【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種石墨熱場保溫裝置。
技術介紹
切克勞斯基法即CZ直拉單晶法，通過電阻加熱，將石英坩堝中的多晶硅料熔化，并保持略高于硅熔點的溫度，在惰性氣體的保護下，經過引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾、晶體取出等步驟，完成晶體生長。眾所周知，硅的熔點是1420°C，如果是在20寸開放式熱場裝置、投料量105kg，要維持這個溫度，每小時需消耗IOOkw左右的電能。目前世界能源緊張，能源成本所占比重日益增加。如何降低生產能耗，降低生產成本，直接關系到企業的生存大計。因此，人們在CZ直拉單晶法的加熱裝置上，也就是石墨熱場上面做了諸多改進。效果最為明顯的就是增加了熱屏裝置，傳統的熱屏裝置一般為圓筒狀或圓錐狀，由原始的開放式熱場改為封閉式熱場，增加了熱場的保溫效果，降低熱量的損失。其生產能耗由開放式熱場的每小時IOOkw降低至75 70kw/h ;相對開放式熱場,縮小了單晶生長條件下惰性氣體的保護面積，使的保護面積更為集中化，惰性氣體的使用量也降低了 209Γ30% ;改變晶體的縱向溫度梯度，最大生長拉速提高了 0.2mm/min。但是，按照上述結構石墨熱場使用效果還不理想，還有改進的空間，能量的利用率依然低。
技術實現思路
本技術所要解決的技術問題是，針對現有技術的不足，提供一種增加熱場絕熱效果、提高能量利用率的石墨熱場保溫裝置。為解決上述技術問題，本技術的技術方案是一種石墨熱場保溫裝置，包括加熱器、底保溫板、中軸、支撐環，所述的支撐環套在中軸外并設置在底保溫板上，所述的加熱器底部與底保溫板之間形成腔體，所述的腔體內設有套在中軸外的固化碳氈塊。所述的固化碳氈塊設置在支撐環、環...
【技術保護點】
一種石墨熱場保溫裝置，包括加熱器（1）、底保溫板（2）、中軸（3）、支撐環（4），所述的支撐環（4）套在中軸（3）外并設置在底保溫板（2）上，所述的加熱器（1）底部與底保溫板（2）之間形成腔體（6），其特征在于：所述的腔體（6）內設有套在中軸（3）外的固化碳氈塊（5）。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：孫平川，王賢福，楊江華，韓冰，計冰雨，
申請(專利權)人：蕪湖昊陽光能股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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