一種陣列基板及其制作方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種陣列基板制作方法及陣列基板，陣列基板制作方法包括：在所述基板上形成柵金屬薄膜、絕緣薄膜以及半導(dǎo)體薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形；依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過第二次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極、公共電極和公共電極引線的圖形；形成絕緣層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成包括在所述漏極位置的絕緣層過孔圖形；形成像素電極層，通過第四次構(gòu)圖工藝形成包括狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極圖形。該陣列基板制作方法減少了陣列基板的制作步驟，從而降低了陣列基板的制作成本。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)屬于顯示
，具 體涉及。
技術(shù)介紹
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistor LiquidCrystal Display,簡稱TFT-IXD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無福射等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN(Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉(zhuǎn)換)模式和AD-SDS (ADvancedSuper Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù),簡稱ADS)模式等。其中，ADS模式的液晶顯示器主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。但ADS型顯示裝置大多采用6次構(gòu)圖工藝制作，工藝步驟較多，顯示裝置的制作成本較高。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)要解決的技術(shù)問題就是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，提供。本專利技術(shù)提供一種陣列基板制作方法，包括步驟SI，在所述基板上形成柵金屬薄膜、絕緣薄膜以及半導(dǎo)體薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形；步驟S2，在完成步驟SI的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過第二次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和公共電極的圖形；步驟S3，在完成步驟S2的基板上形成絕緣層，通過第三次構(gòu)圖形成包括工藝在所述漏極位置的絕緣層過孔圖形； 步驟S4，在完成步驟S3的基板上形成像素電極層，通過第四次構(gòu)圖工藝形成包括狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極圖形。優(yōu)選地，所述步驟2通過第二次構(gòu)圖工藝還形成包括公共電極引線的圖形；所述公共電極引線用于電性連接由柵線與數(shù)據(jù)線所限定的相鄰的兩個像素區(qū)域的公共電極。優(yōu)選地，在所述第一次構(gòu)圖工藝中，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜板通過半曝光工藝形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層的圖形位于所述柵線的上方。優(yōu)選地，在所述第二次構(gòu)圖工藝中，保留所述公共電極引線的圖形上方的金屬薄膜圖形，所述公共電極引線的圖形與金屬薄膜圖形具有相同形狀。優(yōu)選地，所述柵金屬薄膜采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、銅或其組合制作，所述柵金屬薄膜的厚度為IOOOA 700()A;和/或，所述柵極絕緣薄膜采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅材料制作，所述柵極絕緣薄膜的厚度為I O(K)A 6()()() A;和/或，所述半導(dǎo)體薄膜的厚度為〖000A 6000A;和/或，所述透明導(dǎo)電薄膜為ITO薄膜或IZO薄膜；所述透明導(dǎo)電薄膜的厚度為iooA ioooA;和/或，所述金屬薄膜的材料為鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻或銅，所述金屬薄膜的厚度為i()()()A 7()()()A;和/或，所述絕緣層采用氮化硅或二氧化硅制作；和/或，所述像素電極層采用ITO薄膜或IZO薄膜，所述像素電極層的厚度為1()()A ]()()()A。本專利技術(shù)還提供一種陣列基板，包括基板、柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，在所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有包括公共電極、像素電極和薄膜晶體管，所述像素電極與所述公共電極相對，并在所述像素電極和所述公共電極之間設(shè)有絕緣層，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極，所述源極和漏極下方包括具有與所述源極、漏極相同形狀的透明導(dǎo)電薄膜圖形。優(yōu)選地，進一步包括公共電極引線，所述公共電極引線用于電性連接?xùn)啪€與數(shù)據(jù)線所限定區(qū)域內(nèi)的相鄰的兩個像素區(qū)域的公共電極。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層位于所述柵線上方。優(yōu)選地，所述公共電極引線上方具有與所述公共電極引線相同形狀的金屬薄膜圖形。本專利技術(shù)具有以下有益效果本專利技術(shù)提供的陣列基板制作方法僅通過四次構(gòu)圖工藝即可形成陣列基板，減少了陣列基板的制作步驟，從而降低了陣列基板的制作成本。本專利技術(shù)提供的陣列基板由于僅通過四次構(gòu)圖工藝形成，降低了陣列基板的成本。附圖說明圖Ia為本專利技術(shù)實施例陣列基板的平面圖；圖Ib為圖Ia中圓圈位置處的局部放大圖；圖Ic沿圖Ib中Al-Al向的剖視圖；圖2為本實施例陣列基板制作方法的流程圖；圖3a為本專利技術(shù)實施例第一次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖3b為沿圖3a中A2-A2向的剖視圖；圖4a為本專利技術(shù)實施例第二次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖4b為沿圖4a中A3-A3向的剖視圖；圖5a為本專利技術(shù)實施例第三次構(gòu)圖工藝后的平面圖；圖5b為沿圖5a中A4-A4向的剖視圖。具體實施例方式為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本專利技術(shù)的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本專利技術(shù)提供的陣列基板及其制作方法進行詳細(xì)描述。由本實施例陣列基板制作方法獲得的陣列基板主要用于ADS型顯示裝置。參見圖Ia和圖lb，圖Ia為本專利技術(shù)實施例陣列基板的平面圖。圖Ib為沿圖Ia中Al-Al向的剖視圖。陣列基板具體可以包括TFT(薄膜晶體管)、柵線3和數(shù)據(jù)線7c，柵線3和數(shù)據(jù)線7c所限定的像素區(qū)域內(nèi)形成包括有像素電極9、公共電極2a。每兩個公共電極2a之間還可以設(shè)有公共電極引線2b，公共電極引線2b用于向公共電極2a提供電能，并將由柵線3與數(shù)據(jù)線7c所限定的相鄰的兩個像素區(qū)域的公共電極2a電性連接。公共電極引線2b通過連接部2c將與公共電極2a電性連接。 薄膜晶體管具體可以包括柵極、柵極絕緣層4、半導(dǎo)體層6、源極7a和漏極7b。柵極形成在玻璃基板I上，并與柵線3電性連接。在本實施例中，由于柵極和柵線3是在同一次構(gòu)圖工藝形成，而且兩者電性連接。柵極絕緣層4形成在柵極、柵線3上并覆蓋整個基板I。半導(dǎo)體層6形成在柵極絕緣層4上并位于柵極的上方。本實施例可以直接用柵線3作為柵極使用，即后續(xù)的半導(dǎo)體層位于所述柵線3上方。源極7a形成在柵極絕緣層4上，源極7a的一端位于柵極的上方，源極7a的另一端與數(shù)據(jù)線7c電性連接。漏極7b形成在柵極絕緣層4上，一端位于柵極的上方，另一端與像素電極9電性連接。源極7a和漏極7b下方包括具有與源極7a、漏極7b相同形狀的透明導(dǎo)電薄膜圖形，即將形成公共電極2a時所使用的透明導(dǎo)電薄膜保留，從而在源極7a、漏極7b的下方形成有透明導(dǎo)電薄膜圖形。源極7a和漏極7b之間形成有晶體管溝道區(qū)域。絕緣層8形成在源極7a、漏極7b和晶體管溝道區(qū)域上并覆蓋整個玻璃基板1，在漏極7b位置設(shè)有使像素電極9與漏極7b連接的絕緣層過孔8a。當(dāng)在柵極上施加電壓時，源極7a和漏極7b導(dǎo)通。在像素電極9具有狹縫結(jié)構(gòu)10，使得像素電極9和公共電極2a之間形成多維電場。在本實施例中，源極7a、漏極7b、公共電極2a、公共電極引線2b和數(shù)據(jù)線7c是同一次構(gòu)圖工藝形成。并在構(gòu)圖工藝過程中，可以將與公共電極引線2b位置相對的金屬薄膜保留。從而可以獲得以下結(jié)構(gòu)特征，即，在源極7a和漏極7b所在層中，與公共電極引線2b位置相對的區(qū)域設(shè)有金屬薄膜，換言之，在公共電極引線2b的上方具有與公共電極引線2b相同形狀的金屬薄膜圖形，這可以提高公共電極引本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括：步驟S1，在所述基板上形成柵金屬薄膜、絕緣薄膜以及半導(dǎo)體薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵極絕緣層和半導(dǎo)體層的圖形；步驟S2，在完成步驟S1的基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，通過第二次構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和公共電極的圖形；步驟S3，在完成步驟S2的基板上形成絕緣層，通過第三次構(gòu)圖工藝形成包括在所述漏極位置的絕緣層過孔圖形；步驟S4，在完成步驟S3的基板上形成像素電極層，通過第四次構(gòu)圖工藝形成包括狹縫結(jié)構(gòu)的像素電極圖形。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張彌，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：