一種發光二極管封裝結構，包括電極、反射杯、發光二極管芯片和封裝層。所述反射杯的中央形成一通孔，所述發光二極管芯片位于該通孔內，并與所述電極電性連接。該封裝層填充于通孔內而將發光二極管芯片封裝于其內部。該封裝層包括與電極連接的一結合部及與結合部連接的一本體部。該結合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結合部于任意位置處的橫截面面積的大小。該本體部從與結合部連接的位置處向遠離結合部的方向逐漸增加。本發明專利技術還涉及一種發光二極管封裝結構的制造方法。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體結構，尤其涉及ー種。
技術介紹
目前發光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結構通常包括ー個反射杯結構，所述反射杯常設于基板的上方，該反射杯的中央設有ー收容該發光二極管于其內的通孔，該通孔內設有封裝層。然而，這種發光二極管封裝結構中，由于制成該反射杯的材料與制成基板的材料之間的附著力通常較小，基板與反射杯之間的結合不緊密而容易形成縫隙，使得水汽和灰塵等雜質容易沿該縫隙進入封裝后的發光二極管封裝結構中，從而造成發光二極管的失效，影響該發光二極管封裝結構的壽命。
技術實現思路
有鑒于此，有必要提供ー種密封性更好的。ー種發光二極管封裝結構，包括電極、反射杯、發光二極管芯片和封裝層。所述反射杯的中央形成一通孔，所述發光二極管芯片位于該通孔內，并與所述電極電性連接。該封裝層填充于通孔內而將發光二極管芯片封裝于其內部。該封裝層包括與電極連接的ー結合部及與結合部連接的一本體部。該結合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結合部于任意位置處的橫截面面積的大小。該本體部從與結合部連接的位置處向遠離結合部的方向逐漸增加。ー種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟 提供兩電極，兩電極相互間隔設置，且相互絕緣，在兩電極上分別形成阻擋結構；在兩電極ー側形成反射杯，所述反射杯的底端與該阻擋結構連接，所述反射杯與所述電極圍設形成一容置空間； 去除所述阻擋結構，在所述反射杯底端于設有所述阻擋結構的部位對應形成凹陷部；將發光二極管芯片設于所述容置空間中，并將發光二極管芯片與所述電極電性連接；在容置空間內形成一封裝層，覆蓋所述發光二極管芯片，所述封裝層同時填滿所述凹陷部。上述發光二極管封裝結構的制造方法中，所述反射杯底部與所述電極接觸的部分形成有凹陷部，所述封裝層填滿所述凹陷部，采用該制造方法所制造的發光二極管封裝結構的封裝層包括與電極連接的結合部及與結合部連接的本體部，該結合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結合部于任意位置處的橫截面面積的大小，從而增大了封裝層與電極的接觸面積。由于封裝層對金屬的附著力大于反射杯對金屬的附著力，更大的接觸面積使得封裝層與電極之間的密封性能進ー步增強，從而使外界的水汽和雜質難以進入到封裝體內部，起到有效的防塵、防水的作用。同時封裝層的本體部從與結合部連接的位置處向遠離結合部的方向逐漸增加，使得發光二極管芯片的光線可順利穿透所述封裝層向外出射。附圖說明圖I是本專利技術第一實施方式提供的ー種發光二極管封裝結構示意圖。圖2至圖8是本專利技術第一實施方式提供的發光二極管封裝結構的制造方法示意圖。圖9是本專利技術第二實施方式提供的ー種發光二極管封裝結構示意圖。圖10是本專利技術第三實施方式提供的ー種發光二極管封裝結構示意圖。圖11是本專利技術第四實施方式提供的ー種發光二極管封裝結構示意圖。 主要元件符號說明權利要求1.一種發光二極管封裝結構，包括電極、反射杯、發光二極管芯片和封裝層，所述反射杯的中央形成一通孔，所述發光二極管芯片位于該通孔內，并與所述電極電性連接，該封裝層填充于通孔內而將發光二極管芯片封裝于其內部，其特征在于，該封裝層包括與電極連接的一結合部及與結合部連接的一本體部，結合部具有一個與電極接觸的接觸面，該結合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結合部任意與接觸面平行的橫截面的面積大小，該本體部從與結合部連接的位置處向遠離結合部的方向逐漸增加。2.如權利要求I所述的發光二極管封裝結構，其特征在于所述結合部的尺寸從靠近電極的方向從下往上逐漸減小。3.如權利要求I所述的發光二極管封裝結構，其特征在于所述通孔包括靠近電極的第一部分及遠離電極的第二部分，該第一部分的尺寸從靠近電極的方向從下往上逐漸減小，該第二部分的尺寸從第一部分的頂端向遠離電極的方向從下往上逐漸增加。4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于所述第一部分的深度小于第二部分的深度。5.如權利要求I至4任一項所述的發光二極管封裝結構，其特征在于還包括一基板，所述反射杯與基板分別位于電極的相對兩側，該基板上設有一絕緣部，所述電極的數量為兩個，每一電極呈薄片狀，分別位于絕緣部的相對兩側。6.如權利要求I至4任一項所述的發光二極管封裝結構，其特征在于還包括一基板，所述反射杯與基板分別位于電極的相對兩側，該基板上設有一絕緣部，所述電極的數量為兩個，每一電極呈U形，分別位于絕緣部的相對兩側。7.如權利要求I至4任一項所述的發光二極管封裝結構，其特征在于所述電極的數量為兩個，每一電極分別呈平板狀，兩電極之間通過一絕緣部連接。8.如權利要求7項所述的發光二極管封裝結構，其特征在于所述絕緣部靠近封裝部的一端的相對兩側與電極接觸的部分之間形成有凹陷部，所述封裝層同時填滿所述凹陷部。9.一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟 提供兩電極，兩電極相互間隔設置，且相互絕緣，在兩電極上分別形成阻擋結構； 在兩電極一側形成反射杯，所述反射杯的底端與該阻擋結構連接，所述反射杯與所述電極圍設形成一容置空間； 去除所述阻擋結構，在所述反射杯底端于設有所述阻擋結構的部位對應形成凹陷部； 將發光二極管芯片設于所述容置空間中，并將發光二極管芯片與所述電極電性連接； 在容置空間內形成一封裝層，覆蓋所述發光二極管芯片，所述封裝層同時填滿所述凹陷部。10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構的制造方法，其特征在于采用化學蝕刻的方法去除所述阻擋結構。全文摘要一種發光二極管封裝結構，包括電極、反射杯、發光二極管芯片和封裝層。所述反射杯的中央形成一通孔，所述發光二極管芯片位于該通孔內，并與所述電極電性連接。該封裝層填充于通孔內而將發光二極管芯片封裝于其內部。該封裝層包括與電極連接的一結合部及與結合部連接的一本體部。該結合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結合部于任意位置處的橫截面面積的大小。該本體部從與結合部連接的位置處向遠離結合部的方向逐漸增加。本專利技術還涉及一種發光二極管封裝結構的制造方法。文檔編號H01L33/48GK102856468SQ20111018176公開日2013年1月2日 申請日期2011年6月30日 優先權日2011年6月30日專利技術者陳濱全, 林新強 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種發光二極管封裝結構，包括電極、反射杯、發光二極管芯片和封裝層，所述反射杯的中央形成一通孔，所述發光二極管芯片位于該通孔內，并與所述電極電性連接，該封裝層填充于通孔內而將發光二極管芯片封裝于其內部，其特征在于，該封裝層包括與電極連接的一結合部及與結合部連接的一本體部，結合部具有一個與電極接觸的接觸面，該結合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結合部任意與接觸面平行的橫截面的面積大小，該本體部從與結合部連接的位置處向遠離結合部的方向逐漸增加。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳濱全，林新強，
申請(專利權)人：展晶科技深圳有限公司，榮創能源科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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