陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種陣列基板制作方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括以下步驟：S1：在基板上形成包括柵極、柵線及柵絕緣層的圖形；S2：形成包括有源層及溝道區(qū)域的圖形；S3：形成包括源漏電極及數(shù)據(jù)線的圖形；S4：形成包括像素電極及鈍化層的圖形。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)還公開(kāi)了一種通過(guò)上述方法制作的陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)通過(guò)先制作有源層及溝道，將所有干刻的工藝在制作源漏電極之前完成，避免了將帶有數(shù)據(jù)金屬層的陣列基板放入干刻設(shè)備反應(yīng)腔室而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)金屬層靜電放電，從而避免了靜電放電會(huì)造成電路擊穿，破壞電路結(jié)構(gòu)的問(wèn)題，進(jìn)而提高了產(chǎn)品良率。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專(zhuān)利技術(shù)涉及顯示
，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
技術(shù)介紹
在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT IXD)制造工藝中，預(yù)防或減輕靜電放電(ESD)發(fā)生是一項(xiàng)重要的課題。在陣列基板制造過(guò)程中，發(fā)生靜電放電會(huì)造成電路擊穿，破壞電路結(jié)構(gòu)，造成短路或斷路等問(wèn)題，會(huì)嚴(yán)重影響產(chǎn)品良率。現(xiàn)有源、漏電極形成的刻蝕工藝極易發(fā)生靜電放電，破壞數(shù)據(jù)金屬層圖形，或?qū)е缕渑c柵金屬層短路。主要原因是帶有數(shù)據(jù)金屬層的陣列基板進(jìn)入干刻設(shè)備反應(yīng)腔室后，干刻設(shè)備反應(yīng)腔室會(huì)使用大功率的射頻電源，當(dāng)數(shù)據(jù)金屬層遇到大功率的射頻電源時(shí)極易發(fā)生靜電放電?，F(xiàn)有源、漏電極形成的刻蝕工藝有兩種一種是5Mask刻蝕工藝，一種是4Mask刻蝕工藝。5Mask刻蝕工藝首先Active Dep (有源層成膜),然后采用全曝光技術(shù)曝光顯影，接著進(jìn)行干刻設(shè)備進(jìn)行Active Etch (有源層刻蝕)，然后剝離、S/D Dep (數(shù)據(jù)金屬層成膜)、S/D Mask (曝光顯影)、S/D Wet Etch (S/D濕刻)，進(jìn)入干刻設(shè)備進(jìn)行N+Etch (N+有源層刻蝕)，剝離。從而完成源、漏電極形成的刻蝕工藝。4Mask刻蝕工藝首先Active Dep (有源層成膜)和S/D Dep (數(shù)據(jù)金屬層成膜)、然后采用半曝光技術(shù)曝光顯影，接著進(jìn)行1st S/D Wet Etch (第一次S/D濕刻)，再進(jìn)入干刻設(shè)備進(jìn)行Active Etch (有源層刻蝕)、PR Ashing (PR膠灰化)、然后進(jìn)行2nd S/D WetEtch (第二次S/D濕刻)，再進(jìn)入干刻設(shè)備進(jìn)行N+Etch (N+有源層刻蝕)，剝離。從而完成源、漏電極形成的刻蝕工藝。由上述兩種工藝流程可見(jiàn)，在最終刻蝕完源漏電極后都會(huì)有一次N+有源層的干亥IJ，因此會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)金屬層發(fā)生靜電放電。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本專(zhuān)利技術(shù)要解決的技術(shù)問(wèn)題是在制備陣列基板的過(guò)程中，如何避免數(shù)據(jù)金屬層發(fā)生靜電釋放。(二)技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本專(zhuān)利技術(shù)提供了一種陣列基板制作方法，包括以下步驟SI :在基板上形成包括柵極、柵線及柵絕緣層的圖形；S2 :形成包括有源層及溝道區(qū)域的圖形；S3 :形成包括源漏電極及數(shù)據(jù)線的圖形；S4 :形成包括像素電極及鈍化層的圖形。其中,所述步驟S2具體包括形成有源層薄膜，并涂覆光刻膠；通過(guò)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，保留有源層圖形區(qū)域的光刻膠，且使得有源層圖形區(qū)域中溝道區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠的厚度小于有源層圖形區(qū)域中其它區(qū)域的光刻膠的厚度；刻蝕暴露出的有源層薄膜，并對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化，灰化掉所述溝道區(qū)域的光刻膠；刻蝕暴露出的所述溝道區(qū)域的有源層薄膜，剝離剩余的光刻膠，以形成所述有源層及溝道區(qū)域的圖形。其中，所述形成有源層薄膜為依次形成N+a-Si和a-Si薄膜，所述刻蝕暴露出的所述溝道區(qū)域的有源層薄膜為刻蝕掉a-Si薄膜，并刻蝕掉部分N+a-Si薄膜。其中,所述步驟S3具體包括形成源漏金屬薄膜，并涂覆光刻膠；對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，保留源漏電極圖形區(qū)域的光刻膠；刻蝕暴露出的源漏金屬薄膜，剝離剩余的光刻膠，以形成源漏電極的圖形。本專(zhuān)利技術(shù)還提供了一種如上述任一項(xiàng)所述的陣列基板制作方法制作的陣列基板。本專(zhuān)利技術(shù)還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。(三)有益效果本專(zhuān)利技術(shù)的陣列基板制作方法中通過(guò)先制作有源層及溝道，將所有干刻的工藝在制作源漏電極之前完成，避免了將帶有數(shù)據(jù)金屬層的陣列基板放入干刻設(shè)備反應(yīng)腔室而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)金屬層靜電放電，從而避免了靜電放電會(huì)造成電路擊穿，破壞電路結(jié)構(gòu)的問(wèn)題，進(jìn)而提聞了廣品良率。附圖說(shuō)明圖I是本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的陣列基板制作方法流程圖；圖2是本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的陣列基板制作方法中在基板上沉積有源層薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是在圖2的基礎(chǔ)上通過(guò)半透光掩模板對(duì)光刻膠曝光顯示后的形成的基板示意圖；圖4是在圖3的基礎(chǔ)上刻蝕掉非有源層區(qū)域的有源層薄膜的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是在圖4的基礎(chǔ)上灰化掉溝道區(qū)域的光刻膠后的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是在圖5的基礎(chǔ)上刻蝕出溝道形成有源層圖形的基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是在圖6的基板上沉積源漏電極金屬薄膜后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是在圖7的基礎(chǔ)上通過(guò)掩模板對(duì)光刻膠曝光顯示后的形成的基板示意圖；圖9是在圖8的基礎(chǔ)上刻蝕掉暴露出的非源漏電極并剝離光刻膠后的基板結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)，但不用來(lái)限制本專(zhuān)利技術(shù)的范圍。如圖I所示，本實(shí)施例的陣列基板制作方法包括步驟S101，在基板上形成包括柵極、柵線及柵絕緣層的圖形。該步驟可通過(guò)現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)。步驟S102，形成包括有源層的圖形及溝道。具體步驟如下沉積(也可以是涂敷、濺射等多種方式)有源層薄膜，本實(shí)施例中，有源層采用兩層N+a-Si和a_Si材料形成，即依次沉積N+a-Si和a_Si薄膜，沉積完N+a-Si和a_Si薄膜后基板如圖2所示，由下至上依次為玻璃基板I、柵極及柵絕緣層2、N+a-Si薄膜3 '及a_Si薄膜4 '。如圖3所示，在最上層的a-Si薄膜4丨上涂覆光刻膠5，通過(guò)掩膜板(灰調(diào)或半調(diào)掩膜板)對(duì)光刻膠5進(jìn)行曝光顯影，保留有源層圖形區(qū)域A的光刻膠5，且使得有源層圖形 區(qū)域A中溝道區(qū)域B對(duì)應(yīng)的光刻膠5的厚度小于有源層圖形區(qū)域A中其它區(qū)域的光刻膠5的厚度。如圖4所示，刻蝕(干刻)暴露出的N+a-Si薄膜3 '及a_Si薄膜4 ^。如圖5所示，對(duì)光刻膠5進(jìn)行灰化，灰化掉溝道區(qū)域B的光刻膠5 ；如圖6所示，刻蝕(干刻)部分暴露出的有源層薄膜，即刻蝕(干刻)掉a-Si薄膜4丨，并刻蝕(干刻)掉部分N+a-Si薄膜3丨。剝離剩余的光刻膠5，以形成有源層的圖形(即N+a-Si層4和a-Si層3的圖形)及溝道區(qū)域。步驟S103，形成包括源漏電極及數(shù)據(jù)線的圖形。具體步驟如下如圖7所示，在形成有源層的圖形及溝道的基板上沉積(也可以是涂敷、濺射等多種方式)源漏金屬薄膜6'。如圖8所示，在源漏金屬薄膜6 '上涂覆光刻膠7，對(duì)光刻膠7進(jìn)行曝光顯影，保留源漏電極圖形區(qū)域C的光刻膠7。通過(guò)濕刻刻蝕掉暴露出的源漏金屬薄膜6丨，并剝離區(qū)域C剩余的光刻膠7，以形成源漏電極6的圖形,如圖9所示。步驟S104，在形成包括源漏電極6和數(shù)據(jù)線的基板上形成像素電極及鈍化層的圖形，該步驟也可采用現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝完成。本實(shí)施例的陣列基板制作方法中通過(guò)先制作有源層及溝道，將所有干刻的工藝在制作源漏電極之前完成，避免了將帶有數(shù)據(jù)金屬層的陣列基板放入干刻設(shè)備反應(yīng)腔室而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)金屬層靜電放電，從而避免了靜電放電會(huì)造成電路擊穿，破壞電路結(jié)構(gòu)的問(wèn)題，進(jìn)而提聞了廣品良率。本專(zhuān)利技術(shù)還提供了一種采用上述方法制作的陣列基板及包括該陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)，而并非對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的限制，有關(guān)
的普通技術(shù)人員，在不脫離本專(zhuān)利技術(shù)的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本專(zhuān)利技術(shù)的范疇，本專(zhuān)利技術(shù)的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。權(quán)利要求1.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟 Si:在基板上形成包括柵極、柵線及柵絕緣層的本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：S1：在基板上形成包括柵極、柵線及柵絕緣層的圖形；S2：形成包括有源層及溝道區(qū)域的圖形；S3：形成包括源漏電極及數(shù)據(jù)線的圖形；S4：形成包括像素電極及鈍化層的圖形。

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：白金超，孫亮，丁向前，劉耀，李梁梁，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，北京京東方顯示技術(shù)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：