提供一種能夠對靶材的濺射面中比以往更廣的面積進行濺射的濺射成膜裝置。由絕緣性的陶瓷形成包圍金屬材料的靶材（211）的濺射面（231）的外周的防附著部件（251）。一邊令磁體裝置（261）在外周磁體（27a1）的外周整體進入濺射面（231）的外周的內側的位置、和外周磁體（27a1）的外周的一部分向濺射面（231）的外周的外側伸出的位置之間移動一邊對靶材（211）進行濺射。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種濺射成膜裝置，特別涉及作為靶材材料使用金屬材料的濺射成膜>J-U ρ α裝直。
技術介紹
近年來，作為在大面積的成膜對象物的表面形成高熔點的金屬薄膜的方法，一般進行濺射法。圖9表示以往的濺射成膜裝置110的內部構成圖。濺射成膜裝置110具有真空槽111和多個濺射部UO1 1204。各濺射部UO1 1204的構造相同，若以符號UO1的濺射部為代表進行說明，則濺射部UO1具有金屬材料的靶材Ul1和背板122i和磁體裝置126”靶材Ul1形成為比背板122i表面的大小更小的平板形狀，以靶材Ul1的外周整體位于比背板122i表面的外周靠內側、背板122i表面的周緣部從靶材Ul1的外周露出的方式重疊并貼合在背板122i表面。磁體裝置126i配置在背板122i的背面側。磁體裝置126i具有在平行于背板122工的磁體固定板127Cl上直線狀地配置的中心磁體1271^、和從中心磁體1271^的周緣部隔開既定距離而環狀地包圍中心磁體1271^的外周磁體127ai。外周磁體127ai與中心磁體127bi以相互不同極性的磁極分別對置于靶材Ul1的背面的方式配置。在磁體裝置1261的背側配置有移動裝置129，磁體裝置1261安裝于移動裝置129。移動裝置129構成為令磁體裝置126i沿平行于靶材Ul1的背面的方向移動。若說明濺射成膜裝置110的整體的構造，則各濺射部UO1 1204的背板122i 1224在真空槽111的內側的壁面上相互分離地排列為一列地配置。各背板UZ1 1224經由絕緣物114而安裝于真空槽111的壁面，與真空槽111電氣地絕緣。在各背板122i 1224的外周的外側，與各背板122i 1224的外周分離地立設金屬制的防附著部件125，與真空槽111電氣地連接。防附著部件125的尖端以覆蓋各背板122! 1224的周緣部的方式朝向靶材Ul1 1214的外周直角地彎曲，將靶材Ul1 1214的表面環狀地包圍。將靶材Ul1 1214表面中在防附著部件125的環的內周露出的部分稱為濺射面。真空槽111的排氣口與真空排氣裝置112連接，將真空槽111內真空排氣。將成膜對象物131載置在成膜對象物保持部132上而運入真空槽111內，令其在與各靶材121i 1214的濺射面分離而對置的位置處靜止。真空槽111的導入口與氣體導入系統113連接，向真空槽111內導入作為濺射氣體的Ar氣體。各背板122i 1224與電源裝置135電氣地連接，如果向鄰接的兩個靶材施加相互相反極性的交流電壓，則成為鄰接的兩個祀材中一方處于正電位時另一方處于負電位的狀態。在鄰接的靶材間產生放電，將各靶材Ul1 1214與成膜對象物131之間的Ar氣體等離子化。或者，也可以各背板UZ1 1224和成膜對象物保持部132與電源裝置135電氣地連接，向各靶材Ul1 1214和成膜對象物131施加相互相反極性的交流電壓，令在各靶材121! 1214與成膜對象物131之間產生放電，令各靶材Ul1 1214與成膜對象物131之間的Ar氣體等離子化。此時，即便是單數的靶材也能夠實施。等離子中的Ar離子被磁體裝置Uei 1264在靶材Ul1 1214上在與背板122相反側的表面所形成的磁場捕捉。在各靶材Ul1 1214處于負電位時，Ar離子與該靶材121! 1214的濺射面撞擊，令金屬材料的粒子彈起。彈起的金屬材料的粒子的一部分附著于成膜對象物131的表面。各祀材Ul1 1214上產生的磁場由于上述的磁體裝置126i 1264的構造而不均一，所以在磁通密度較高的部分處Ar離子集中，與周圍的磁通密度較低的部分相比靶材 更早地削去。為了防止產生這樣地靶材121i 1214被局部地削去的部分(侵蝕)，一邊令磁體裝置Uei 1264移動一邊進行濺射，但如果被磁場捕捉的等離子與電氣地 接地的防附著部件125接觸，則等離子中的離子的電荷通過防附著部件125而流向接地電位，等離子消失，所以需要令外周磁體127 127a4的環的外周整體在位于比濺射面的外周靠內側的范圍內移動。因此，等離子不能到達靶材Wl1 1214的濺射面的外緣部，存在殘留沒有被濺射的非侵蝕區域的問題。專利文獻I :日本特開2008 — 274366號公報。
技術實現思路
本專利技術是為了解決上述現有技術的不良而提出的，其目的在于提供一種濺射成膜裝置，能夠對靶材的濺射面中比以往更廣的面積進行濺射。用于解決課題的手段 為了解決上述課題，本專利技術為一種濺射成膜裝置，具有真空槽、將上述真空槽內真空排氣的真空排氣裝置、向上述真空槽內導入濺射氣體的氣體導入系統、具有在上述真空槽內露出而被濺射的濺射面的靶材、配置于上述靶材的上述濺射面的背側且構成為能夠相對于上述靶材相對地移動的磁體裝置、和對上述靶材施加電壓的電源裝置，上述磁體裝置具有以能夠在上述濺射面產生磁場的朝向設置的中心磁體和在上述中心磁體的周圍以連續的形狀設置的外周磁體，上述中心磁體與上述外周磁體以相互不同的極性的磁極朝向上述濺射面的方式配置，其中，在上述靶材的表面中包含上述濺射面的面變得不連續的上述靶材端部，以包圍上述濺射面的周圍的方式設置由絕緣性的陶瓷構成的防附著部件，上述磁體裝置構成為在上述外周磁體的外周整體進入比包圍上述濺射面的周圍的上述防附著部件的內周還靠內側的位置、和上述外周磁體的外周的一部分伸出到比包圍上述濺射面的周圍的防附著部件的內周靠外周側的位置之間移動。本專利技術為一種濺射成膜裝置，構成為，具有多個上述靶材、和設置在上述靶材的上述濺射面的背側的上述磁體裝置的對，多個上述靶材相互分離而并列地配置且令上述濺射面朝向被運入上述真空槽內的成膜對象物，上述電源裝置向多個上述靶材的至少一個施加電壓。本專利技術為一種濺射成膜裝置，構成為上述靶材是具有曲面的上述濺射面的圓筒形狀，上述磁體裝置沿上述靶材的長度方向平行地移動。本專利技術為一種濺射成膜裝置，構成為至少一個的設置在上述靶材的濺射面的背側的上述磁體裝置在下述位置之間移動上述外周磁體的外周整體進入比包圍該靶材的上述濺射面的周圍的上述防附著部件的內周還靠內側的位置、上述外周磁體的外周的一部分伸出到比該靶材的上述防附著部件的內周靠外側與包圍鄰接于該靶材的其他的上述靶材的上述濺射面的周圍的上述防附著部件的內周之間的位置。專利技術的效果 由于能夠對靶材的濺射面中比以往更廣的面積進行濺射，所以靶材的使用效率變高，靶材的壽命延長。 在平板靶材的情況下，能夠擴大鄰接的靶材的間隔，所以能夠減少使用的靶材材料的量，成本降低。附圖說明圖I是本專利技術的濺射成膜裝置的第一例的內部構成圖。圖2是本專利技術的濺射成膜裝置的第一例的A — A線切斷剖視圖。圖3是本專利技術的濺射成膜裝置的第一例的B — B線切斷剖視圖。圖4是用于說明本專利技術的濺射成膜裝置的第一例的其他構造的A — A線切斷剖視圖。圖5 (a)、(b)是表示濺射中的濺射部的截面的示意圖。圖6是本專利技術的濺射成膜裝置的第二例的內部構成圖。圖7是本專利技術的濺射成膜裝置的第二例的C 一 C線切斷剖視圖。圖8是本專利技術的濺射成膜裝置的第二例的D — D線切斷剖視圖。圖9是現有技術的濺射成膜裝置的內部構成圖。附圖標記說明 10,210……濺射成膜裝置，11、211……真空本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...
【專利技術屬性】
技術研發人員：佐藤重光，大野哲宏，磯部辰德，須田具和，
申請(專利權)人：株式會社愛發科，
類型：
國別省市：
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