本發(fā)明專利技術涉及一種石英晶體諧振器真空檢漏法，將石英晶體諧振器產(chǎn)品分別置于常壓和真空度在100Pa以下的負壓狀態(tài)下分別檢測其諧振電阻R常和R負；計算兩者之間的變化率R%=R負/R常%，如果變化率R%大于等于10%時，則判定產(chǎn)品漏氣；反之，則判定產(chǎn)品不漏氣。本發(fā)明專利技術檢測出的漏氣產(chǎn)品可以再封裝修復，而且檢測設備可用常規(guī)電性能測試設備，設備投資少，檢測所需時間短，效率高，且檢測不需要樣件，不會出現(xiàn)漏檢和誤檢。
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及一種石英晶體諧振器檢漏方法，具體地說是一種石英晶體諧振器真空檢漏法。
技術介紹
晶體封裝后是否漏氣，是晶體產(chǎn)品可靠性的重要指標之一。目前，檢測石英晶體諧振器產(chǎn)品是否漏氣的方法主要是液體加壓法和壓差法。液體加壓法的方法是先將產(chǎn)品放入加壓罐，再向加壓罐內注入酒精，然后向加壓罐內加空壓氣，使加壓罐內的壓力保持在5kg的壓力，時間為30分鐘；將產(chǎn)品取出，同時用毛巾將產(chǎn)品的表面的酒精擦干后再對其進行頻率電性能測試。如果產(chǎn)品密封性不好，酒精會通過產(chǎn)品的縫隙進行產(chǎn)品內，測得的電性能會發(fā)生改變，因此，可以判斷該件產(chǎn)品漏氣，不合格。這種檢漏方法由于通過晶體的參數(shù) 來判斷，優(yōu)點是設備投資少，缺點是一是每次加壓需半小時，測試時間長；二是酒精易揮發(fā)，對于容腔小的產(chǎn)品比如SMD產(chǎn)品，容易產(chǎn)生漏判；三是可能會發(fā)生誤判，晶體的本身不良也會導致晶體電性能改變；四是檢測具有破壞性，漏氣產(chǎn)品由于酒精滲入導致晶體污染而無法再次封裝修復，導致廢品率增加而使生產(chǎn)成本上升。壓差法是將產(chǎn)品與合格的樣件分別放置在兩個容積相同的容器內，分別同時抽氣至兩個容積相同的儲氣室內，測量兩個儲氣室的壓力，根據(jù)壓力是否有差別來判斷產(chǎn)品是否漏氣。這種方法的優(yōu)點是檢測不具有破壞性，漏氣產(chǎn)品可重新封裝修復，可以提高產(chǎn)品合格率，降低生產(chǎn)成本。缺點是設備價格昂貴，單臺檢測設備價格達80萬元以上；其次，要求產(chǎn)品與樣件外觀完全一致，否則會因外觀體積誤差而導致誤判。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術的目的是針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種石英晶體諧振器檢漏方法，不僅檢測不具備破壞性，漏氣產(chǎn)品可修復，而且具有檢測設備投資少的優(yōu)點。本專利技術基于以下思路實現(xiàn)的同一頻率點的晶體在不同真空度下的諧振電阻R不同，并且隨著真空度下降，其諧振電阻R也呈下降趨勢。如果將產(chǎn)品在常壓和低真空度的負壓狀態(tài)下分別檢測其諧振電阻1^和Rw如果后者Ril較前者諧振電阻Rrt明顯下降，則說明產(chǎn)品內晶體周圍的真空度下降，即可判斷其漏氣。本專利技術的方法是將石英晶體諧振器產(chǎn)品分別置于常壓和真空度在IOOPa以下的負壓狀態(tài)下分別檢測其諧振電阻Ril ;計算兩者的變化率R^FRil/R /。，如果變化率R%大于等于10%時，則判定產(chǎn)品漏氣；反之，則判定產(chǎn)品不漏氣。本專利技術兼具液體加壓法和壓差法的優(yōu)點，通過抽真空使得漏氣產(chǎn)品內部晶體不會發(fā)生污染，以利于漏氣產(chǎn)品再封裝修復；利用測試電性能一諧振電阻，只需將常規(guī)電性能檢測設備設置在密閉的真空罩內即可使用，不僅設備投資較少，而且還可以利用現(xiàn)有設備改造使用。本專利技術的一個優(yōu)選方案是負壓狀態(tài)的真空度在50Pa以下。在該真空度下的諧振電阻較小，與常壓下的阻值差別大，易于判別，不會出現(xiàn)誤判。本專利技術不僅兼具液體加壓法和壓差法的優(yōu)點，檢測出的漏氣產(chǎn)品可以再封裝修復，而且檢測設備可用常規(guī)電性能測試設備，設備投資少。同時還克服了液體加壓法和壓差法的缺點，具有檢測所需時間短，效率高，且檢測不需要樣件，不會出現(xiàn)漏檢和誤檢。具體實施例方式選用250B晶體測試儀作為檢測晶體諧振電阻R的設備。將儀器的測試夾具設置在真空罩內，配備真空泵對真空罩抽真空。選用3225規(guī)格的石英晶體諧振器產(chǎn)品作為檢測產(chǎn)品，其晶體頻率點為16M。檢漏方法如下I、利用250B晶體測試儀在常壓下檢測石英晶體諧振器產(chǎn)品的諧振電阻Rg ；2、將真空罩內的真空度設置在IOOPa的負壓狀態(tài)下檢測其諧振電阻R負；3、計算兩者變化率R^FRil/1^%，如果變化率R%大于等于10時，則判定產(chǎn)品漏氣；反之，則判定產(chǎn)品不漏氣。下表為三件產(chǎn)品在常壓及不同真空度下測得的諧振電阻及其變化率權利要求1.石英晶體諧振器真空檢漏法，其特征是將石英晶體諧振器產(chǎn)品分別置于常壓和真空度在IOOPa以下的負壓狀態(tài)下分別檢測其諧振電阻1^和Ril ;計算兩者之間的變化率Ry0=Ril/R /。，如果變化率R%大于等于10%時，則判定產(chǎn)品漏氣；反之，則判定產(chǎn)品不漏氣。2.根據(jù)權利要求I所述的石英晶體諧振器真空檢漏法，其特征是負壓狀態(tài)的真空度在50Pa以下。全文摘要本專利技術涉及一種石英晶體諧振器真空檢漏法，將石英晶體諧振器產(chǎn)品分別置于常壓和真空度在100Pa以下的負壓狀態(tài)下分別檢測其諧振電阻R常和R負；計算兩者之間的變化率R%=R負/R常%，如果變化率R%大于等于10%時，則判定產(chǎn)品漏氣；反之，則判定產(chǎn)品不漏氣。本專利技術檢測出的漏氣產(chǎn)品可以再封裝修復，而且檢測設備可用常規(guī)電性能測試設備，設備投資少，檢測所需時間短，效率高，且檢測不需要樣件，不會出現(xiàn)漏檢和誤檢。文檔編號G01M3/40GK102944362SQ201210413990公開日2013年2月27日 申請日期2012年10月26日 優(yōu)先權日2012年10月26日專利技術者陳維彥 申請人:銅陵市晶賽電子有限責任公司本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術保護點】
石英晶體諧振器真空檢漏法，其特征是：將石英晶體諧振器產(chǎn)品分別置于常壓和真空度在100Pa以下的負壓狀態(tài)下分別檢測其諧振電阻R常和R負；計算兩者之間的變化率R%=R負/R常%，如果變化率R%大于等于10%時，則判定產(chǎn)品漏氣；反之，則判定產(chǎn)品不漏氣。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：陳維彥，
申請(專利權)人：銅陵市晶賽電子有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。