高導磁率的微晶材料制造技術

本發明專利技術涉及一種高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.44±0.05％、鈮元素所占的質量百分比為7.51±0.03％、銅元素所占的質量百分比為1.67±0.02％、硅元素所占的質量百分比為8.38±0.1％，其導磁率為150000亨利/米，最大導磁率為420000亨利/米，其導磁率與最大導磁率較之前都得到了增加。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種高導磁率的微晶材料。
技術介紹
微晶材料又稱玻璃陶瓷。它是由某些特定配方組成的各種硅酸鹽原料，通過特定的溫度制度或(和)光照(稱光敏)處理受控微晶化而形成的具有特定優異性能的微晶相和殘余硅酸鹽相組成的多相固體材料。目前，市場上有一種具有導磁率的微晶材料，該微晶材料包括鐵、鈮、銅、硅、硼五種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為83. 38%、鈮元素所占的質量百分比為5. 66%、銅元素所占的質量百分比為I. 29%、硅元素所占的質量百分比為7. 7%、硼元素所占的質量百分 比為I. 97%，這種微晶材料的導磁率為100000亨利/米，最大導磁率為300000亨利/米。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種導磁率與最大導磁率都更大的高導磁率的微晶材料。為解決上述問題，本專利技術采用的技術方案是高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82. 44±0. 05%、鈮元素所占的質量百分比為7. 51 ±O. 03%、銅元素所占的質量百分比為I. 67±O. 02%、娃元素所占的質量百分比為 8. 38±0· 1%ο本專利技術的有益效果是上述高導磁率的微晶材料,其導磁率為150000亨利/米，最大導磁率為420000亨利/米，其導磁率與最大導磁率較之前都得到了增加。具體實施例方式下面通過具體實施例對本專利技術高導磁率的微晶材料進一步描述。實施例一高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82. 49%、銀元素所占的質量百分比為7. 49%、銅元素所占的質量百分比為I. 66%、娃元素所占的質量百分比為8. 36%。實施例二 高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82. 39%、銀元素所占的質量百分比為7. 53%、銅元素所占的質量百分比為I. 69%、娃元素所占的質量百分比為8. 39%。實施例三高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82. 47%、銀元素所占的質量百分比為7. 51%、銅元素所占的質量百分比為I. 65%、娃元素所占的質量百分比為8. 37%。權利要求1.高導磁率的微晶材料，其特征在于所述高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82. 44±0. 05%、鈮元素所占的質量百分比為7.51±0. 03 %、銅元素所占的質量百分比為I. 67±O. 02 %、娃元素所占的質量百分比為8.38±0· 1%ο全文摘要本專利技術涉及一種高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.44±0.05％、鈮元素所占的質量百分比為7.51±0.03％、銅元素所占的質量百分比為1.67±0.02％、硅元素所占的質量百分比為8.38±0.1％，其導磁率為150000亨利/米，最大導磁率為420000亨利/米，其導磁率與最大導磁率較之前都得到了增加。文檔編號C03C10/00GK102875024SQ20121039878公開日2013年1月16日 申請日期2012年10月19日 優先權日2012年10月19日專利技術者朱正才 申請人:張家港市清大星源微晶有限公司本文檔來自技高網...

【技術保護點】
高導磁率的微晶材料，其特征在于：所述高導磁率的微晶材料，包括鐵、鈮、銅、硅四種元素，其中鐵元素所占的質量百分比為82.44±0.05％、鈮元素所占的質量百分比為7.51±0.03％、銅元素所占的質量百分比為1.67±0.02％、硅元素所占的質量百分比為8.38±0.1％。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：朱正才，
申請(專利權)人：張家港市清大星源微晶有限公司，
類型：發明
國別省市：