【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種單晶爐。
技術介紹
對于光伏產業使用的單晶爐,單晶硅生產需要把原料多晶硅放入單晶爐內的石英坩堝里進行融化,熱場則是生產單晶硅的必備附屬設施,加熱、保溫、熱屏、防漏(硅)等等,都是通過熱場來實現的。如圖3、4所示的單晶爐,在爐體I’內采用了 18寸的熱場2’,在熱場2’內部設置有加熱器5’。上述的單晶爐一般存在如下的缺點爐內一般安裝18寸的熱場,使得爐內的空間 有所浪費;熱場的保溫性能比較差;熱量的使用率較低,使生產成本升高。
技術實現思路
本專利技術提供一種單晶爐,特別是一種95型單晶爐。為達到上述目的,本專利技術采用的技術方案是 一種單晶爐,包括爐體、設置在所述的爐體內部的熱場,所述的熱場的包括側壁保溫層、底部保溫層,所述的側壁保溫層和底部保溫層包括固化氈層和軟氈層。優選地,所述的熱場的尺寸為20寸。優選地,所述的側壁保溫層為軟氈層;所述的底部保溫層為固化氈層。由于上述技術方案運用,本專利技術與現有技術相比具有下列優點 1、通過增大熱場的尺寸,以提高爐體內部有效使用空間,大大降低成品率;2、通過采用固化氈層和軟氈層的混搭,增加熱場的保溫性能的同時降低生產所耗成本。附圖說明附圖I為本專利技術中熱場示意 附圖2為本專利技術中熱場內部結構示意 附圖3為現有技術中熱場示意 附圖4為現有技術中熱場內部結構示意圖。其中1、爐體;2、熱場;3、側壁保溫層;30、軟氈層;4、底部保溫層;40、固化氈層;5、加熱器;6、反射板。具體實施例方式下面結合附圖及實施例對本專利技術作進一步描述 如圖I所示的一種單晶爐,包括爐體I、設置在爐體I內部的熱場 ...
【技術保護點】
一種單晶爐,其特征在于:包括爐體、設置在所述的爐體內部的熱場,所述的熱場的包括側壁保溫層、底部保溫層,所述的側壁保溫層和底部保溫層包括固化氈層和軟氈層。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員:陳春成,戚建靜,
申請(專利權)人:蘇州東泰太陽能科技有限公司,
類型:發明
國別省市:
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