本實用新型專利技術公開了一種單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，所述對比試塊為圓柱體，所述對比試塊的一側底面上設置有平底孔，所述平底孔垂直于底面，所述平底孔與另一側底面的距離為L，當L小于等于152mm時，所述對比試塊的直徑為50.8mm±0.76mm；當L大于152mm且小于等于305mm時，所述對比試塊的直徑為63.5mm±0.76mm；當L大于305mm時，所述對比試塊的直徑為mm±0.76mm，其中f為所述單晶探頭的工作頻率（單位：MHz）。本實用新型專利技術彌補了檢測距離大于305mm的大尺寸平面鍛件無法調試標定的困難，提高了單晶探頭探測平面鍛件的水平。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，應用于平面鍛件的超聲波探傷。
技術介紹
超聲波檢測試塊的作用確定檢測靈敏度，測試儀器和探頭的性能，調整掃描速度，評判缺陷大小。現有技術中對檢測距離小于等于305mm的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊的平底孔孔徑做出了具體規定，對于檢測距離大于305mm的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊的平底孔僅做簡略說明“可以要求更大的直徑或齒距”，未作具體限定。 因此，需要一種新的對比試塊以滿足探測大尺寸平面鍛件的要求。
技術實現思路
專利技術目的本專利技術的目的就是提供一種單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，以彌補檢測距離大于305mm的平面鍛件超聲波探傷的不足。技術方案為實現上述專利技術目的，本技術的對比試塊可采用如下技術方案一種單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，所述對比試塊為圓柱體，所述對比試塊的一側底面上設置有平底孔，所述平底孔垂直于底面，所述平底孔與另一側底面的距離為L,當L小于等于152mm時，所述對比試塊的直徑為50. 8mm±0. 76mm ；當L大于152mm且小于等于305mm時,所述對比試塊的直徑為63. 5mm±0. 76mm ;當L大于305mm時,所述對比試塊的直徑為7^17/ram ±0. 76mm，其中f為所述單晶探頭的工作頻率，所述工作頻率的單位為兆赫。技術效果與現有技術相比，本技術的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊的專利技術，克服了檢測距離大于305mm的大尺寸平面鍛件無法調試標定的困難，提高了單晶探頭探測平面鍛件的水平。優選的，所述平底孔位于對比試塊一側底面的中部。優選的，所述平底孔的深度為19mm土 I. 6mm。優選的，所述平底孔與另一側底面的距離為L，當L小于等于38. Imm時，所述平底孔的直徑為I. 6mm±0. 013mm ;當L大于38. Imm且小于等于152. 4mm時,所述平底孔的直徑為3. 2mm±0. 03mm ;當L大于152. 4mm時，所述平底孔的直徑為6. 4mm±0. 03mm。采用此項要求，能夠大大提高單晶探頭探測平面鍛件的精度，高于國家和國際標準。優選的，所述對比試塊的兩個底面的表面平直度小于等于O. 01mm，所述對比試塊的表面平行度小于等于O. 02mm。優選的，所述平底孔相對于對比試塊底面的平直度和垂直度均小于等于0° 20’。優選的，所述平底孔的孔底的平整度小于等于lmm/125mm，所述平底孔的軸線距離對比試塊的軸線在O. 38mm以內。優選的，所述平底孔的開口處具有平底擴孔，所述平地擴孔的直徑為6.4mm±0. 5mm,所述平底擴孔的深度為I. 6mm±0. 5mm。附圖說明圖I是本技術單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊的主視圖。圖2是本技術單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊的仰視圖。具體實施方式以下結合附圖和具體實施例，進一步闡明本技術，應理解這些實施例僅用于說明本技術而不用于限制本技術的范圍，在閱讀了本技術之后，本領域技術人員對本技術的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。如圖I、圖2所示，本技術的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，對比試塊為圓柱體，對比試塊的一側底面上設置有平底孔，平底孔垂直于底面。試塊直徑公差±0. 76mm,檢測距離< 152mm,直徑50. 8mm ； 152mm<檢測距離< 305mm,直徑63. 5mm ;檢測距離>305mm，對比試塊的直徑為7、/ L,/imu其中L為檢測距離，f為單晶探頭的工作頻率(單位MHz)。實踐證明，位于工件側壁附近的小缺陷，用與側壁平行的聲束很難檢測，這是因為存在著工件側壁干擾現象的緣故。這一干擾現象往往由經側壁反射后的縱波(或橫波)與不經反射的直射縱波之間的干擾引起的，其結果是干擾了直射聲波的返回升壓，使探測靈敏度下降。在脈沖反射式探傷中，一般單次脈沖持續時間所對應的聲程不大于四倍的聲波波長，故只要側壁反射聲束路程大于直射縱波聲束路程，側壁干擾既可避免。對于鋼來說，縱波直探頭離側壁的距離d應滿足下列條件Ainiii >3.5#式中為超聲波探測頻率，單位為兆赫。X為聲程，單位為毫米。因此當檢測距離大于305mm時，對比試塊的直徑設置為 」Γ7/ 其中L為檢測距離，f為單晶探頭的工作頻率(單位MHz)。單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊劃分為DAYYY (8630-4-XXXX)，PBYYY(8630-8-XXXX)，PCYYY(8630-16-XXXX)三套，每種類型平底孔直徑分別為1.6mm，3.2mm,6. 4mm。材料類型有8630、410、4140、4130、F22等。對比試塊的金屬行程，即探測距離，公差為±O. 38mm。平底孔的孔深標稱值19mm± I. 6mm。對于小于等于I. 6mm的平底孔，孔徑公差±0. 013mm,大于I. 6mm的孔,孔徑公差±0. 03mm,由于鍍層/電鍍期間可能的邊緣堆起，該公差僅適用于試塊邊緣3. 2mm以外的部分。對比試塊上下底面的表面平直度在O.Olmm內且平行度在O. 02mm內。平底孔必須豎直并和測試面垂直，(偏差)在0° 20’以內。孔底的平直度必須在lmm/125m，平底孔的軸線距離對比試塊軸線在O. 38mm以內。平底擴孔的直徑約為6. 4mm,深約I. 6mm。對比試塊制作參數(以8630為例)權利要求1.一種單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，所述對比試塊為圓柱體，所述對比試塊的一側底面上設置有平底孔，所述平底孔垂直于底面，所述平底孔與另一側底面的距離為L，當L小于等于152mm時，所述對比試塊的直徑為50. 8mm±0. 76mm ;當L大于152mm且小于等于305mm時，所述對比試塊的直徑為63. 5 mm±0. 76mm ;其特征在于，當L大于305mm時，所述對比試塊的直徑為'7JZT7 mm±0. 76mm，其中f為所述單晶探頭的工作頻率，所述工作頻率的單位為兆赫。2.如權利要求I所述的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，其特征在于，所述平底孔位于對比試塊一側底面的中部。3.如權利要求I所述的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，其特征在于，所述平底孔的深度為19_±1.6_。4.如權利要求I所述的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，其特征在于，所述平底孔與另一側底面的距離為L，當L小于等于38. Imm時，所述平底孔的直徑為I. 6mm±0. 013mm ;當L大于38. Imm且小于等于152. 4mm時，所述平底孔的直徑為3.2mm±0. 03mm ;當L大于152. 4mm時，所述平底孔的直徑為6. 4mm±0. 03mm。5.如權利要求I所述的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，其特征在于，所述對比試塊的兩個底面的表面平直度小于等于O. 01mm，所述對比試塊的表面平行度小于等于O. 02mm。6.如權利要求I所述的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，其特征在于，所述平底孔相對于對比試塊底面的平直度和垂直度均小于等于0° 20’。7.如權利要求I所述的單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，其特征在于，所述平底孔的孔底的平整度小于等于lmm本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種單晶探頭探測平面鍛件平底孔對比試塊，所述對比試塊為圓柱體，所述對比試塊的一側底面上設置有平底孔，所述平底孔垂直于底面，所述平底孔與另一側底面的距離為L，當L小于等于152mm時，所述對比試塊的直徑為50.8mm±0.76mm；當L大于152mm且小于等于305mm時，所述對比試塊的直徑為63.5？mm±0.76mm；其特征在于，當L大于305mm時，所述對比試塊的直徑為？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？mm±0.76mm，其中f為所述單晶探頭的工作頻率，所述工作頻率的單位為兆赫。61520dest_path_image001.jpg
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：張利，陳昌華，
申請(專利權)人：南京迪威爾高端制造股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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