一種嵌入式微納通道的制備方法技術

本發明專利技術公開了一種制備嵌入式微納通道的方法，涉及微納加工技術，其包括步驟：(1)清理基底；(2)制備橫截面尺寸在納米量級的支撐犧牲層；(3)將步驟(2)中加工好的樣品放置與固定在設備中；(4)圖形觀測，找到支撐犧牲層納米結構所在的位置；(5)在支撐犧牲層上通過離子束輔助沉積技術沉積覆蓋層鎢，得成品。本發明專利技術的制備方法是基于離子束沉積覆蓋層鎢后，支撐犧牲層納米結構消失的現象來制備嵌入式微納通道的方法，工藝靈活、效率高、可控性好。是材料體內的、任意形狀的微納尺寸通道的制作方法。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種制備嵌入式微納通道的方法，其特征在于，包括步驟：(1)對基底進行處理：清洗，或在表面覆蓋導電、絕緣薄膜層；(2)制備支撐犧牲層納米結構：使支撐犧牲層納米結構按照要求分布在基底上；(3)第(2)步所得樣品的放置與固定：(i)若基底是有表面導電層的導電基底，用導電物質從基底背面將其固定在樣品托上；(ii)若基底是有表面絕緣薄膜層的電絕緣基底，將樣品基底固定在樣品托上后，再用導電物質將樣品表面與樣品托電連接；(iii)將固定于樣品托上的樣品，放入掃描電子束/聚焦離子束(SEM/FIB)雙束系統或單束聚焦離子束(FIB)腔體內的樣品臺上；(4)圖形觀測：移動腔體內的樣品臺，用SEM或低束流離子流進行圖形觀測，找到支撐犧牲層納米結構所在的位置；調節樣品臺位置使電子束圖形與離子束圖像重合；(5)制備覆蓋層：a)在支撐犧牲層納米結構上方，采用聚焦離子束化學氣象沉積法，以W(CO)6為前軀體，在基底上方所需位置沉積設定厚度和設定形狀的鎢覆蓋層；b)在覆蓋層鎢沉積完畢后，支持犧牲納米結構消失，在鎢覆蓋層內形成與原有支撐犧牲層納米結構尺寸成一定比例的微納通道，得成品。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：崔阿娟，李無瑕，顧長志，李俊杰，
申請(專利權)人：中國科學院物理研究所，
類型：發明
國別省市：