一種發光二極管單元的調光電路制造技術

本實用新型專利技術提供了一種發光二極管單元的調光電路，涉及發光二極管調光技術領域。其中所述調光電路包括：控制單元，所述控制單元包括至少兩路相互并聯的控制電路，所述控制電路包括有一開關器件和一電阻，所述開關器件的一端連接至所述發光二極管單元，另一端通過所述電阻接地；用于控制所述開關器件導通與否的驅動單元，所述驅動單元與所述開關器件連接。本實用新型專利技術能夠在調光過程中能夠實現發光二極管的峰值電流的控制及刻畫。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及發光二極管(LED)調光
，具體涉及一種發光二極管單元的調光電路。
技術介紹
目前利用脈沖寬度調制(PWM)信號對LED進行調光的一般做法是利用LED的控制集成電路(IC)進行如圖I所示調光。圖I中，依次首位串聯的5個LED成一組LED單元，其中Dl的陽極將連接至外部電源，D5的陰極連接至一金屬氧化層半導體場效晶體管(M0SFET)，例如N型MOS管(NMOS) Q的漏極，Q的源極通過電阻R接地(GND)，Q的柵極連接至驅動IC的管腳2。圖I中，驅動IC的管腳1、3還分別連接至Q的漏極和源極。·圖I中驅動IC的第2管腳施加一 PWM信號至Q的柵極，利用PWM信號可以控制開關器件Q在一個周期內的開啟和關閉的時間，即可以通過調節PWM信號的占空比來實現一個周期內LED平均電流的控制。在一個周期內LED的平均電流Iavg可以按照以下公式計算得到_4] Iavg=I-* (Ton/(Ton+Toff))其中Imax為峰值電流，TmS Q在一個周期內的開啟時間，IrffSQ在一個周期內的關斷時間，一種可能的LED電流波形如圖2所示，圖2中Q的開啟時間Tm和關閉時間Irff在一個周期內的占比分別為30%和70%。現有技術的上述調光方法，雖然可以通過調節PWM信號的占空比對LED的平均電流Iavg進行調節，但是仍然無法對峰值電流Imax進行刻畫，特別是在一個周期內不能改變Ifflax的大小，因此使得LED背光源中的調光應用受到局限。
技術實現思路
本技術實施例的目的是提供一種發光二極管單元的調光電路，在調光過程中能夠實現發光二極管的峰值電流的控制及刻畫。為解決上述技術問題，本技術的一些實施例提供了一種發光二極管單元的調光電路，一種發光二極管單元的調光電路，所述發光二極管單元包括至少一個發光二極管，所述調光電路包括控制單元，所述控制單元包括至少兩路相互并聯的控制電路，所述控制電路包括有一開關器件和一電阻，所述開關器件的一端連接至所述發光二極管單元，另一端通過所述電阻接地；用于控制所述開關器件導通與否的驅動單元，所述驅動單元與所述開關器件連接。根據本技術的一些實施例，所述驅動單元向兩路以上的控制電路中的所述開關器件分別輸出對應的導通控制信號，所述導通控制信號使得兩個以上的所述開關器件的導通時間之間存在交集。根據本技術的一些實施例，所述開關器件為一 MOS管，所述驅動單元輸出作為導通控制信號的脈沖寬度調制信號至所述MOS管的柵極，以控制所述MOS管開啟或關閉。根據本技術的一些實施例，所述MOS管為NOMS管，所述NMOS管的漏極連接至所述發光二極管單元，源極通過所述電阻接地。根據本技術的一些實施例，所述MOS管為一 PMOS管，所述PMOS管的源極連接至所述發光二極管單元，漏極通過所述電阻接地。根據本技術的一些實施例，所述發光二極管單元連接至一電源，由所述電源進行供電。根據本技術的一些實施例，所述驅動單元包括·一電壓檢測管腳，連接至所述控制電路的輸入端；用于根據所述電壓檢測管腳上檢測到的所述控制電路的輸入電壓，控制所述驅動單元工作狀態的控制模塊。從以上所述可以看出，本技術提供的發光二極管單元的調光電路，能夠使得通過開啟不同數量的開關器件和/或調節各個控制電路上的電阻的大小，調節發光二極管單元的電流大小，從而實現對發光二極管單元的峰值電流的控制及刻畫。附圖說明圖I為現有技術的發光二極管單元的調光電路的示意圖；圖2為現有技術的發光二極管單元的調光電路的電流示意圖；圖3為本技術實施例提供的一種調光電路的示意圖；圖4為本技術實施例提供的一種調光電路的電流不意圖；圖5為本技術實施例提供的發光二極管單元的一種供電電源的結構示意圖。具體實施方式為使本技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例對本技術進行詳細描述。請參照圖3，本實施例提供的調光電路，應用于對發光二極管單元31的調光。本技術實施例中，發光二極管單元31的一端連接至電源，另一端連接至控制單元32。此電源具體可以是恒壓電源或恒流電源。該發光二極管單元31可以包括至少一個發光二極管。在該發光二極管單元包括2個以上的發光二極管時，這些發光二極管具體可以是如圖3所示，依次首尾相連，串聯成一串的發光二極管DfD5 (即前一發光二極管的陰極連接至后一發光二極管的陽極)，其中Dl的陽極連接至外部的電源。此發光二極管之間還可以采用其他并聯或串并混合的連接方式，本實施例對此不作封閉式限定。如圖3所示，本實施例的調光電路包括控制單元32，所述控制單元32包括至少兩路相互并聯的控制電路(如圖控制電路321和322)。每個所述控制電路321、322均各自包括有一開關器件(如Ql和Q2)和一電阻(如Rl和R2)，所述開關器件的一端連接至所述發光二極管單元31，另一端通過所述電阻接地(GND)。用于控制所述開關器件導通與否的驅動單元33，所述驅動單元33與所述開關器件連接。圖3中，所示控制單元32僅包括兩個控制電路，具體應用中，控制單元32還可包括3個或3個以上的控制電路。圖3中，所述驅動單元33可以向兩路以上的控制電路中的所述開關器件分別輸出對應的導通控制信號，這些導通控制信號可以使得兩個以上的所述開關器件的導通時間之間存在交集。請參照圖4，示出了一種導通時間存在交集的情形。其中，在始終僅開啟Ql時發光二極管單元31的的電流41的峰值為350mA ;在始終僅開啟Q2時發光二極管單元31的的電流42的峰值也為350mA ;在Ql和Q2的開啟時間存在交集(如圖4在每個周期的前15%段時間同時開啟)時，發光二極管單元31的的電流43的峰值可以達到700mA，而在其中僅一個開關器件開啟的時段發光二極管單元31的的電流43的峰值可以為350mA，由此可見發光二極管單元31的的峰值電流得到控制及刻畫。通過以上結構，在控制電路中的開關器件開啟時，本實施例中發光二極管單元將通過控制電路接地。這樣，可以通過開啟不同數量的開關器件和/或調節各個控制電路上的電阻的大小，控制發光二極管單元的負載，進而調節發光二極管單元的電流大小，因此本實施例可以通過驅動單元33實現對發光二極管單元的峰值電流的控制及刻畫。圖3中，開關器件Ql、Q2可以采用MOS管，如NMOS管或PMOS管。驅動單元33具有管腳廣6，其中管腳2和管腳5分別連接至對應的MOS管的柵極，以輸出導通控制信號至柵極，控制對應的MOS管的開啟或關閉。例如，圖3示出了在采用NMOS管作為開關器件Q1/Q2時的連接方式，其中，NMOS管的漏極連接至所述發光二極管單元31，源極通過所述電阻R1/R2接地，柵極連接至所述驅動單元33。導通控制信號優選地采用脈寬調制(PWM)信號，在脈寬調制信號處于高電平時NMOS管開啟，對應的控制電路導通；在脈寬調制信號處于低電平時NMOS管關閉，對應的控制電路斷開。當然，本實施例也可以采用PMOS管作為開關器件Q1/Q2，此時，PMOS管的源極連接至所述發光二極管單元31，漏極通過所述電阻R1/R2接地，柵極連接至所述驅動單元33。圖3中，驅動單元33還可以實現額外的檢測控制功能，例如，通過驅動單元33的電壓檢測管腳I和4，連本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種發光二極管單元的調光電路，所述發光二極管單元包括至少一個發光二極管，其特征在于，所述調光電路包括：控制單元，所述控制單元包括至少兩路相互并聯的控制電路，所述控制電路包括有一開關器件和一電阻，所述開關器件的一端連接至所述發光二極管單元，另一端通過所述電阻接地；用于控制所述開關器件導通與否的驅動單元，所述驅動單元與所述開關器件連接。

【技術特征摘要】
1.一種發光二極管單元的調光電路，所述發光二極管單元包括至少一個發光二極管，其特征在于，所述調光電路包括 控制單元，所述控制單元包括至少兩路相互并聯的控制電路，所述控制電路包括有一開關器件和一電阻，所述開關器件的一端連接至所述發光二極管單元，另一端通過所述電阻接地； 用于控制所述開關器件導通與否的驅動單元，所述驅動單元與所述開關器件連接。2.如權利要求I所述的調光電路，其特征在于， 所述開關器件為一 MOS管，所述驅動單元輸出作為導通控制信號的脈沖寬度調制信號至所述MOS管的柵極，以控制所述MOS管開啟或關閉。3.如權利要求2所述的調光電路，其特...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳碩，張凱亮，趙星星，蔣文杰，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：實用新型
國別省市：