互補(bǔ)型阻變存儲器及制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種互補(bǔ)型阻變存儲器及制備方法。該存儲器，由下至上依次包括底電極、氧儲備層、存儲介質(zhì)層和頂電極。其中，二氧化鈦納米存儲介質(zhì)層和氮氧化鈦氧存儲層是通過將氮化鈦薄膜進(jìn)行等離子體氧化的方法制備。通過電激勵使氧空位在納米存儲介質(zhì)層的上、下兩個界面間分布，實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)型阻變功能。本發(fā)明專利技術(shù)提供的存儲器，有效解決了阻變存儲器十字交叉陣列中的串?dāng)_問題，具有制備方法簡單、成本低等特點(diǎn)，用于開發(fā)高存儲密度、低功耗、納米尺度非易失性阻變存儲器。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種互補(bǔ)型阻變存儲器，由下至上依次包括底電極、氧儲備層、存儲介質(zhì)層和頂電極。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：潘峰，唐光盛，曾飛，陳超，劉宏燕，宋成，
申請(專利權(quán))人：清華大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：