蕙蘭雜交育種的方法技術

本發明專利技術公開了一種蕙蘭雜交育種的方法，涉及中國蘭花的育種領域，針對蕙蘭不同的生長階段選擇出適合的培養基組分，以達到最高效的培養效果，節省了成本又提高了成活率，瓶苗的成活率達到94%以上，年生長量達8—10cm，大大降低了產業化生產育苗周期，另外，對于果實采用75%酒精殺毒消菌即可達到很好的效果，污染率低，減少了升汞等其他藥劑對蒴果的藥害作用，操作簡單，有利于環保。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及中國蘭花的育種領域，具體地說是一種。
技術介紹
蕙蘭(Cymbidium faberi)是中國栽培歷史最久和最普及的蘭花之一,為我國二級重點保護野生物種。隨著各國經濟的發展和生活水平的提高，國民對蘭花的需求也日益增加。美國、荷蘭、日本、韓國等國家相繼通過各種技術措施大力發展蘭花產業，培育出觀賞價值高的品種，帶動了經濟增長。我國的蕙蘭主要集中在南方地區，以挖掘野生蘭花資源，并依靠傳統的分株方式進行繁殖；我國北方地區蕙蘭資源少，傳統分株方式繁殖慢，新品種的繁育速度大大落后于其他國家。通過人工雜交以及組織培養的方式可以大大加快蕙蘭繁殖速度，是加快蘭花產業化生產的重要途徑之一。
技術實現思路
為解決上述存在的技術問題，本專利技術提供了一種，根據蕙蘭不同生長階段所需要的生長條件，分階段解決雜交授粉、果實消毒、原球莖誘導、根狀莖增殖、根狀莖分化、生根壯苗、幼苗移栽等技術問題，簡單高效，易于產業化生產。為達到上述目的，本專利技術采用的技術方案如下 本，通過如下步驟實現 (1)雜交授粉選擇開放4-7天的蕙蘭植株作為母本，取當天開花的蕙蘭植株作為父本，取下父本和母本藥帽中的花粉，將父本的花粉放入母本蕊柱先端下側的蕊腔中，將授粉過的花朵唇瓣從基部除去，掛牌注明授粉組合和授粉時間，授粉后遮光75%，24 26°C條件下生長，待人工授粉5 6個月，子房膨大明顯； (2)無菌播種蒴果尚未完全成熟時，將果實從果柄基部剪下，清洗果實表面，陰涼處晾干果實表面水分后，將其放入冰箱低溫冷藏處理2 3天，處理后的果實用75%的酒精進行表面消毒殺菌10分鐘，再用無菌水沖洗3次，取出其種胚播撒在誘導原球莖的培養基上，并將其置于23 27°C下暗培養，種胚開始萌發，所述誘導原球莖的培養基為Bn、I. O I. 5mg/LNAA、l. O 2. O mg/L6_BA、100 150mg/L 椰汁、20 30g/L 蔗糖、6 8g/L瓊脂和I. 5 3g/L活性炭的混合物，PH=5. 5±0. I ; (3)根狀莖增殖將萌發的原球莖轉移到根狀莖增殖培養基中繼續繁殖，所述根狀莖增殖培養基為 MS、0.5 I. 5mg/L ΝΑΑ,Ο. I O. 5mg/L 6-BAU. 5 2.0g/L 蛋白胨、20 30g/L蔗糖、6 8g/L瓊脂和I. 5 3g/L活性炭的混合物，PH=5. 5±0. 1，將處理好的增殖培養基放置在光照1500 20001x、溫度23 27°C、12 14h/d光照的無菌室中培養，根狀莖快速增殖，繼續將增殖后的根狀莖進行幾次繼代培養，得到一定的規模； (4)不定芽誘導將增殖后得到的根狀莖接到分化培養基上，使其分化出不定芽，所述分化培養基為 H、L0 2. 0mg/LNAA,2. O 5. 0mg/L6-BA,20 30g/L 蔗糖、6 8g/L瓊脂和100 120g/L香蕉泥的混合物，PH=5. 5±0. 1，將處理好的分化培養基放置在光照1500 20001x、溫度23 27°C、12 14h/d光照的無菌室中培養； (5)生根壯苗當不定芽高度增長到45cm時將其轉移到生根壯苗培養基中，所述生根壯苗培養基為 1/2MS、0. 5 2.0mg/LNAA、20 30g/L 蔗糖、6 8g/L 瓊脂和 I. 5 3g/L活性炭的混合物，PH=5. 5±0. 1，將處理好的生根壯苗培養基置于光照1500 20001x、溫度23 27°C、12 14h/d光照的無菌室中培養； (6)煉苗移栽當幼苗生長到IOcm以上，根多于3條時，將組培瓶從無菌培養室中取出，封口放置溫室中3 7天，之后將組培瓶打開，讓瓶中的組培苗暴露在空氣中生長2 5天，即可將其從培養瓶中取出移栽，將組培苗取出移栽時，用甲基托布津溶液I. 10% I. 15%浸泡半小時左右，置于營養杯中，用腐殖三年以上的質量比為松針仙土 草炭椰殼麥飯石=15%:15%:15%:25%:30%的混合物作為基質填埋；將幼苗上盆之后，放到溫室大棚中，保證通風、空氣濕度70 80 %、光線1500 20001x的調控，定期噴施抗菌劑咯菌晴、甲基托布津或苯醚甲環唑，預防病蟲害，根據基質的含水量情況來決定噴水量。 優選的，所述的誘導原球莖的培養基為Bn、l. Omg/LNAAU. O mg/L6_BA、100mg/L椰汁、20g/L蔗糖、7g/L瓊脂和2g/L活性炭的混合物，PH=5. 5。優選的，所述根狀莖增殖培養基為MS、I. Omg/L ΝΑΑ、0· 5mg/L 6-BA、I. 5g/L蛋白胨、20g/L蔗糖、7g/L瓊脂和2g/L活性炭的混合物，PH=5. 5。優選的，所述分化培養基為H、I. 0mg/LNAA、4. 0mg/L6_BA、25g/L蔗糖、7g/L瓊脂和100g/L香蕉泥的混合物，PH=5. 5。優選的，所述生根壯苗培養基為1/2MS、I. 0mg/LNAA、30g/L蔗糖、7g/L瓊脂和2g/L活性炭的混合物，PH=5. 5。本專利技術針對蕙蘭不同的生長階段選擇出適合的培養基組分，以達到最高效的培養效果，節省了成本又提高了成活率，瓶苗的成活率達到94%以上，年生長量達8 — 10cm，大大降低了產業化生產育苗周期，另外，對于果實采用75%酒精殺毒消菌即可達到很好的效果，污染率低，減少了升汞等其他藥劑對蒴果的藥害作用，操作簡單，有利于環保。具體實施例方式下面結合具體實施例對本專利技術進行詳細描述 本專利技術所闡述的，通過如下步驟實現 (I)雜交授粉選擇開放4 7天的蕙蘭植株作為母本，取當天開花的蕙蘭植株作為父本，取下父本和母本藥帽中的花粉，將父本的花粉放入母本蕊柱先端下側的蕊腔中。為防止昆蟲的再次授粉，將授粉過的花朵唇瓣從基部除去，掛牌注明授粉組合和授粉時間。授粉后遮光75%，24 26°C條件下生長，待人工授粉5 6個月，子房膨大明顯。(2)無菌播種蒴果尚未完全成熟時，將果實從果柄基部剪下，清洗果實表面，陰涼處晾干果實表面水分后，將其放入冰箱低溫冷藏處理2 3天，處理后的果實用75%的酒精進行表面消毒殺菌10分鐘，再用無菌水沖洗3次，將處理好的果實放入已經滅菌處理帶有濾紙的培養皿中，令果實上面的水分被充分吸收。用高溫滅菌過刀片沿著果實的棱將其縱切，用鑷子將其種胚播撒在誘導原球莖的培養基上。并將其置于23 27°C下暗培養，種胚開始萌發，出現白色的原球莖，繼續培養。所述誘導原球莖的培養基為Bn、l. O I. 5mg/L NAAU. O 2. O mg/L 6-BAU00 150mg/L 椰汁、20 30g/L 蔗糖、6 8g/L 瓊脂和I. 5 3g/L活性炭的混合物，PH=5. 5±0. I。(3)根狀莖增殖出現大量的白色原球莖之后，將萌發的原球莖轉移到根狀莖增殖培養基中繼續繁殖，增大品種規模。所述根狀莖增殖培養基為MS、0. 5 I. 5mg/L NAA,O.I O. 5mg/L 6-BAU. 5 2.0g/L 蛋白胨、20 30g/L蔗糖、6 88/1瓊脂和1.5 3. Og/L活性炭的混合物，PH=5. 5±0. 1，將處理好的增殖培養基放置在光照1500 20001x、溫度23 27°C、12 14h/d光照的無菌室中培養，根狀莖快速增殖，根本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種蕙蘭雜交育種的方法，其特征在于，通過如下步驟實現：（1）雜交授粉：選擇開放4？7天的蕙蘭植株作為母本，取當天開花的蕙蘭植株作為父本，取下父本和母本藥帽中的花粉，將父本的花粉放入母本蕊柱先端下側的蕊腔中，將授粉過的花朵唇瓣從基部除去，掛牌注明授粉組合和授粉時間，授粉后遮光75%，24～26℃條件下生長，待人工授粉5～6個月，子房膨大明顯；（2）無菌播種：蒴果尚未完全成熟時，將果實從果柄基部剪下，清洗果實表面，陰涼處晾干果實表面水分后，將其放入冰箱低溫冷藏處理2～3天，處理后的果實用75%的酒精進行表面消毒殺菌10分鐘，再用無菌水沖洗3次，取出其種胚播撒在誘導原球莖的培養基上，并將其置于23～27℃下暗培養，種胚開始萌發，所述誘導原球莖的培養基為B11、1.0～1.5mg/LNAA、1.0～2.0？mg/L6？BA、100～150mg/L？椰汁、20～30g/L蔗糖、6～8g/L瓊脂和1.5～3g/L活性炭的混合物，PH=5.5±0.1；？（3）根狀莖增殖：將萌發的原球莖轉移到根狀莖增殖培養基中繼續繁殖，所述根狀莖增殖培養基為MS、0.5～1.5mg/L？NAA、0.1～0.5mg/L？6？BA、1.5～2.0g/L蛋白胨、20～30g/L蔗糖、6～8g/L瓊脂和1.5～3g/L活性炭的混合物，PH=5.5±0.1，將處理好的增殖培養基放置在光照1500～2000lx、溫度23～27℃、12～14h/d光照的無菌室中培養，根狀莖快速增殖，繼續將增殖后的根狀莖進行幾次繼代培養，得到一定的規模；（4）不定芽誘導:將增殖后得到的根狀莖接到分化培養基上，使其分化出不定芽，所述分化培養基為H、1.0～2.0mg/LNAA、2.0～5.0mg/L6？BA、20～30g/L蔗糖、6～8g/L瓊脂和100～120g/L香蕉泥的混合物，PH=5.5±0.1，將處理好的分化培養基放置在光照1500～2000lx、溫度23～27℃、12～14h/d光照的無菌室中培養；？（5）生根壯苗：當不定芽高度增長到4～5cm時將其轉移到生根壯苗培養基中，所述生根壯苗培養基為1/2MS、0.5～？2.0mg/LNAA、20～30g/L蔗糖、6～8g/L瓊脂和1.5～3g/L活性炭的混合物，PH=5.5±0.1，將處理好的生根壯苗培養基置于光照1500～2000lx、溫度23～27℃、12～14h/d光照的無菌室中培養；（6）煉苗移栽：當幼苗生長到10cm以上，根多于3條時，將組培瓶從無菌培養室中取出，封口放置溫室中3～7天，之后將組培瓶打開，讓瓶中的組培苗暴露在空氣中生長2～5天，即可將其從培養瓶中取出移栽，將組培苗取出移栽時，用甲基托布津溶液1.10%～1.15%浸泡20～40分鐘,置于營養杯中，用腐殖三年以上的質量比為松針：仙土：草炭：椰殼：麥飯石=15%:15%:15%:25%:30%的混合物作為基質填埋；將幼苗上盆之后，放到溫室大棚中，保證通風、空氣濕度？70～80？%、光線1500～2000lx的調控，定期噴施抗菌劑咯菌晴、甲基托布津或苯醚甲環唑，預防病蟲害，根據基質的含水量情況來決定噴水量。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：王長憲，李承秀，王厚新，王峰，孫忠奎，孫芳，王鄭昊，張林，杜輝，王傳光，
申請(專利權)人：泰安市泰山林業科學研究院，
類型：發明
國別省市：