述晶圓的所述邊緣部分曝露于光，其中所述檢查光刻膠移除狀態(tài)通過從放置在所述支撐板上的所述晶圓捕捉第一圖像和檢查所述第一圖像來執(zhí)行。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金德植，申元權(quán)，
申請(專利權(quán))人：細美事有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：