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本發明公開了一種半導體測試方法，設定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設定值下的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行1...該專利屬于上海宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種半導體測試方法，設定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設定值下的電參數與所述第一基準和第二基準的關系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行1...