本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種新型屏蔽電纜，它包括兩根導(dǎo)體，在每根導(dǎo)體外都設(shè)有絕緣層，其厚度為2mm，在所述絕緣層上都設(shè)有識(shí)別帶，在所述絕緣層外設(shè)有承載芯，在所述絕緣層和承載芯外部設(shè)有填充層，在所述填充層外設(shè)有繞包層，在所述繞包層外設(shè)有屏蔽層，在所述屏蔽層外設(shè)有外護(hù)套層。本發(fā)明專利技術(shù)屏蔽效果好，整體產(chǎn)品強(qiáng)度較高，適應(yīng)各種環(huán)境。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種電纜，具體涉及一種屏蔽電纜。
技術(shù)介紹
隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)主動(dòng)脈的電線電纜，其用量和使用范圍越來越大。近幾年來，發(fā)電廠、變電站、冶煉及石油化工等行業(yè)，對(duì)電纜的需求量極大。一般情況下，電磁屏蔽電纜從內(nèi)至外的結(jié)構(gòu)依次為形成內(nèi)導(dǎo)體的芯、包覆在纜芯外表面的絕緣介質(zhì)層、屏蔽層和外護(hù)套。其中，纜芯用來傳輸電信號(hào)，材料以銅或銅鋅合金為主。屏蔽層通常為金屬薄片層，用以屏蔽電磁干擾或無用外部信號(hào)干擾。此類屏蔽層，在生產(chǎn)速度上遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電纜統(tǒng)芯的生產(chǎn)速度，是限制電磁屏蔽電纜量產(chǎn)的主要因素。綜上所述，確有必要提供一種絕緣屏蔽效果好，強(qiáng)度高，可以適應(yīng)各種環(huán)境的電磁 屏蔽電纜。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
專利技術(shù)目的本專利技術(shù)的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種屏蔽效果好，整體產(chǎn)品強(qiáng)度較高，適應(yīng)各種環(huán)境的新型屏蔽電纜。技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)所述的一種新型屏蔽電纜，它包括兩根導(dǎo)體，在每根導(dǎo)體外都設(shè)有絕緣層，其厚度為2mm，在所述絕緣層上都設(shè)有識(shí)別帶，在所述絕緣層外設(shè)有承載芯，在所述絕緣層和承載芯外部設(shè)有填充層，在所述填充層外設(shè)有繞包層，在所述繞包層外設(shè)有屏蔽層，在所述屏蔽層外設(shè)有外護(hù)套層。所述導(dǎo)體為銅導(dǎo)體或鍍錫銅導(dǎo)體。所述屏蔽層為半導(dǎo)電導(dǎo)體屏蔽料屏蔽層。所述填充層為碳化硅復(fù)合材料填充層。所述繞包層為聚酯帶繞包層或無紡布層。所述外護(hù)套層為無鹵低煙阻燃聚烯烴護(hù)套層。有益效果本專利技術(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點(diǎn)是本專利技術(shù)的屏蔽層采用半導(dǎo)電導(dǎo)體屏蔽料屏蔽層，大大提高了屏蔽效果，添加承載芯，大大提高了產(chǎn)品的強(qiáng)度，同時(shí)提高了使用壽命，并且能適用于各種場(chǎng)合。附圖說明圖I是本專利技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。其中I、導(dǎo)體；2、絕緣層；3、識(shí)別帶；4、承載芯；5、填充層；6、繞包層；7、屏蔽層；8、外護(hù)套層具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步的說明。如圖I所示，本專利技術(shù)所述的一種新型屏蔽電纜，它包括兩根導(dǎo)體1，在每根導(dǎo)體I外都設(shè)有絕緣層2，其厚度為2mm，在所述絕緣層2上都設(shè)有識(shí)別帶3，在所述絕緣層2外設(shè)有承載芯4，在所述絕緣層2和承載芯4外部設(shè)有填充層5，在所述填充層5外設(shè)有繞包層6，在所述繞包層6外設(shè)有屏蔽層7，在所述屏蔽層7外設(shè)有外護(hù)套層8 ;所述導(dǎo)體I為銅導(dǎo)體或鍍錫銅導(dǎo)體；所述屏蔽層7為半導(dǎo)電導(dǎo)體屏蔽料屏蔽層；所述填充層5為碳化硅復(fù)合材料填充層；所述繞包層6為聚酯帶繞包層或無紡布層；所述外護(hù)套層8為無鹵低煙阻燃聚烯烴護(hù)套層。本專利技術(shù)的屏蔽層采用半導(dǎo)電導(dǎo)體屏蔽料屏蔽層，大大提高了屏蔽效果，添加承載芯，大大提高了產(chǎn)品的強(qiáng)度，同時(shí)提高了使用壽命，并且能適用于各種場(chǎng)合。本專利技術(shù)提供了一種思路及方法，具體實(shí)現(xiàn)該技術(shù)方案的方法和途徑很多，以上所述僅是本專利技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本
的普通技術(shù) 人員來說，在不脫離本專利技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本專利技術(shù)的保護(hù)范圍，本實(shí)施例中未明確的各組成部分均可用現(xiàn)有技術(shù)加以實(shí)現(xiàn)。權(quán)利要求1.一種新型屏蔽電纜，其特征在于它包括兩根導(dǎo)體(1)，在每根導(dǎo)體(I)外都設(shè)有絕緣層(2 )，其厚度為2mm，在所述絕緣層(2 )上都設(shè)有識(shí)別帶(3 )，在所述絕緣層(2 )外設(shè)有承載芯(4 )，在所述絕緣層(2 )和承載芯(4 )外部設(shè)有填充層(5 )，在所述填充層(5 )外設(shè)有繞包層(6)，在所述繞包層(6)外設(shè)有屏蔽層(7)，在所述屏蔽層(7)外設(shè)有外護(hù)套層(8)。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型屏蔽電纜，其特征在于所述導(dǎo)體(I)為銅導(dǎo)體或鍍錫銅導(dǎo)體。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型屏蔽電纜，其特征在于所述屏蔽層(7)為半導(dǎo)電導(dǎo)體屏蔽料屏蔽層。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型屏蔽電纜，其特征在于所述填充層(5)為碳化硅復(fù)合材料填充層。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型屏蔽電纜，其特征在于所述繞包層(6)為聚酯帶繞包層或無紡布層。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的新型屏蔽電纜，其特征在于所述外護(hù)套層(8)為無鹵低煙阻燃聚烯烴護(hù)套層。全文摘要本專利技術(shù)涉及一種新型屏蔽電纜，它包括兩根導(dǎo)體，在每根導(dǎo)體外都設(shè)有絕緣層，其厚度為2mm，在所述絕緣層上都設(shè)有識(shí)別帶，在所述絕緣層外設(shè)有承載芯，在所述絕緣層和承載芯外部設(shè)有填充層，在所述填充層外設(shè)有繞包層，在所述繞包層外設(shè)有屏蔽層，在所述屏蔽層外設(shè)有外護(hù)套層。本專利技術(shù)屏蔽效果好，整體產(chǎn)品強(qiáng)度較高，適應(yīng)各種環(huán)境。文檔編號(hào)H01B7/18GK102890981SQ20121036424公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日專利技術(shù)者施衛(wèi)南 申請(qǐng)人:江蘇山峰電纜有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種新型屏蔽電纜，其特征在于：它包括兩根導(dǎo)體（1），在每根導(dǎo)體（1）外都設(shè)有絕緣層（2），其厚度為2mm，在所述絕緣層（2）上都設(shè)有識(shí)別帶（3），在所述絕緣層（2）外設(shè)有承載芯（4），在所述絕緣層（2）和承載芯（4）外部設(shè)有填充層（5），在所述填充層（5）外設(shè)有繞包層（6），在所述繞包層（6）外設(shè)有屏蔽層（7），在所述屏蔽層（7）外設(shè)有外護(hù)套層（8）。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：施衛(wèi)南，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：江蘇山峰電纜有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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