基于消影玻璃的電容觸摸屏制造技術(shù)

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)的發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)目的在于提供消影效果好、同時(shí)有效保護(hù)金屬電極的基于消影玻璃的電容觸摸屏，包括玻璃基板，玻璃基板厚度為0.28mm～1.1mm；所述玻璃基板至少一面鍍有增透減反射AR膜和氧化銦錫ITO膜；增透減反射AR膜由至少一層高折射率鍍膜和至少一層低折射率鍍膜依次交替層疊形成；設(shè)有導(dǎo)電線(xiàn)條和電極；導(dǎo)電線(xiàn)條和電極上還鍍有絕緣保護(hù)膜層。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)的有益效果在于：通過(guò)在玻璃基板和氧化銦錫ITO膜之間鍍?cè)O(shè)多層AR膜，有效消除刻蝕線(xiàn)陰影；膜層材質(zhì)、膜層厚度、膜層結(jié)構(gòu)選擇方式豐富，適用范圍廣且加工方便；金屬或ITO線(xiàn)路上方設(shè)置SiO2膜層和OC膜層或兩者的組合，有效保護(hù)導(dǎo)電線(xiàn)條和電極，防止電極損壞和增加產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的多選擇性。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及觸摸屏制造
，具體涉及一種基于消影玻璃的電容觸摸屏。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有技術(shù)中，觸摸屏用玻璃一般包括玻璃基板和刻蝕有導(dǎo)電線(xiàn)條的氧化銦錫ITO膜，為提高透光效果，現(xiàn)有技術(shù)中也出現(xiàn)了在玻璃基板和氧化銦錫ITO膜之間增加增透減反射AR膜層的高透玻璃，例如專(zhuān)利號(hào)為201120253390. 5的技術(shù)專(zhuān)利公開(kāi)的一種高透 觸摸屏玻璃，該種玻璃僅應(yīng)用于玻璃基板厚度范圍在O. 33mm O. 55mm的觸摸屏，AR膜層厚度IOnm 2500nm，雖然透光效果較佳，但加工工藝復(fù)雜，應(yīng)用范圍窄。用于制作導(dǎo)航儀、平板電腦等設(shè)備的觸摸屏，其玻璃基板厚度范圍在O. 55_ O. 7_或I. 1_，具有貫通的刻蝕線(xiàn)位置和無(wú)刻蝕線(xiàn)位置之間存在大約3%的透光率差值，從而形成刻蝕線(xiàn)陰影，影響視覺(jué)效果。觸摸屏需要在玻璃基板上設(shè)置金屬電極，金屬電極位于玻璃基板邊緣，若不采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)措施，容易因剛性接觸等原因?qū)е聯(lián)p壞或變形且容易誤導(dǎo)通。另外，對(duì)于存在X向和Y向兩種線(xiàn)路的觸摸屏，需要將兩個(gè)方向的線(xiàn)路嚴(yán)格絕緣，該問(wèn)題在現(xiàn)有技術(shù)中未得到很好地解決。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本技術(shù)的專(zhuān)利技術(shù)目的在于提供消影效果好、同時(shí)有效保護(hù)金屬電極的基于消影玻璃的電容觸摸屏。本技術(shù)的專(zhuān)利技術(shù)目的通過(guò)以下方案實(shí)現(xiàn)基于消影玻璃的電容觸摸屏，包括玻璃基板，所述玻璃基板厚度為O. 28mm I. Imm ;所述玻璃基板至少一面鍍有增透減反射AR膜和氧化銦錫ITO膜；增透減反射AR膜由至少I(mǎi)層高折射率鍍膜和至少I(mǎi)層低折射率鍍膜依次交替層疊形成；設(shè)有導(dǎo)電線(xiàn)條和電極；導(dǎo)電線(xiàn)條和電極上還鍍有絕緣保護(hù)膜層。進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由氧化銦錫ITO膜刻蝕成形。作為導(dǎo)電線(xiàn)條和電極的另一優(yōu)選方案，所述導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由鍍?cè)O(shè)在氧化銦錫ITO膜和絕緣保護(hù)膜層之間的金屬膜刻蝕成形。作為絕緣保護(hù)膜層的第一優(yōu)選方案，所述絕緣保護(hù)膜層為膜層，厚度為30nm lOOOnm。作為絕緣保護(hù)膜層的第二優(yōu)選方案，所述絕緣保護(hù)膜層為OC膠，厚度為I5 ,。作為絕緣保護(hù)膜層的第三優(yōu)選方案，所述絕緣保護(hù)膜層為SiO2膜層和OC膠復(fù)合膜層，OC膠覆蓋在貨: 膜層上，SiO2膜層厚度為30nm lOOOnm，OC膠厚度為I _ 5 ,靡。導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由金屬膜制作時(shí)，進(jìn)一步地，所述金屬膜的材質(zhì)選自銅、鑰、鋁、銀中的一種，厚度為\ , 5 ,。進(jìn)一步地，所述氧化銦錫ITO膜厚度5nm 200nm，增透減反射AR膜包括2 8層鍍膜，總厚度為50nm 500nm。進(jìn)一步地，所述高折射率鍍膜為'BO2膜或M2O5膜，膜層厚度為5nm 500nm ;所述低折射率鍍膜為SiO2膜，膜層厚度為30nm lOOOnm。本技術(shù)的有益效果在于通過(guò)在玻璃基板和氧化銦錫ITO膜之間鍍?cè)O(shè)多層AR膜，有效消除刻蝕線(xiàn)陰影；膜層材質(zhì)、膜層厚度、膜層結(jié)構(gòu)選擇方式豐富，適用范圍廣且加工方便；金屬或ITO線(xiàn)路上方設(shè)置Si02膜層和OC膜層或兩者的組合，有效保護(hù)導(dǎo)電線(xiàn)條和電極，防止電極損壞和增加產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的多選擇性。附圖說(shuō)明 圖I為本技術(shù)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)作進(jìn)一步詳細(xì)描述實(shí)施例一參照?qǐng)D1，基于消影玻璃的電容觸摸屏，包括玻璃基板1，玻璃基板厚度為O. 28mm I. Imm ;玻璃基板至少一面鍍有增透減反射AR膜2和氧化銦錫ITO膜3 ;增透減反射AR膜2由至少I(mǎi)層高折射率鍍膜和至少I(mǎi)層低折射率鍍膜依次交替層疊形成；設(shè)有導(dǎo)電線(xiàn)條4和電極5 ;導(dǎo)電線(xiàn)條4和電極5上還鍍有絕緣保護(hù)膜層6。導(dǎo)電線(xiàn)條4和電極5可以直接由氧化銦錫ITO膜刻蝕成形，也可以由鍍?cè)O(shè)在氧化銦錫ITO膜3和絕緣保護(hù)膜層6之間的金屬膜刻蝕成形。本實(shí)施例中的金屬電極5由覆蓋在氧化銦錫ITO膜上的金屬鍍膜經(jīng)刻蝕形成。為保證良好的導(dǎo)電性能及使用壽命，金屬膜的材質(zhì)選自銅、鑰、鋁、銀中的一種，也可以是前述四種金屬之間組合的合金，厚度為50nm 500nmo為進(jìn)一步提高透光率和消影效果，氧化銦錫ITO膜厚度5nm 200nm，增透減反射AR膜包括2 8層鍍膜，總厚度為30nm lOOOnm。本實(shí)施例中，高折射率鍍膜21為rRO2膜或Nh2Os膜，膜層厚度為5nm 500nm ;低折射率鍍膜22為SiO2膜，膜層厚度為30nm lOOOnm。通常，高折射率鍍21膜選為T(mén)lO2膜，膜層最優(yōu)厚度為5nm 500nm。高折射率鍍膜21也可以采用Mh2Os膜，可進(jìn)一步降低成本。實(shí)施例二參照?qǐng)D2，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于實(shí)施例一中的絕緣保護(hù)膜層僅為SiO2膜層，而本實(shí)施例中絕緣保護(hù)膜層為SO2膜層6和OC膠7組成的復(fù)合膜層，OC膠7覆蓋在沒(méi)O2膜層6上，SO2膜層6厚度為30nm lOOOnm，OC膠7厚度為Yβη b βη。本實(shí)施例采用的OC膠包括以下成分Acrylic resin (壓克力樹(shù)脂)、Acrylic monomers (壓克力單體)、Epoxy (環(huán)氧樹(shù)脂)、Photo initiator (光起始劑)、Ethoxyethylpropionate (EEP)、 乙酸丙二醇單甲基醚酯(Propylene glycol monomethylether acetate)。當(dāng)然,絕緣保護(hù)膜層還可以是僅有一層OC膠,厚度為I ._ 5辦。OC膠可起到絕緣橋的作用，有效隔離X向刻蝕線(xiàn)路和Y向刻蝕線(xiàn)路。雖然本技術(shù)已通過(guò)參考優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行了圖示和描述，但是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，可以不限于上述實(shí)施例的描述，在權(quán)利要求書(shū)的范圍內(nèi)，可作形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。權(quán)利要求1.基于消影玻璃的電容觸摸屏，包括玻璃基板，其特征在于 1-1)所述玻璃基板厚度為0. 28mm I. Imm ； 1-2)所述玻璃基板至少一面鍍有增透減反射AR膜和氧化銦錫ITO膜； 1-3)增透減反射AR膜由至少I(mǎi)層高折射率鍍膜和至少I(mǎi)層低折射率鍍膜依次交替層疊形成； 1-4)設(shè)有導(dǎo)電線(xiàn)條和電極； 1-5)導(dǎo)電線(xiàn)條和電極上還鍍有絕緣保護(hù)膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由氧化銦錫ITO膜刻蝕成形。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由鍍?cè)O(shè)在氧化銦錫ITO膜和絕緣保護(hù)膜層之間的金屬膜刻蝕成形。4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述絕緣保護(hù)膜層為SiO2膜層，厚度為30nm IOOOnm。5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述絕緣保護(hù)膜層為OC膠，厚度為I , 5 ,。6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述絕緣保護(hù)膜層為及02膜層和OC膠復(fù)合膜層，OC膠覆蓋在SiO2膜層上，SiO2膜層厚度為30nm lOOOnm，OC膠厚度為\ fan も_。7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項(xiàng)所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述金屬電極的材質(zhì)選自銅、鑰、鋁、銀中的ー種，厚度為I — 58.根據(jù)權(quán)利要求I至6任一項(xiàng)所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于所述氧化銦錫ITO膜厚度5nm 200nm，增透減反射AR膜包括2 8層鍍膜，總厚度本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
基于消影玻璃的電容觸摸屏，包括玻璃基板，其特征在于：1?1）所述玻璃基板厚度為0.28mm～1.1mm；1?2）所述玻璃基板至少一面鍍有增透減反射AR膜和氧化銦錫ITO膜；1?3）增透減反射AR膜由至少1層高折射率鍍膜和至少1層低折射率鍍膜依次交替層疊形成；1?4）設(shè)有導(dǎo)電線(xiàn)條和電極；1?5）導(dǎo)電線(xiàn)條和電極上還鍍有絕緣保護(hù)膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由氧化銦錫ITO膜刻蝕成形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述導(dǎo)電線(xiàn)條和電極由鍍?cè)O(shè)在氧化銦錫ITO膜和絕緣保護(hù)膜層之間的金屬膜刻蝕成形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述絕緣保護(hù)膜層為?膜層，厚度為30nm～1000nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述絕緣保護(hù)膜層為OC膠，厚度為1～5。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述絕緣保護(hù)膜層為膜層和OC膠復(fù)合膜層，OC膠覆蓋在膜層上，膜層厚度為30nm～1000nm，OC膠厚度為1～5。7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項(xiàng)所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述金屬電極的材質(zhì)選自銅、鉬、鋁、銀中的一種，厚度為1～5。8.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述氧化銦錫ITO膜厚度5nm～200nm，增透減反射AR膜包括2～8層鍍膜，總厚度為50nm～500nm。9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的基于消影玻璃的電容觸摸屏，其特征在于：所述高折射率鍍膜為膜或膜，膜層厚度為5nm～500nm；所述低折射率鍍膜為膜，膜層厚度為30nm～1000nm。dest_path_dest_path_image002.jpg,dest_path_dest_path_image004.jpg,dest_path_724240dest_path_image004.jpg,dest_path_538612dest_path_image002.jpg,dest_path_361074dest_path_image002.jpg,dest_path_441157dest_path_image002.jpg,dest_path_640057dest_path_image004.jpg,dest_path_308936dest_path_image004.jpg,dest_path_302300dest_path_image004.jpg,dest_path_118946dest_path_image004.jpg,dest_path_dest_path_image006.jpg,dest_path_dest_path_image008.jpg,dest_path_689515dest_path_image002.jpg...

【技術(shù)特征摘要】

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：屠有軍，鄭永，袁發(fā)根，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：浙江大明玻璃有限公司，
類(lèi)型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：