本發明專利技術涉及一種O.J二極管生產工藝，其創新點在于所述步驟為：在硅片鍍鎳后涂覆光阻膠；在硅片的N+面光刻圖形；利用硅片N+面的圖形作為劃片下刀參考線進行劃片；對劃片后的芯片臺面進行酸腐蝕；去除表面的光阻膠再次鍍鎳；然后經焊接、堿洗、梳條以及其他常規工序完成二極管制作。對光阻膠保護的芯片進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷；在酸腐蝕后去除光阻膠進行焊接，焊接后進行堿洗，避免了酸洗時焊料、引線中的金屬物質與酸反應影響芯片腐蝕速率；省去大量清洗的過程，節約了資源。同時，由于沒有金屬離子吸附在芯片表面，避免產品的電性衰降和高溫下發生熱擊穿等故障，電性良率較傳統的96%提高至98%。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種ニ極管生產エ藝，特別涉及ー種O. J ニ極管生產エ藝。
技術介紹
傳統的PN結裸露ニ極管(Open Junction,簡稱O. J芯片)采用芯片(主要成份硅)，焊料(主要成份鉛、錫、銀)和引線(主要成份銅)進行高溫焊接，再對芯片表面的酸洗處理。在酸洗過程中，焊料和引線中的金屬物質會混合酸發生反應，影響芯片腐蝕速率。另夕卜，這些金屬與酸反應生成的金屬離子(或原子)會以化學鍵的方式附著在芯片表面，后エ序需要使用大量的純水和化學試劑進行清洗。這樣的清洗不但消耗了大量的資源，并且對附著在芯片表面的銅原子無法徹底清洗。銅原子附著在芯片的表面，會導致產品的電性衰降和高溫下發生熱擊穿等故障，這也是O. J ニ極管的最大品質“瓶頸”。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提供一種能夠將芯片腐蝕帶來的雜質污染降到最低，并且很大程度的降低清洗成本O. J ニ極管生產エ藝。為解決上述技術問題，本專利技術的技術方案為ー種O. J ニ極管生產エ藝，其創新點在于所述步驟為在硅片P+、N+面完成鍍鎳后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻膠；在硅片的N+面光刻圖形，通過曝光和顯影，圖形間間隙處光阻膠被去除；劃片，利用硅片N+面的圖形間間隙作為劃片下刀參考線進行劃片；對劃片后的芯片臺面進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷，由于光刻圖形作用使芯片臺面形成正斜角結構；去除表面的光阻膠，并再次鍍鎳；將芯片的N+面和P+面分別通過焊料焊接引線；然后經堿洗、梳條后進行上肢、膠固化，再經模壓、后固化、電鍍，最后經測試合格后印字、包裝。進ー步的，所述圖形間間距為O. Γ0. 3mm。本專利技術的優點在干對光阻膠保護的芯片進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷，同時，臺面形成正斜角結構；在酸腐蝕后去除光阻膠進行焊接，焊接后進行堿洗，避免了酸洗時焊料、引線中的金屬物質與酸反應影響芯片腐蝕速率；避免金屬與酸反應生成的金屬離子(或原子)會以化學鍵的方式附著在芯片表面，省去大量清洗的過程，節約了資源。同吋，由于沒有金屬離子吸附在芯片表面，避免產品的電性衰降和高溫下發生熱擊穿等故障，電性良率較傳統的96%提高至98%。附圖說明圖I為本專利技術中OJ ニ極管結構示意圖。圖2為本專利技術涂覆光阻膠示意圖。圖3為本專利技術中光刻示意圖。圖4為本專利技術中劃片示意圖。圖5為本專利技術中酸腐蝕后狀態圖。圖6為本專利技術中去除光阻膠并再次鍍鎳狀態圖。圖7為本專利技術中焊接后狀態圖。圖8為本專利技術上膠示意圖。圖9為本專利技術模壓示意圖。具體實施例方式圖I示出了 O. Jニ極管的結構示意圖，其包括芯片1，芯片I的兩端通過焊料2焊接引線，靠近芯片P+—端的引線為平頭引線3-2，而與芯片N+面連接的引線為錐頭引線3-1，在芯片I和引線端部外上膠4，將芯片I和引線外封裝環氧樹脂5，引線外設電鍍層6。本專利技術中制造上述結構的O. J ニ極管關鍵エ藝步驟如下 涂覆光阻膠如圖2所示，在硅片P+、N+面完成鍍鎳后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻膠7，以便在腐蝕過程中保護電極表面，光阻膠厚度10(T300Um。光刻如圖3所示，N+面光刻圖形，圖形間間隙處光阻膠被去除，圖形間間距O.1^0. 3mm。劃片如圖4所示，利用硅片N+面的圖形作為劃片下刀參考線，從相鄰圖形之間的間隙下刀劃片分割成芯片，劃片道寬度約50um。酸腐蝕如圖5所示，在光阻膠的保護下對芯片臺面進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷，由于光刻圖形作用使芯片臺面形成正斜角結構。采用HN03-HF-HAC混合酸(按照一定比例混合)，腐蝕時間l(Tl5min，酸溫控制在(Γ5度。去除光阻膠如圖6所示，使用10(Γ110度的濃硫酸，浸泡10分鐘后清洗并烘干，烘烤溫度/時間120度/30分鐘。再次鍍鎳用鎳組和氨水按照一定比例配制鍍鎳溶液，將芯片放入溶液，浸泡10分鐘，修補光阻膠對原有鎳層的損傷。焊接如圖7所示，將芯片的N+面和P+面分別通過焊料焊接引線；與芯片N+面連接的引線為錐頭引線，而與芯片P+面連接的引線為平頭引線。隧道焊接爐，峰值溫度360 390度，300度以上時間:12 17min。堿洗芯片與引線焊接后采用堿洗，避免銅附著現象產生。堿液為2%的NaOH溶液，溶液溫度60 90度，腐蝕時間8 12分鐘。梳條在將堿洗后模板上的ニ極管半成品轉移到后道エ序的模條上，完成梳條。如圖8、9所示，再依次經上膠、膠固化、模壓成型、后固化、電鍍制成成品，其為常規步驟，在此不再累述。測試對ニ極管成品進行檢測 a.電性良率<98% ；比原エ藝96%提高了 2個百分點； b.高溫漏電流<10uA； (125。。/100%VR)； c.高溫反偏滿足125°C /80%VR/1000H ； d.滿足JEDEC JESD22 和 MIL-STD-883 相關標準。經測試合格后印字、包裝、出貨。權利要求1.ー種O. J ニ極管生產エ藝，其特征在于所述步驟為在硅片P+、N+面完成鍍鎳后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻膠；在硅片的N+面光刻圖形，通過曝光和顯影，圖形間間隙處光阻膠被去除；劃片，利用硅片N+面的圖形間間隙作為劃片下刀參考線進行劃片；對劃片后的芯片臺面進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷，由于光刻圖形作用使芯片臺面形成正斜角結構；去除表面的光阻膠，并再次鍍鎳；將芯片的N+面和P+面分別通過焊料焊接引線；然后經堿洗、梳條后進行上膠、膠固化，再經模壓、后固化、電鍍，最后經測試合格后印字、包裝。2.根據權利要求I所述的O.J ニ極管生產エ藝，其特征在于所述圖形間間距為O. 1^0. 3mm。全文摘要本專利技術涉及一種O.J二極管生產工藝，其創新點在于所述步驟為在硅片鍍鎳后涂覆光阻膠；在硅片的N+面光刻圖形；利用硅片N+面的圖形作為劃片下刀參考線進行劃片；對劃片后的芯片臺面進行酸腐蝕；去除表面的光阻膠再次鍍鎳；然后經焊接、堿洗、梳條以及其他常規工序完成二極管制作。對光阻膠保護的芯片進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷；在酸腐蝕后去除光阻膠進行焊接，焊接后進行堿洗，避免了酸洗時焊料、引線中的金屬物質與酸反應影響芯片腐蝕速率；省去大量清洗的過程，節約了資源。同時，由于沒有金屬離子吸附在芯片表面，避免產品的電性衰降和高溫下發生熱擊穿等故障，電性良率較傳統的96%提高至98%。文檔編號H01L21/329GK102867747SQ201210393279公開日2013年1月9日 申請日期2012年10月17日 優先權日2012年10月17日專利技術者趙宇 申請人:如皋市大昌電子有限公司本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種O.J二極管生產工藝，其特征在于所述步驟為：在硅片P+、N+面完成鍍鎳后，再在硅片P+、N+面表面涂覆光阻膠；在硅片的N+面光刻圖形，通過曝光和顯影，圖形間間隙處光阻膠被去除；劃片，利用硅片N+面的圖形間間隙作為劃片下刀參考線進行劃片；對劃片后的芯片臺面進行酸腐蝕，去除劃片過程對芯片造成的損傷，由于光刻圖形作用使芯片臺面形成正斜角結構；去除表面的光阻膠，并再次鍍鎳；將芯片的N+面和P+面分別通過焊料焊接引線；然后經堿洗、梳條后進行上膠、膠固化，再經模壓、后固化、電鍍，最后經測試合格后印字、包裝。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙宇，
申請(專利權)人：如皋市大昌電子有限公司，
類型：發明
國別省市：
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