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    一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):8341262 閱讀:187 留言:0更新日期:2013-02-16 19:10
    一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,屬分析裝置領(lǐng)域。其包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面、左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面和后側(cè)面六個(gè)面構(gòu)成,在所述的下底面上放置有樣品,其特征是:在所述的上頂面或下底面與至少一個(gè)所述側(cè)面之間的交界處,設(shè)置輔助反射斜面;所述的輔助反射斜面,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域;所述的輔助反射斜面,為平面、曲面或弧形面。其能將腔體內(nèi)的微波場(chǎng)強(qiáng)聚焦集中在腔體底部或指定區(qū)域,并在腔體底部或指定區(qū)域中均勻分布,以便均勻加熱位于爐腔底部或指定區(qū)域的所有樣品。可廣泛用于工業(yè)級(jí)微波儀器之微波爐腔的設(shè)計(jì)、制造領(lǐng)域。(*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期,可自由使用*)

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本技術(shù)屬于分析裝置領(lǐng)域,尤其涉及一種用于工業(yè)級(jí)微波儀器的微波爐腔。
    技術(shù)介紹
    在微波儀器中,爐腔的設(shè)計(jì)基本按單模腔和多模腔來(lái)設(shè)計(jì).單模腔的優(yōu)點(diǎn)是微波場(chǎng)強(qiáng)高度集中,加熱效率高,但是單模腔容積太小,所以大部分微微波儀器的腔體均采用多模腔設(shè)計(jì)。目前市場(chǎng)上的多模腔體基本是按照矩形結(jié)構(gòu)來(lái)設(shè)計(jì)的,但是矩形腔體存在微波場(chǎng)強(qiáng)過(guò)度分散的缺點(diǎn),所以實(shí)際微波利用率并不高,特別是微波消解和微波合成儀,由于其樣品均處于腔體底部位置,所以腔體頂部的功率根本無(wú)法對(duì)樣品加熱,無(wú)形中浪費(fèi)了大量微波功率。同時(shí)頂部的微波場(chǎng)強(qiáng)過(guò)高,對(duì)于安裝在頂部的溫度傳感器導(dǎo)線等其它部件均有不·同程度的影響和傷害,導(dǎo)致元器件過(guò)度發(fā)熱,從而影響其使用壽命。市場(chǎng)上目前也存在能將微波聚能在腔體某個(gè)位置的爐腔,例如圓弧形爐腔能將微波聚焦在爐腔中軸線附近,球形爐腔能將微波聚焦在球心位置等,但這些聚焦方式均不適應(yīng)微波消解的實(shí)際使用要求。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    本技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,該爐腔能將腔體內(nèi)的微波場(chǎng)強(qiáng)聚焦集中在腔體底部或指定區(qū)域,并在腔體底部或指定區(qū)域中均勻分布,以便均勻加熱位于爐腔底部或指定區(qū)域的所有樣品。本技術(shù)的技術(shù)方案是提供一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面、左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面和后側(cè)面6個(gè)面構(gòu)成,在所述的下底面上放置有樣品,其特征是在所述的上頂面與至少一個(gè)所述側(cè)面之間的交界處,設(shè)置輔助反射斜面;所述的輔助反射斜面,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域;所述的輔助反射斜面,為平面、曲面或弧形面。具體的,其所述的輔助反射斜面為平面,所述的輔助反射平面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射平面的平面垂線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。或者。其所述的輔助反射斜面為曲面,所述的輔助反射曲面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射曲面的曲面焦點(diǎn)或從曲面到其焦點(diǎn)的延長(zhǎng)線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。或者,其所述的輔助反射斜面為弧形面,所述的輔助反射弧形面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射弧形面的弧面內(nèi)焦點(diǎn)或從弧面到其內(nèi)焦點(diǎn)的延長(zhǎng)線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。進(jìn)一步的,所述的輔助反射斜面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面之一的交界處。其所述的波導(dǎo)口設(shè)置在腔體后側(cè)面的爐腔壁上。本技術(shù)的技術(shù)方案還提供一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面和左、右、前、后四個(gè)側(cè)立面相交而構(gòu)成,在所述的下底面上放置有樣品,其特征是在所述各個(gè)側(cè)立面之間至少一個(gè)相交的交界處,設(shè)置輔助反射斜面;所述的輔助反射斜面,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域;所述的輔助反射斜面為平面、曲面或弧形面。進(jìn)一步的,所述的輔助反射斜面設(shè)置在左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面之間的至少一個(gè)交界處,所述輔助反射斜面的平面或曲面垂線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。本技術(shù)的技術(shù)方案又提供一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面和左、右、前、后四個(gè)側(cè)立面相交而構(gòu)成,在所述的下底面上放置有樣品,其特征是在所述的下底面與至少一個(gè)所述側(cè)面之間的交界處,設(shè)置輔助反射斜面;所述的輔助反射斜面,為平面、曲面或弧形面。 其所述的輔助反射斜面為平面,所述的輔助反射平面設(shè)置在下底面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處。其所述的輔助反射斜面為曲面,所述的輔助反射曲面設(shè)置在下底面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處。與現(xiàn)有技術(shù)比較,本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是I.通過(guò)設(shè)置輔助反射斜面結(jié)構(gòu),能將腔體內(nèi)的微波場(chǎng)強(qiáng)聚焦、集中在腔體的底部,并在腔體底部均勻分布,以便均勻加熱位于爐腔底部的所有樣品;在該爐腔的聚能作用下,就能使得爐腔底部整個(gè)平面的樣品都能得到高效、均勻、充分的加熱;2.腔體內(nèi)的微波場(chǎng)強(qiáng)被集中反射到腔體底部,從而使得腔體底部能形成均勻密集的微波場(chǎng)強(qiáng);同時(shí),由于頂部各面的反射作用,使得腔體頂部的微波場(chǎng)強(qiáng)會(huì)比較低,有助于延長(zhǎng)設(shè)置在腔體頂部的溫度傳感器、導(dǎo)線或其它部件的使用壽命;3.相對(duì)于弧形和球形腔來(lái)說(shuō),本技術(shù)方案除了同時(shí)擁有聚能作用外,在均勻性及腔體機(jī)械加工工藝的簡(jiǎn)化上,都優(yōu)于其他結(jié)構(gòu)的腔體。附圖說(shuō)明圖I是本技術(shù)的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本技術(shù)實(shí)施例的正視結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本技術(shù)另一實(shí)施例的正視結(jié)構(gòu)示意圖。圖中I為爐腔前面,2為爐腔底面,3為爐腔后面,4為爐腔頂面,5為爐腔頂后輔助反射斜面,6為波導(dǎo)管,7為波導(dǎo)口,8為樣品,9為爐腔左側(cè)面,10為爐腔右側(cè)面,11為爐腔頂部左側(cè)輔助反射斜面,12為爐腔頂部右側(cè)輔助反射斜面,13為微波場(chǎng)強(qiáng)分布示意線,14為經(jīng)反射的微波場(chǎng)強(qiáng)示意線,15為爐腔底部右側(cè)輔助反射斜面,16為爐腔底部左側(cè)輔助反射斜面。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)做進(jìn)一步說(shuō)明。圖I中,本技術(shù)的聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面、左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面和后側(cè)面6個(gè)面構(gòu)成(圖中因?yàn)槭莻?cè)視圖,故只能顯示出上頂面4、下底面2、前側(cè)面I和后側(cè)面3共四個(gè)側(cè)面),在所述的下底面上放置有樣品8,其專利技術(shù)點(diǎn)在于在所述的上頂面4與至少一個(gè)所述側(cè)面(圖中以后側(cè)面3為例)之間的交界處,設(shè)置輔助反射斜面5 ;所述的輔助反射斜面,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。所述的輔助反射斜面,為平面、曲面或弧形面。由圖可知,當(dāng)所述的輔助反射斜面為平面,所述的輔助反射平面可以設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射平面的平面垂線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。或者,當(dāng)其所述的輔助反射斜面為曲面,所述的輔助反射曲面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射曲面的曲面焦點(diǎn)或從曲面到其焦點(diǎn)的延長(zhǎng)線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。或者,當(dāng)其所述的輔助反射斜面為弧形面,所述的輔助反射弧形面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射弧形面的弧面內(nèi)焦點(diǎn)或從弧面到其內(nèi)焦點(diǎn)的延長(zhǎng)線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。具體的,所述的輔助反射斜面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面之一的交界處。進(jìn)一步的,其所述的輔助反射斜面分別設(shè)置在上頂面與左側(cè)面或右側(cè)面的交界處。或者,其所述的輔助反射斜面分別設(shè)置在上頂面與左側(cè)面和右側(cè)面的交界處。或者,其所述的輔助反射斜面分別設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面和后側(cè)面的交界處。或者,其所述的輔助反射斜面分別設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面和后側(cè)面的交界處。其所述的波導(dǎo)口 6設(shè)置在腔體后側(cè)面3的爐腔壁上。由圖可知,當(dāng)波導(dǎo)管6將微波通過(guò)波導(dǎo)口 7饋入到腔體內(nèi)后,通過(guò)設(shè)置輔助反射斜面結(jié)構(gòu),能將腔體內(nèi)的微波場(chǎng)強(qiáng)聚焦、集中在腔體的下底部(圖中以微波場(chǎng)強(qiáng)分布示意線13的密度來(lái)表示微波場(chǎng)強(qiáng)的高低變化,下同),并在腔體底部均勻分布,以便均勻加熱位于爐腔底部的所有樣品8 ;在該爐腔的“聚能”作用下,就能使得爐腔底部整個(gè)平面(相當(dāng)于指定的區(qū)域)的樣品都能得到高效、均勻、充分的加熱。同時(shí),由于頂部各個(gè)反射面和輔助反射面的綜合反射作用,使得腔體頂部的微波場(chǎng)強(qiáng)會(huì)比較低,有助于延長(zhǎng)設(shè)置在腔體頂部的溫度傳感器、導(dǎo)線或其它部件的使用壽命。該“本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面、左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面和后側(cè)面6個(gè)面構(gòu)成,在所述的下底面上放置有樣品,其特征是:?在所述的上頂面與至少一個(gè)所述側(cè)面之間的交界處,設(shè)置輔助反射斜面;?所述的輔助反射斜面,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域;?所述的輔助反射斜面,為平面、曲面或弧形面。

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,包括腔體和波導(dǎo)口,其所述的腔體由上頂面、下底面、左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面和后側(cè)面6個(gè)面構(gòu)成,在所述的下底面上放置有樣品,其特征是 在所述的上頂面與至少一個(gè)所述側(cè)面之間的交界處,設(shè)置輔助反射斜面; 所述的輔助反射斜面,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域; 所述的輔助反射斜面,為平面、曲面或弧形面。2.按照權(quán)利要求I所述的聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,其特征是所述的輔助反射斜面為平面,所述的輔助反射平面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射平面的平面垂線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。3.按照權(quán)利要求I所述的聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,其特征是所述的輔助反射斜面為曲面,所述的輔助反射曲面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射曲面的曲面焦點(diǎn)或從曲面到其焦點(diǎn)的延長(zhǎng)線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。4.按照權(quán)利要求I所述的聚能工業(yè)級(jí)微波爐腔,其特征是所述的輔助反射斜面為弧形面,所述的輔助反射弧形面設(shè)置在上頂面與左側(cè)面、右側(cè)面、前側(cè)面或后側(cè)面的交界處,所述輔助反射弧形面的弧面內(nèi)焦點(diǎn)或從弧面到其內(nèi)焦點(diǎn)的延長(zhǎng)線,朝向下底面上放置有樣品的區(qū)域。5.一種聚能工業(yè)級(jí)微波...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:王斌江成德
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:上海屹堯儀器科技發(fā)展有限公司
    類(lèi)型:實(shí)用新型
    國(guó)別省市:

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