半導體測試方法技術

本發明專利技術公開了一種半導體測試方法，設定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設定值下的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行16次測試，也不需采用編程語言進行選擇，進一步的縮短了總的測試時間，同時使得測試操作變得更加簡捷。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及集成電路制造領域，特別涉及一種。
技術介紹
在半導體制程中，有半導體測試這一步驟，半導體測試的目的是控制測試系統硬件以一定的方式保證被測器件達到或超越它的那些被具體定義在器件規格書里的設計指標。Flash存儲器作為一種常用器件，其也需要進行相應參數的檢測，對于這種器件， 其擦除電壓(VEE)和編程電壓(VEP)的測試方法包括在計算器(register)中載入一組數據，例如可以是編程電壓，通常可以為16個，位于計算器的16個檔位中；并通過在該檔位下的值時燒斷存儲器中相應的保險絲，來不斷調整到合適的電壓(該過程被稱作trim)，在此過程中需要用到精確測試單元(precision measure unit,PMU)來量測,接著采用相應的計算機預言編寫相關程序，從16個測得的值中選取最接近目標值的一個測得的值作為最終結果。在現有的測試方法中，采用PMU裝置進行測試，然而，該方法包括多個測量時間段和在利用每一個檔位測試之后進行轉換的時間段，如此便使得每次測試的時間約在幾百微秒的范圍內，這個時間范圍對測試而言，是比較長的，尤其是一組測量16次時，每個存儲器的測試時間將達到幾秒甚至十幾秒。
技術實現思路
本專利技術的目的是提供一種，改善現有的測試技術，縮短測試時間， 從而提聞測試效率。為解決上述技術問題，本專利技術提供一種，利用測試機測試待測單元的電參數，設定多個預定值、一目標參數、第一基準和第二基準，所述目標參數小于所述第一基準且大于所述第二基準；將一個預定值賦予待測單元，由測試機比較該預定值下待測單元的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，若所述電參數在所述第一基準和第二基準之間，則認可該電參數并停止測試，否則繼續獲得另一個預定值進行測試和判斷。可選的，對于所述的，所述電參數為寫入電壓或擦除電壓。可選的，對于所述的，所述第一基準、所述目標參數及所述第二基準成等差數列。可選的，對于所述的，所述預定值和所述電參數最多為16個。本專利技術提供的，設定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設定值下的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，并由此判斷是否合格， 如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行16次測試，也不需采用編程語言進行選擇，進一步的縮短了總的測試時間，同時使得測試操作變得更加簡捷。附圖說明圖I為本專利技術一實施例的的流程圖2為本專利技術一實施例的的過程示意圖。具體實施方式以下結合附圖和具體實施例對本專利技術作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本專利技術的優點和特征將更清楚。需說明的是，本專利技術附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本專利技術實施例的目的。請參考圖I和圖2，本專利技術實施例提供一種，測試待測單元，例如存儲器的電參數，所述電參數包括寫入電壓和擦除電壓，首先，設定多個預定值、一目標參數、第一基準和第二基準，所述目標參數即目標電壓的值，例如在某一存儲器的擦除電壓的測試 中，目標電壓的值為5 V，所述第一基準VOH和第二基準VOL可以根據實際要求的不同，并結合生產經驗進行設定，需要滿足的是，所述目標參數需要小于所述第一基準V0H，且大于所述第二基準V0L，除非有特殊的要求，在一般情況下，所述第一基準V0H、所述目標參數及所述第二基準VOL成等差數列，其公差則為可接受的偏差，例如在該測試中，可接受偏差為 O. I，則 VOH 為 5+0. 1=5. I，那么 VOL 為 5-0. I = 4. 9 ；在通常的測試過程中，可將預定值標記為0x00、0x01……OxOf，共16個預定值，范圍在3V1V之間，且按升序或降序排列，在其他實施例中，也可以少于16個，例如可以是8 個，將一個預定值賦予待測單元，在此優選為按序賦予，接著由測試機比較該預定值下存儲器的擦除電壓與所述第一基準VOH和第二基準VOL的關系，通常在大于第一基準VOH時為電平1，小于第二基準VOL是為電平0，所述測試機能夠分辨出測試時存儲器的擦除電壓是電平1，電平O或者是位于二者之間，在二者接觸時，可通過例如是傳感器將結果直接在坐標中顯示出，而所述坐標中則標出所述第一基準V0H、所述目標參數及所述第二基準V0L， 以便能夠直觀的展現出三者的數值關系，若所述擦除電壓在所述第一基準和第二基準之間，則認可該擦除電壓并停止測試；然而，在實際測試中，很難保證第一個擦除電壓就滿足要求，如圖2中所示，第一個擦除電壓為電平1，即大于5. IV，那么便將計算器中第二個預定值0x01賦予測試機，進行第二次測試，如此循環，在本實施例中，第四次測試的擦除電壓落于VOH和VOL之間，那么該次擦除電壓是符合要求，至此，便可停止測試，因為已經獲得合格的值。采用上述測試方法，每次測試所用時間極短，約在納秒級別，且由于不使用PMU，能夠大大的縮短單次測試的時間，而且總的測試次數通常小于16次，且不需要利用編程語言進行選擇，這也進一步的縮短了所用時間，一個完整的測試過程僅需幾百納秒的時間，這要比現有的測試方法快得多。考慮到實際情況，例如取值的規劃和設備自身的情況，所述預定值最多為16個， 若在經過16次循環后，依然不能夠有一個電參數落在VOH和VOL之間，則應當停止測量并可判斷此芯片trim失效，進而進行相應的處理，此乃業內常識，本申請將不做贅述。上述實施例以擦除電壓的測試為例對本專利技術進行了闡述，應當理解的是，圖2中雖然有給出坐標軸的數據，但是本方法并不進行實際電參數的值的測量，僅是判斷是電平 1，電平O還是位于二者之間。此外，寫入電壓(或編程電壓)及其他具有與現有技術中對擦除電壓進行測試的方法相同或相似的測試對象皆可采用本專利技術的方法。與現有技術相比，本專利技術提供的，設定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設定值下的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行16次測試，也不需采用編程語言進行選擇，進一步的縮短了總的測試時間，同時使得測試操作變得更加簡捷。顯然，本領域的技術人員可以對專利技術進行各種改動和變型而不脫離本專利技術的精神和范圍。這樣，倘若本專利技術的這些修改和變型屬于本專利技術權利要求及其等同技術的范圍之內，則本專利技術也意圖包括這些改動和變型在內。權利要求1.一種，利用測試機測試待測單元的電參數，其特征在于，設定多個預定值、一目標參數、第一基準和第二基準，所述目標參數小于所述第一基準且大于所述第二基準；將一個預定值賦予待測單元，由測試機比較該預定值下待測單元的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，若所述電參數在所述第一基準和第二基準之間，則認可該電參數并停止測試，否則繼續獲得另一個預定值進行測試和判斷。2.如權利要求I所述的，其特征在于，所述電參數為寫入電壓或擦除電壓。3.如權利要求2所述的，其特征在于，所述第一基準、所述目標參數及所述第二基準成等差數列。4.如權利要求I所述的，其特征在于，所述預定值和所述電參數最多為16個。全文摘要本專利技術公開了一種，設定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設定值下的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體測試方法，利用測試機測試待測單元的電參數，其特征在于，設定多個預定值、一目標參數、第一基準和第二基準，所述目標參數小于所述第一基準且大于所述第二基準；將一個預定值賦予待測單元，由測試機比較該預定值下待測單元的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，若所述電參數在所述第一基準和第二基準之間，則認可該電參數并停止測試，否則繼續獲得另一個預定值進行測試和判斷。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：張若成，索鑫，錢亮，
申請(專利權)人：上海宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：