本實用新型專利技術提供了一種SR580T75型低損耗聲表面波諧振器，屬于聲表面波領域。它解決了現有的聲表面波插損過大的問題。本實用新型專利技術聲表面波諧振器，其包括壓電晶片、設置于壓電晶片上的叉指換能器以及設置于叉指換能器兩側的第一短路指反射陣和第二短路指反射陣；所述叉指換能器為GAM優化加權單元。本實用新型專利技術聲表面波諧振器金屬結構尺度較小、插入損耗較低、其中心諧振頻率為579MHZ至580MHZ，諧振擺幅為28dB。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）
【技術實現步驟摘要】
本技術涉及聲表面波器件
，尤其涉及一種SR580T75型低損耗聲表面波諧振器。
技術介紹
當具有壓電效應的晶體受到外應力作用時，會產生與應力成正比的電場；反之，當晶體受到外電場作用時，晶體同時也產生與外電場成正比的彈性形變，該彈性形變激發出聲波，激發的聲波沿晶體表面傳播形成聲表面波。利用上述聲表面波的傳播即可實現電信號到聲信號以及聲信號到電信號的轉換。聲表面波諧振器是指在壓電晶片上制作叉指換能器，同時在叉指換能器兩側還設置有反射陣列。該叉指換能器可以完成聲-電轉換，該反射陣列形成分布式諧振腔，在某一 頻率上，當該諧振腔的長度等于半波長的整數倍時即形成聲諧振，該聲諧振由叉指換能器轉換為電諧振從而實現聲表面波諧振器的功能。現有的聲表面波諧振器由于其叉指換能器和反射陣列設計的不完善，具有較大的插入損耗。并且現有的聲表面波諧振器的中心頻率一般為315MHZ、433MHZ，該頻段復用率高，信道擁堵現象嚴重，構成專用無線系統時，抗干擾及安全性差。
技術實現思路
本技術的目的在于克服現有技術中的不足，提供了一種安全性好、諧振擺幅較大、損耗較低的聲表面波諧振器。本技術解決其技術問題采用的技術方案是提出一種SR580T75型低損耗聲表面波諧振器，其包括壓電晶片、設置于壓電晶片上的叉指換能器以及設置于叉指換能器兩側的第一短路指反射陣和第二短路指反射陣；所述叉指換能器為GAM優化加權單元。所述GAM是一種基于神經網絡理論的加權方法。進一步地，所述諧振器為中心頻率為579MHZ至580MHZ的諧振器，所述諧振器的插入損耗為I至I. 5dB，諧振擺幅為28dB。進一步地，所述叉指換能器包括平行設置的第一換能器電極條以及第二換能器電極條，所述第一換能器電極條以及第二換能器電極條之間排布有多條金屬條；每條金屬條與第一換能器電極條以及第二換能器電極條中任一換能器電極條相連且不與其他換能器電極條相連；相鄰的金屬條連接的換能器電極條不同。進一步地，所述第一短路指反射陣和第二短路指反射陣結構相同，均包括平行設置的第一反射陣電極條以及第二反射陣電極條，第一反射陣電極條以及第二反射陣電極條之間等間距的連接有多條短路金屬條，該多條短路金屬條均將第一反射陣電極條以及第二反射陣電極條連接。進一步地，所述換能器金屬條的長度以中心金屬條為對稱軸呈對稱分布，金屬條的長度向兩側逐漸遞減。采用對稱方式排布金屬條，保證了聲表面波諧振器聲-電轉換的效率。進一步地，換能器金屬條的寬度根據聲表面波諧振頻率的不同而不同，且換能器金屬條與短路金屬條寬度之比為特定比例，以實現特定的諧振頻點。本技術聲表面波諧振器通過設計叉指換能器的結構并采用銅鋁合金質的結構材料使得其中心頻率較常規聲表面波諧振器高，金屬結構尺度較小、諧振擺幅較大、插入損耗較低。同時，本技術聲表面波諧振器的諧振頻段避開了信號擁堵的通用頻段，用于專用無線系統時，安全性高，抗干擾能力強。附圖說明圖I是本技術SR580T75型低損耗聲表面波諧振器的結構示意圖；圖2是本技術SR580T75型低損耗聲表面波諧振器的封裝外形圖。具體實施方式以下是本技術的具體實施例并結合附圖，對本技術的技術方案作進一步的描述，但本技術并不限于這些實施例。請參照圖1，圖I為本技術SR580T75型低損耗聲表面波諧振器的結構示意圖，圖I中，SR580T75型低損耗聲表面諧振器包括壓電晶片5，設置于壓電晶片5上的叉指換能器6，設置于叉指換能器6兩側的第一短路指反射陣3和第二短路指反射陣4。本技術中叉指換能器6經過GAM優化加權，使得本技術聲表面波諧振器諧振擺幅加大，插入損耗減小。叉指換能器包括平行設置的第一換能器電極條以及第二換能器電極條，第一換能器電極條以及第二換能器電極條之間排布有多條金屬條；每條金屬條與第一換能器電極條以及第二換能器電極條中任一換能器電極條相連且不與其他換能器電極條相連；相鄰的金屬條連接的換能器電極條不同。第一短路指反射陣3和第二短路指反射陣4結構相同，均包括平行設置的第一反射陣電極條以及第二反射陣電極條，第一反射陣電極條以及第二反射陣電極條之間等間距的連接有多條短路金屬條，該多條短路金屬條均將第一反射陣電極條以及第二反射陣電極條連接。更優選地，所述換能器金屬條長度以中心金屬條為對稱軸呈對稱分布，各金屬條的長度向兩側逐漸遞減。更優選地，所述換能器金屬條的寬度設置為四分之一工作波長，且換能器金屬條與短路金屬條寬度之比為I : O. 9926，以避開現有的315MHz、433MHz等諧振頻點并實現較大的諧振擺幅和較小的諧振損耗。請參照圖I、圖2，其為本技術SR580T75型低損耗聲表面波諧振器封裝時的結構示意圖。封裝時，第一換能器電極條以及第二換能器電極條上還分別連接有用于信號輸入和輸出的第一信號引腳5和第二信號引腳6 ;兩個短路指反射陣的任一反射陣電極條上連接有接地引腳7。封帽8將壓電晶片I覆蓋。在一優選實施例中，壓電晶片I采用石英制成，叉指換能器2以及第一短路指反射陣3和第二短路指反射陣4均由銅鋁合金制成。叉指換能器2以及第一短路指反射陣3和第二短路指反射陣4的厚度均為O. 015至O. 025毫米。在該優選實施例中，聲表面波諧振器的電學性能參數如下表本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種SR580T75型低損耗聲表面波諧振器，其特征在于：包括壓電晶片、設置于壓電晶片上的叉指換能器以及設置于叉指換能器兩側的第一短路指反射陣和第二短路指反射陣；所述叉指換能器為GAM優化加權單元。
【技術特征摘要】
1.一種SR580T75型低損耗聲表面波諧振器,其特征在于包括壓電晶片、設置于壓電晶片上的叉指換能器以及設置于叉指換能器兩側的第一短路指反射陣和第二短路指反射陣；所述叉指換能器為GAM優化加權單元。2.如權力要求I所述的聲表面波諧振器，其特征在于所述諧振器為中心頻率為579MHZ至580MHZ的諧振器，所述諧振器的插入損耗為I至I. 5dB，諧振擺幅為28dB。3.如權利要求I或2所述的聲表面波諧振器，其特征在于所述叉指換能器包括平行設置的第一換能器電極條以及第二換能器電極條，所述第一換能器電極條以及第二換能器電極條之間排布有多條金屬條；每...
【專利技術屬性】
技術研發人員：趙成，林波，王敬元，
申請(專利權)人：臺州歐文電子科技有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。