晶片封裝體及其制造方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種晶片封裝體及其制造方法，該晶片封裝體包括：一半導(dǎo)體基底，包括一元件區(qū)及一圍繞此元件區(qū)的周邊接墊區(qū)，且此周邊接墊區(qū)上具有一導(dǎo)電墊以及一暴露出此導(dǎo)電墊的導(dǎo)通孔；一保護(hù)層，覆蓋此半導(dǎo)體基底的下表面及此導(dǎo)通孔；一封裝層，設(shè)于此半導(dǎo)體基底的上表面上；以及一間隔層，設(shè)于此封裝層及此半導(dǎo)體基底之間，其中此晶片封裝體具有一由此半導(dǎo)體基底、此保護(hù)層、此封裝層及此間隔層所構(gòu)成的側(cè)表面，且此側(cè)表面具有至少一凹陷部。本發(fā)明專利技術(shù)能夠避免晶片封裝體產(chǎn)生脫層現(xiàn)象。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)有關(guān)于一種晶片封裝體，且特別是有關(guān)于一種改善晶片封裝體各膜層界面間的應(yīng)力關(guān)系的。
技術(shù)介紹
目前業(yè)界針對晶片的封裝已發(fā)展出一種晶圓級封裝技術(shù)，半導(dǎo)體晶圓通常與玻璃基板接合在一起，并在半導(dǎo)體晶圓與玻璃基板之間設(shè)置間隔層。于晶圓級封裝體完成之后，在各晶片之間進(jìn)行切割步驟，以形成晶片封裝體。在現(xiàn)有的晶片封裝體中，半導(dǎo)體基底、保護(hù)層、間隔層與玻璃基板之間為連續(xù)的界面，由于各層的材料不同，膨脹系數(shù)也不同，因此當(dāng)現(xiàn)有的晶片封裝體受到高溫影響之下， 各膜層之間例如保護(hù)層、半導(dǎo)體基底、間隔層與玻璃基板之間的界面處會(huì)產(chǎn)生脫層的現(xiàn)象，使得水氣及空氣進(jìn)入晶片封裝體，導(dǎo)致現(xiàn)有的晶片封裝體發(fā)生電性不良。因此，業(yè)界亟需一種晶片封裝體，其可以克服上述問題，避免晶片封裝體產(chǎn)生脫層現(xiàn)象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種晶片封裝體，包括一半導(dǎo)體基底，包括一元件區(qū)及一圍繞此元件區(qū)的周邊接墊區(qū)，且此周邊接墊區(qū)上具有一導(dǎo)電墊以及一暴露出此導(dǎo)電墊的導(dǎo)通孔；一保護(hù)層，覆蓋此半導(dǎo)體基底的下表面及此導(dǎo)通孔；一封裝層，設(shè)于此半導(dǎo)體基底的上表面上；以及一間隔層，設(shè)于此封裝層及此半導(dǎo)體基底之間，其中此晶片封裝體具有一由此半導(dǎo)體基底、此保護(hù)層、此封裝層及此間隔層所構(gòu)成的側(cè)表面，且此側(cè)表面具有至少一凹陷部。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該至少一凹陷部包括一位于該封裝層的凹陷部。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該位于該封裝層的凹陷部還延伸至該間隔層。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該位于該封裝層的凹陷部的凹陷深度不超過該周邊接墊區(qū)。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該至少一凹陷部包括一位于該保護(hù)層的凹陷部。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該至少一凹陷部包括二個(gè)以上選自位于該封裝層、該間隔層及該保護(hù)層的凹陷部。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該二個(gè)以上選自位于該封裝層、該間隔層及該保護(hù)層的凹陷部具有不同的凹陷深度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，該二個(gè)以上選自位于該封裝層、該間隔層及該保護(hù)層的凹陷部具有相同的凹陷深度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，還包括一絕緣層，設(shè)于該導(dǎo)通孔的側(cè)壁及該半導(dǎo)體基底的下表面上；一導(dǎo)線層，設(shè)于該絕緣層及該保護(hù)層之間，且延伸至該導(dǎo)通孔的底部，與所述導(dǎo)電墊電性連接；及一導(dǎo)電凸塊，設(shè)于該保護(hù)層中，與該導(dǎo)線層電性連接，且具有暴露于該保護(hù)層外的至少一部分。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體，還包括一形成于該封裝層與該半導(dǎo)體基底的該元件區(qū)之間的間隙，且該間隙被該間隔層所圍繞。本專利技術(shù)亦提供一種晶片封裝體的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體晶圓，其包括多個(gè)元件區(qū)及多個(gè)圍繞所述元件區(qū)的周邊接墊區(qū)，其中每一周邊接墊區(qū)上具有一導(dǎo)電墊及一暴露出此導(dǎo)電墊的導(dǎo)通孔，且任兩相鄰的此周邊接墊區(qū)之間包括一切割道；一封裝層，通過一間隔層與此半導(dǎo)體晶圓的上表面接合；一保護(hù)層，覆蓋此半導(dǎo)體晶圓的下表面及此導(dǎo)通孔；沿著此切割道至少移除一部分的此封裝層，使此封裝層具有一第一寬度的凹陷；以及沿著此切割道以一第二寬度分割此半導(dǎo)體晶圓，形成多個(gè)晶片封裝體，其中此第一寬度不同于此第二寬度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該第一寬度大于該第二寬度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該第一寬度小于該第二寬度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，沿著該切割道至少移除一部分的該封裝層 包括以切割刀、激光、濕式蝕刻或干式蝕刻移除。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，沿著該切割道至少移除一部分的該封裝層還包括移除一部分的該間隔層。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該半導(dǎo)體晶圓還包括一絕緣層，位于該導(dǎo)通孔的側(cè)壁及該半導(dǎo)體晶圓的下表面上；及一導(dǎo)線層，位于該絕緣層及該保護(hù)層之間，且延伸至該導(dǎo)通孔的底部，與該導(dǎo)電墊電性連接。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，還包括在該保護(hù)層中形成一開口，以暴露出部分的該導(dǎo)線層，及在該開口中形成一導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)線層電性連接。本專利技術(shù)還提供另一種晶片封裝體的制造方法，包括提供一半導(dǎo)體晶圓，其包括多個(gè)元件區(qū)及多個(gè)圍繞所述元件區(qū)的周邊接墊區(qū)，其中每一周邊接墊區(qū)上具有一導(dǎo)電墊及一暴露出此導(dǎo)電墊的導(dǎo)通孔，且任兩相鄰的此周邊接墊區(qū)之間包括一切割道；一封裝層，通過一間隔層與此半導(dǎo)體晶圓的上表面接合；一保護(hù)層，覆蓋此半導(dǎo)體晶圓的下表面及此導(dǎo)通孔；去除部分位于此切割道的此保護(hù)層，以形成一具有第一寬度的凹陷，以及沿著此切割道分割此半導(dǎo)體晶圓，形成多個(gè)晶片封裝體。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該保護(hù)層包括感光絕緣材料。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，在由該保護(hù)層中形成該具有第一寬度的凹陷的步驟包括曝光及顯影制程。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，還包括由該保護(hù)層形成該凹陷之前，至少移除一部分的該封裝層，使該封裝層具有一第三寬度的凹陷。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，沿著該切割道至少移除一部分的該封裝層包括以切割刀、激光、濕式蝕刻或干式蝕刻移除。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該第一寬度不同于該第三寬度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該第一寬度等于該第三寬度。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該半導(dǎo)體晶圓還包括一絕緣層，設(shè)于該導(dǎo)通孔的側(cè)壁及該半導(dǎo)體晶圓的下表面上；及一導(dǎo)線層，設(shè)于該絕緣層及該保護(hù)層之間，且延伸至該導(dǎo)通孔的底部，與該導(dǎo)電墊電性連接。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，還包括在該保護(hù)層中形成一開口，以暴露出部分的該導(dǎo)線層，及在該開口中形成一導(dǎo)電凸塊，該導(dǎo)電凸塊與該導(dǎo)線層電性連接。本專利技術(shù)所述的晶片封裝體的制造方法，該具有第一寬度的凹陷與該開口同時(shí)形成。本專利技術(shù)能夠避免晶片封裝體產(chǎn)生脫層現(xiàn)象。 附圖說明圖IA至圖II顯示本專利技術(shù)一實(shí)施例，形成晶片封裝體的一系列剖面圖。圖2A至圖2B顯示本專利技術(shù)另一實(shí)施例，形成晶片封裝體的一系列剖面圖。圖3A至圖3B顯示本專利技術(shù)又一實(shí)施例，形成晶片封裝體的一系列剖面圖。圖4A至圖4C顯示本專利技術(shù)又另一實(shí)施例，形成晶片封裝體的一系列剖面圖。附圖中符號的簡單說明如下100、200、300、400 :半導(dǎo)體晶圓；100A :元件區(qū)；100B :周邊接墊區(qū)；101 :半導(dǎo)體晶圓上表面；102 :半導(dǎo)體晶圓下表面；103 :層間介電層；104 :導(dǎo)電墊；106 :密封環(huán)；108、408 間隔層材料;110、410 :間隔層；118 :導(dǎo)通孔；120 :絕緣層；122 :導(dǎo)線層；124 :保護(hù)層；126 開口 ；128 :導(dǎo)電凸塊；130 :切割線;230、430 :圖案化制程;132、234、332、334、432、436 :凹陷部。具體實(shí)施例方式為讓本專利技術(shù)的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。以下以實(shí)施例并配合圖式詳細(xì)說明本專利技術(shù)，在圖式或說明書描述中，相似或相同的部分使用相同的圖號。且在圖式中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡化或是方便標(biāo)示。再者，圖式中各元件的部分將以描述說明，值得注意的是，圖中未繪出或描述的元件，為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的形式。另外，特定的實(shí)施例僅為揭示本專利技術(shù)使用的特定方式，其并非用以限定本專利技術(shù)。本專利技術(shù)以一制作影像感測元件封裝體(image sensorpackage)的實(shí)施例作為說明。然而，可以了解的是，在本專利技術(shù)的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種晶片封裝體，其特征在于，包括：一半導(dǎo)體基底，包括一元件區(qū)及一圍繞該元件區(qū)的周邊接墊區(qū)，且該周邊接墊區(qū)上具有一導(dǎo)電墊以及一暴露出該導(dǎo)電墊的導(dǎo)通孔；一保護(hù)層，覆蓋該半導(dǎo)體基底的下表面及該導(dǎo)通孔；一封裝層，設(shè)于該半導(dǎo)體基底的上表面上；以及一間隔層，設(shè)于該封裝層及該半導(dǎo)體基底之間；其中該晶片封裝體具有一由該半導(dǎo)體基底、該保護(hù)層、該封裝層及該間隔層所構(gòu)成的側(cè)表面，且該側(cè)表面具有至少一凹陷部。

【技術(shù)特征摘要】
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【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：劉滄宇，張義民，陳姿旻，
申請(專利權(quán))人：精材科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：