本發明專利技術提供一種銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法。本發明專利技術提供的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括：(a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置制造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度；(b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；以及(c)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法。尤其涉及利用近紅外分光儀，實時地同時自動分析液晶顯示裝置(LCD)或半導體裝置等的制造工序中的銅膜蝕刻液組合物成份的濃度變化及蝕刻后溶出的銅離子濃度，不僅能夠高效地管理銅膜蝕刻工序，而且能夠縮短銅膜蝕刻工序時間及銅膜蝕刻液組合物再生時間的利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物再生方法。
技術介紹
在半導體裝置中，在基板上形成金屬布線的過程，通常由基于濺射法等的金屬膜形成工序、基于光刻膠涂敷、曝光及顯影的光刻膠圖案形成工序及蝕刻工序構成。作為最近倍受矚目的顯示裝置的液晶顯示(IXD)裝置，最廣泛使用的是TFT-IXD(thin filmtransistor IXD)裝置，而用于設置金屬布線的蝕刻工序在該裝置在制造中對于表現準確 而鮮明的圖像而言極為重要。在用于制造TFT-IXD基板的以往技術的工序中，作為TFT的柵電極和源/漏電極用布線材料，經常使用鋁或鋁合金層，具體而言，多使用鋁-鑰合金。但是，為實現TFT-IXD的大型化，減小RC信號延遲是不可或缺的，為此，把作為電阻低且相對廉價的金屬的諸如銅或銅/鈦合金、銅/鑰合金的銅合金用于形成金屬布線的嘗試十分活躍。若對此進行舉例，可參考韓國公開專利第2010-0040352號。另一方面，隨著LCD裝置的大型化趨勢，用于形成金屬布線的蝕刻液組合物的使用量正在增加，因此，蝕刻液組合物的高效管理及使用成為了優化LCD裝置制造工序的重要課題。蝕刻液組合物用于以既定圖案的光刻膠為掩模，蝕刻基板上涂敷的銅膜，從而形成所需圖案的銅布線。這種蝕刻液組合物在對銅膜進行蝕刻后，重新收集并投入下一銅膜蝕刻工序。如果銅膜蝕刻液組合物的使用次數增加，則蝕刻液組合物內的銅離子含量增多，蝕刻液組合物的成份發生變化。因此，如果蝕刻液組合物的成份組成及銅離子含量超出基準值，則其本身將無法繼續使用，應經過去除蝕刻液組合物內的銅離子雜質并補充銅膜蝕刻液組合物中消耗的成份這樣的蝕刻液組合物再生工序后，重新投入銅膜蝕刻工序。在這種工序中，決定銅膜蝕刻液組合物能否使用的普通方法，是在銅膜蝕刻工序中，目測觀察在基板上是否變花，及/或蝕刻液組合物的顏色變綠的程度，憑經驗判斷銅膜蝕刻液組合物的銅離子污染程度及成份變化程度。但是，利用這種方法，不僅無法在一定規則下科學地管理銅膜蝕刻液組合物，而且存在由于使用壽命耗盡的銅膜蝕刻液組合物而工序不合格率增大、或者在銅膜蝕刻液組合物壽命用盡之前就把銅膜蝕刻液組合物作為廢液進行處理的問題。另外，就銅膜蝕刻液組合物的再生工序而言，為使在再生用成份調整反應器中再生的銅膜蝕刻液組合物的成份組成保持恒定，需要隨時分析銅膜蝕刻液組合物的成份。為進行這種分析，在以往是由作業者直接在反應器中采集樣品實施分析，因此，不僅導致分析時間延長、作業量增加，而且，由于是在長時間的分析后，為了調整成份而再投入所需成份，此時存在的不合理之處在于，根據情況，由于超過反應器的容量，需要把一部分剝離液從反應器排出后，執行成份調整作業。因此，成份調整用反應器的運轉管理不連續，運轉不穩定，不僅導致生產成本上升，而且，準確的成份配比及內容物的準確分析需要耗費大量時間。進而，為分析銅膜蝕刻液組合物的多種成份，不僅需要根據銅膜蝕刻液組合物的構成成份來利用另外的分析儀器，而且，為進行成份的分析，需要另外在生產線上采集試樣。而且，就進行分析而言，還需要調節試樣的濃度或對試樣進行預處理以適合各分析儀器，分析需要30分鐘以上，存在難以進行實時分析的缺點。為克服這種缺點，最近提出了使用在線分析儀器的方法，但目前提出的在線分析儀器一般只是自動進行采樣而已，無法實時獲得對使用中的銅膜蝕刻液組合物或使用后的銅膜蝕刻液組合物進行處理和管理所需的綜合信息，因此，為實現銅膜蝕刻液組合物的壽命管理及壽命用盡銅膜蝕刻液組合物的適宜管理及再生，需要一種能夠實時掌握各成份的組成并應用于工序的方法。另外，利用以往的在線分析方法，無法同時實時地自動分析銅膜蝕刻液組合物成份的濃度變化及蝕刻后溶出的銅離子濃度
技術實現思路
·本專利技術的一個目的是提供一種銅膜蝕刻工序控制方法，實時掌握LCD裝置或半導體裝置的制造工序中銅膜蝕刻液組合物的成份濃度變化及銅離子濃度變化，管理銅膜蝕刻液組合物的壽命。本專利技術的另一目的是提供一種銅膜蝕刻工序控制方法，在確定關于銅膜蝕刻液組合物壽命的基準點的同時，確定作廢液處理的基準，從而能夠提高銅膜蝕刻液組合物的使用效率，并節省LCD裝置或半導體裝置的制造費用。本專利技術的再一目的是提供一種銅膜蝕刻液組合物的再生方法，實時分析銅膜蝕刻液組合物的成份，實時控制向成份調整用再生反應器供應的原料的量和比例，從而能夠獲得期望組成的銅膜蝕刻液組合物。本專利技術的又一目的是提供一種能夠同時實時地分析LCD裝置或半導體裝置的制造工序中使用的銅膜蝕刻液組合物或壽命耗盡的銅膜蝕刻液組合物的多種成份的濃度變化及蝕刻后溶出的銅離子濃度的銅膜蝕刻工序控制方法及銅膜蝕刻液組合物的再生方法。為達成上述目的中的至少某一個目的，本專利技術的一個方面提供一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括(a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置制造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少I種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度；(b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；以及(C)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。所述基準值可以是在4，000 12，OOOcnT1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。所述銅膜蝕刻液組合物可以包括酸、酸的鹽、銨鹽及水，所述酸成份包括在由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少I種以上的化合物，另外，所述酸的鹽可以是所述的酸成份的鹽。所述近紅外分光儀可以使用具有4，000 12，OOOcnT1波長的光源。所述近紅外分光儀可以把檢測探針浸入到存儲有所述銅膜蝕刻液組合物的銅膜蝕刻液組合物存儲槽，測量吸光度，或者，所述近紅外分光儀可以測量流動池的吸光度，所述流動池中流動著從存儲有所述銅膜蝕刻液組合物的銅膜蝕刻液組合物存儲槽移送的銅膜蝕刻液組合物。根據本專利技術的一個方面的銅膜蝕刻工序控制方法中，優選所述(C)步驟由自動控制裝置進行。為達成上述目的中的至少某一個目的，本專利技術的另一方面提供一種利用近紅外分 光儀的銅膜蝕刻液組合物的再生方法，包括成份分析步驟，利用近紅外分光儀，對用于調整銅膜蝕刻液組合物成份的再生反應器內的銅膜蝕刻液組合物的至少I種成份的濃度進行成份分析；成份掌握步驟，把所述成份分析結果與各成份的基準值進行對比，掌握需要的成份；以及供應步驟，把所述需要的成份供應到所述反應器內。所述基準值可以是在4，000 12，OOOcnT1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。當所述銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度超過基準值時，可以廢棄再生反應器內的銅膜蝕刻液組合物。所述銅膜蝕刻液組合物可以包括酸、酸的鹽、銨本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括：(a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置制造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少1種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度；(b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；以及(c)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。
【技術特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00751481.一種利用近紅外分光儀的銅膜蝕刻工序控制方法，包括 (a)步驟，利用近紅外分光儀，同時分析液晶顯示裝置或半導體裝置制造工序中的銅膜蝕刻工序所用的銅膜蝕刻液組合物的至少I種成份的濃度及銅膜蝕刻液組合物中的銅離子濃度； (b)步驟，把所述成份分析結果與基準值進行對比，判別銅膜蝕刻液組合物的壽命；以及 (C)步驟，判別所述銅膜蝕刻液組合物的壽命的結果，在銅膜蝕刻液組合物的壽命耗盡的情況下，更換使用中的銅膜蝕刻液組合物，在銅膜蝕刻液組合物的壽命未耗盡的情況下，把銅膜蝕刻液組合物移送到下一銅膜蝕刻工序。2.根據權利要求I所述的銅膜蝕刻工序控制方法，其特征在于 所述基準值是在4，OOO 12，OOOcm-1波長中的特定波長下的近紅外線吸光度。3.根據權利要求I所述的銅膜蝕刻工序控制方法，其特征在于 所述銅膜蝕刻液組合物包括酸、酸的鹽、銨鹽及水。4.根據權利要求3所述的銅膜蝕刻工序控制方法，其特征在于 所述酸成份包括從由鹽酸、硝酸、醋酸、磷酸、草酸、硫酸、氟酸及氟硼酸(HBF4)組成的組中選擇的至少I種以上的化合物，所述酸的鹽是所述的酸成份的鹽。5.根據權利要求I所述的銅膜蝕刻工序控制方法，其特征在于 所述近紅外分光儀使用具有4，000 12，OOOcnT1波長的光源。6.根據權利要求I所述的銅膜蝕刻工序控制方法，其特征在于 所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：洪振燮，樸慶浩，李期范，
申請(專利權)人：株式會社東進世美肯，
類型：發明
國別省市：
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