鍍膜室制造技術

本實用新型專利技術提供了一種鍍膜室，包括鍍膜室側壁及由鍍膜室側壁所圍成的鍍膜室腔體，其中，所述鍍膜室側壁由整體的一塊材料經彎折并對唯一的焊縫進行激光焊接而形成。采用本實用新型專利技術的鍍膜室，可以減少鍍膜室的空間，減小漏氣的風險，節(jié)省成本，提高產能。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本技術涉及磁控濺射成膜
，特別涉及一種鍍膜室。
技術介紹
磁控濺射法是在高真空條件下充入適量的氬氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁)之間施加幾百千伏的直流電壓，在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電，使氬氣發(fā)生電離。氬離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面，將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質的靶和控制不同的濺射時間，便可以獲得不同材質和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結合力強、鍍膜 層致密、均勻等優(yōu)點。目前，磁控濺射法已經普遍應用在工業(yè)生產中，例如制備銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池的過程中薄膜的沉積一般需要采用磁控濺射法。目前市場上的鍍膜設備一律采用大體積、大腔體的鍍膜室。鍍膜室腔體間各模塊之間的接縫一律采用電焊或氬弧焊進行焊接。方體鍍膜室的一個面為一個模塊，模塊較多，現(xiàn)有技術中先將大板鋼板按照鍍膜室所要求的規(guī)格進行切割，然后采用電弧焊或氬弧焊將拼合起來的板塊進行焊接，圖I是現(xiàn)有技術的鍍膜室部分焊接結構示意圖，如圖I所示，第一鋼板I和第二鋼板2分別為切割好的鋼板，其分別作為鍍膜室的不同的面，第一鋼板I和第二鋼板2直接具有焊縫3，現(xiàn)有技術中焊縫3采用電弧焊或氬弧焊將第一鋼板I和第二鋼板2拼合起來，圖I僅示出兩個鋼板的焊接結構示意圖，實際中一個鍍膜室中需要多個鋼板采用多個焊縫焊接在一起而形成，不再贅述。多個焊接在一起的鋼板共同圍成鍍膜室腔體的空間。之后，對焊接好的鍍膜室使用拋光機對焊接處進行打磨拋光，拋光后，再使用找漏設備進行找漏或人工進行找漏。圖2所示為現(xiàn)有技術的鍍膜室的剖面結構示意圖，現(xiàn)有技術將銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能薄膜電池片生產線中的鍍膜室腔體的空間設計的相當大，因鍍膜室外殼采用焊接法，增加了漏氣源，降低了真空度。并且由于焊接只能保證鍍膜室板塊之間粘結的牢固性，并不能徹底杜絕漏氣現(xiàn)象，而鍍膜室真空度的要求是相當高的，只要外界進入極少量的空氣，就會對鍍膜室的真空度產生較大影響。現(xiàn)有鍍膜室設備體積大，占用生產車間的空間較大，降低了車間的利用率。由于鍍膜室腔體大，造成抽氣時間長，生產效率低和產量小，抽氣往往要花費數(shù)個小時甚至一天的時間，不能及時投入生產，大大降低了生產效率和產量。另外，由于設備體積大，相關儀器設備不夠精密，特別容易出現(xiàn)問題，少則三五天，多則一個星期就要小修一次；少則幾個星期，多則一個月就要大修次，維修次數(shù)多，不但需要人工量大，而且維修需要更換若干次機器零部件，維修成本相當大。同時真空抽氣時間長，需要耗費大量的電能和用油。由于漏氣源增加真空度降低，勢必會影響產品的質量，比如說膜層成分不純，透光率達不到要求，平整度、均勻性不夠等而影響了產品的質量和性能。傳統(tǒng)設備采用氬弧焊和電弧焊進行焊接，這兩種焊接技術存在如下弊端氬弧焊工作效率低；電弧焊有藥皮，焊接產生的殘渣較多；兩種焊接方式都存在精確度低、滲透性不強的弊端；電弧焊和氬弧焊入熱量無法控制，容易造成鋼板板材變形，導致設備間對接不平衡；這兩種焊接在空間距離及障礙物間無法自由調節(jié)，具有不靈活性等。
技術實現(xiàn)思路
本技術提出一種鍍膜室，其可以減少鍍膜室的空間，減小漏氣的風險，節(jié)省成本，提高產能。本技術所采用的技術方案具體是這樣實現(xiàn)的本技術提供了一種鍍膜室，包括鍍膜室側壁及由鍍膜室側壁所圍成的鍍膜室腔體，其中，所述鍍膜室側壁由整體的一塊材料經彎折并對唯一的焊縫進行激光焊接而形成。優(yōu)選地，所述鍍膜室側壁的材料為鋼板。優(yōu)選地，所述鍍膜室的高度為I. 5米，所述鍍膜室腔體的高度為O. 5米，所述鍍膜室的長度為6米。采用本技術的鍍膜室，可以減少鍍膜室的空間，減小漏氣的風險，節(jié)省成本，擊是倉泛。 附圖說明圖I是現(xiàn)有技術的鍍膜室部分焊接結構示意圖；圖2是現(xiàn)有技術的鍍膜室的剖面結構示意圖；圖3是本技術具體實施例的鍍膜室側壁部分彎折處的結構示意圖；圖4是本技術具體實施例的鍍膜室的剖面結構示意圖；圖5是本技術具體實施例的鍍膜室的形成方法流程圖。具體實施方式為使本技術的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，以下結合附圖對本技術的具體實施方式做詳細的說明，使本技術的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本技術的主旨。下面結合圖3至圖5對本技術的鍍膜室及其形成方法的具體實施例進行詳細說明。本技術的鍍膜室，包括鍍膜室側壁10及由鍍膜室側壁10所圍成的鍍膜室腔體，其中，鍍膜室側壁10由整體的一塊材料經彎折并對唯一的焊縫進行激光焊接而形成。圖3是本技術具體實施例的鍍膜室側壁部分彎折處的結構示意圖，如圖3所示，鍍膜室側壁10為整體的一塊材料，其沿彎折處20彎折后圍成鍍膜室腔體，彎折后，邊緣處僅存在唯一的一個焊縫，對其進行激光焊接而形成封閉的鍍膜室腔體。圖3僅示出部分彎折處的結構示意圖，而本技術中存在多處彎折處20，根據不同的鍍膜室腔體的形狀可以有多種不同的彎折處20。本技術的鍍膜室，優(yōu)選地，鍍膜室側壁10的材料為鋼板，采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和彎折度對鋼板進行彎折。考慮到實際生產的需要，鍍膜室的空間尺寸可以采用如下鍍膜室的高度為I. 5米，鍍膜室腔體的高度為O. 5米，鍍膜室的長度為6米，以應用于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能薄膜電池片生產線中，圖4是本技術具體實施例的鍍膜室的剖面結構示意圖，如圖4所示，其空間比現(xiàn)有技術中的鍍膜室空間減小很多。但本技術并不僅限于此，鍍膜室的實際尺寸可根據實際生產需求作彈性調節(jié)。本技術的鍍膜室不僅可以應用于生產銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能薄膜電池中，還可以應用在生產其他多種薄膜材料的設備中。圖5是本技術具體實施例的鍍膜室的形成方法流程圖，本技術的鍍膜室的形成方法，其包括步驟a.提供一塊整體的材料；b.對該塊整體的材料進行彎折處理；c.對彎折后形成的唯一的焊縫進行激光焊接，圍成鍍膜室腔體。同樣，本技術具體實施例的鍍膜室的形成方法中，多采用的整體的材料為鋼 板。另外，步驟b中采用板材折彎機按照規(guī)定的精度和折彎度對鋼板進行折彎。考慮到實際生產需要，鍍膜室的空間尺寸可以采用如下鍍膜室的高度為I. 5米，鍍膜室腔體的高度為O. 5米，鍍膜室的長度為6米。但本技術并不僅限于此，鍍膜室的實際尺寸可根據實際生產需求作彈性調節(jié)。本技術具體實施例的鍍膜室的形成方法中，優(yōu)選地，在步驟c之后還包括步驟d:對所述鍍膜室進行找漏。本技術具體實施例的鍍膜室的形成方法中，步驟a可以先用切割機切割滿足需要的特定規(guī)格的鋼板以備用，但為了保持鍍膜室應有的強度和支撐力，其外殼尺寸也可以保持與現(xiàn)有技術中的鍍膜室相同的標準。本技術的鍍膜室側壁的因由彎折的鋼板一體形成，杜絕了漏氣源，使得鍍膜室的真空度保持穩(wěn)定。本技術中的接縫處采用激光焊接，使得接縫處平整性、均勻性、相容性及密封性都達到了相當高的水平，從根本上杜絕了漏氣的可能性。本技術的鍍膜室體積小，節(jié)省了生產車間的空間，提升了車間的利用率，增強了車間的整體功用。由于本技術鍍膜室腔體空間小巧緊湊，抽真空時間縮短，提高了生產效率，增加了產量，原來抽氣往往要花費數(shù)個小時甚至一天的時間，本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種鍍膜室，包括鍍膜室側壁及由鍍膜室側壁所圍成的鍍膜室腔體，其特征在于，所述鍍膜室側壁由整體的一塊材料經彎折并對唯一的焊縫進行激光焊接而形成。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：王進東，
申請(專利權)人：江蘇宇天港玻新材料有限公司，
類型：實用新型
國別省市：