【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于功率驅(qū)動
，具體涉及一種防柵極過壓高可靠MOSFET功率驅(qū)動電路。
技術(shù)介紹
隨著磁性材料、電力電子器件和數(shù)字處理器技術(shù)的發(fā)展，高性能電機與現(xiàn)代控制技術(shù)相結(jié)合，使機電伺服技術(shù)迅速崛起。功率器件的應(yīng)用越來越廣泛，功率器件的可靠性成為機電伺服技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)?，F(xiàn)有的MOSFET驅(qū)動電路對功率管的打開關(guān)斷時間不可獨立設(shè)置，柵極無過壓保護，無抑制高頻振蕩功能。在小功率應(yīng)用場合，MOSFET功率管運行可靠，未出現(xiàn)故障，但隨著機電伺服系統(tǒng)功率級別越來越高，電壓、電流、電壓變化率、電流變化率都越來越大，電磁環(huán)境非常惡劣，現(xiàn)有簡單的驅(qū)動電路已經(jīng)不能確保MOSFET功率管可靠運行，需要進一步優(yōu)化驅(qū)動保護電路。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)提供一種MOSFET管打開關(guān)斷時間可獨立設(shè)置、防柵極過壓、抑制高頻振蕩的驅(qū)動電路，其目的在于提高MOSFET功率管在中大功率機電伺服系統(tǒng)中的運行可靠性。為達到上述目的，本技術(shù)所采取的技術(shù)方案為一種防柵極過壓高可靠MOSFET功率驅(qū)動電路，該電路包括二極管、電阻R1、電阻R2和MOSFET功率管；所述二極管的正極與電阻R1串連，串聯(lián)后的結(jié)構(gòu)與電阻R2并聯(lián)；電阻R1和電阻R2的公共端與MOSFET功率管的柵極G連接；所述MOSFET功率管的源極S接地。所述MOSFET功率管的柵極G與源極S之間并聯(lián)有穩(wěn)壓管。所述MOSFET功率管的柵極G與源極S之間并聯(lián)有電容。所述穩(wěn)壓管為+15V穩(wěn)壓管。本技術(shù)所取得的有益效果為(I)本技術(shù)通過在驅(qū)動電路上采用二極管和電阻的串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)了 MOSFET功率管的打開關(guān)斷時間獨立設(shè)置，可綜合考慮MOSFET功率...
【技術(shù)保護點】
一種防柵極過壓高可靠MOSFET功率驅(qū)動電路，其特征在于：該電路包括二極管（1）、電阻R1（2）、電阻R2（3）和MOSFET功率管（6）；所述二極管（1）的正極與電阻R1（2）串連，串聯(lián)后的結(jié)構(gòu)與電阻R2（3）并聯(lián)；電阻R1（2）和電阻R2（3）的公共端與MOSFET功率管（6）的柵極G連接；所述MOSFET功率管（6）的源極S接地。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種防柵極過壓高可靠MOSFET功率驅(qū)動電路，其特征在于該電路包括二極管(I)、電阻R1 (2)、電阻R2 (3)和MOSFET功率管(6);所述二極管(I)的正極與電阻R1 (2)串連，串聯(lián)后的結(jié)構(gòu)與電阻R2 (3)并聯(lián)；電阻R1 (2)和電阻R2 (3)的公共端與MOSFET功率管(6)的柵極G連接；所述MOSFET功率管(6)的源極S接地。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：鄭再平，龍海峰，黃玉平，王春明，鄭繼貴，皮利萍，
申請(專利權(quán))人：北京精密機電控制設(shè)備研究所，中國運載火箭技術(shù)研究院，
類型：實用新型
國別省市：
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