一種薄膜電容器制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)涉及一種薄膜電容器，其主要運(yùn)用于電容器制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種薄膜電容器，其包括蒸鍍電極、電極箔、引線、介質(zhì)、芯子，芯采用了芯子后，薄膜電容器的頻率特性優(yōu)異，介質(zhì)損失很小，能確保信號(hào)在傳送時(shí)，避免了有太大的失真，并且具有一種自我復(fù)原功能，即當(dāng)電極的微小部分因?yàn)殡娊缳|(zhì)脆弱而引起短路時(shí)，引起短路部分周圍的電極金屬，會(huì)因當(dāng)時(shí)電容器所帶的靜電能量或短路電流，而引發(fā)更大面積的溶融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及ー種薄膜電容器，尤其是涉及電極箔式薄膜電容器。
技術(shù)介紹
有感箔式薄膜電容器(以下稱有感箔式構(gòu)造)因本身不具備自我復(fù)原功能，須根據(jù)介質(zhì)的耐壓性能來(lái)設(shè)計(jì)膜的厚度。絕大多數(shù)的設(shè)計(jì)的耐壓能力為額壓電壓/膜厚=耐壓能力20￥/^111，設(shè)計(jì)時(shí)的耐壓能カ都超過(guò)50￥/^111。有感箔式構(gòu)造エ藝雖然很簡(jiǎn)單，并且形狀小，具有一定的價(jià)格竟?fàn)巸?yōu)勢(shì)，但是耐壓能力不夠強(qiáng)、并且不能容納高電壓以及大能量、也 沒有自我復(fù)原功能的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種薄膜電容器，解決傳統(tǒng)薄膜電容器耐壓能力不夠強(qiáng)、不能容納高電壓以及大能量、并且沒有自我復(fù)原功能的問(wèn)題。本技術(shù)解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下ー種薄膜電容器，其包括蒸鍍電扱、電極箔、引線、點(diǎn)介質(zhì)、芯子，所述引線焊在所述電極箔上，所述引線的一端與芯子相連，所述電極箔焊接在所述蒸鍍電極長(zhǎng)邊的ー側(cè)上，所述蒸鍍電極焊在所述點(diǎn)介質(zhì)上。所述電極箔接觸面的蒸鍍膜電阻小于等于I. 5Q/nm，接觸面以外的電阻值范圍為1.5Q/nm 10Q/nm。所述引線通過(guò)所述引線上的兩處點(diǎn)焊焊接在所述電極箔上，在所述電極箔與所述蒸鍍電極之間的焊接材料為導(dǎo)電材料。所述電極箔(具備基材，由閥作用金屬箔組成；第I粗糙化層，由在基材的第I面通過(guò)蒸鍍形成的閥作用金屬構(gòu)成；和第2粗糙化層，由在基材的第2面通過(guò)蒸鍍形成的閥作用金屬構(gòu)成。第I和第2粗糙化層各自的空孔徑的眾數(shù)為0. 02 u m 0. IOy m。第I粗糙化層的厚度比第2粗糙化層的厚度大。)接觸面的蒸鍍膜電阻為I. 5Q/nm以內(nèi)接觸面以外的電阻在I. 5 Q /nm 10 Q /nm之間。所述電極箔能通過(guò)蒸鍍可靠地制造出粗糙化層，并且能夠得到具有大容量的固體電解電容器，電極箔與蒸鍍電極箔之間的連接材料是導(dǎo)電材料。所述薄膜電容器具有無(wú)極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損失很小，能確保信號(hào)在傳送時(shí)，不致有大大的失真情形發(fā)生。這種薄膜電容器由于使用了芯子后，具有ー種自我復(fù)原功能，即當(dāng)電極的微小部分因?yàn)樗鲭娊橘|(zhì)的脆弱而引起短路時(shí)，引起短路部分的周圍的蒸鍍電極會(huì)因所述薄膜電容器所帯的靜電能量或短路電流，從而引發(fā)更大面積的溶融和蒸發(fā)，使得所述薄膜電容器恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用。本技術(shù)的有益效果是在使用本次專利技術(shù)的電容器芯子構(gòu)造后，具備了傳統(tǒng)箔式電容器所沒有的自我復(fù)原功能，并且頻率特性優(yōu)異、失真小，且耐壓能力由原來(lái)的20V/U m提聞到50V/ u m以上，體積大小不超過(guò)常規(guī)品的50%,而且聞電壓、大容量、小型化、低成本。附圖說(shuō)明圖I為本技術(shù)結(jié)構(gòu)部分A-A剖視圖；圖2為本技術(shù)的側(cè)視圖；附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下I、蒸鍍電極，2、電極箔，3、引線，4、電介質(zhì)，5、芯子具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本技術(shù)，并非用于限定本技術(shù)的范圍。如圖I所示的薄膜電容器結(jié)構(gòu)圖，在采用了本專利技術(shù)所述的芯子5構(gòu)成薄膜電容器后，將所述薄膜電容器連接到電路中，由于采用了芯子5，當(dāng)電極的微小部分因?yàn)閳D2所示的電介質(zhì)4脆弱而引起短路時(shí)，引起短路部分的周圍的所述蒸鍍電極I因所述薄膜電容器所帯的靜電能量或短路電流，從而引發(fā)了更大面積的溶融和蒸發(fā)，使得所述薄膜電容器恢復(fù)了絕緣，使所述薄膜電容器再度恢復(fù)正常的薄膜電容器的作用，，并且介質(zhì)損失很小，確保了信號(hào)在傳送時(shí)，并沒有大大的失真發(fā)生。所以這種薄膜電容器使用了芯子后，具有了一種自我復(fù)原功能。以上所述僅為本技術(shù)的較佳實(shí)施例，并不用以限制本技術(shù)，凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1.一種薄膜電容器，其特征在于其包括蒸鍍電極、電極箔、引線、點(diǎn)介質(zhì)、芯子，所述引線焊在所述電極箔上，所述引線的一端與芯子相連，所述電極箔焊接在所述蒸鍍電極長(zhǎng)邊的一側(cè)上，所述蒸鍍電極焊在所述點(diǎn)介質(zhì)上。2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜電容器，其特征在于所述電極箔接觸面的蒸鍍膜電阻小于等于I. 5Q/nm,接觸面以外的電阻值范圍為I. 5 Q /nm 10Q/nm。3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜電容器，其特征在于所述引線通過(guò)所述引線上的兩處點(diǎn)焊焊接在所述電極箔上。4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的薄膜電容器，其特征在于所述電極箔與所述蒸鍍電極之間的焊接材料為導(dǎo)電材料。專利摘要本技術(shù)涉及一種薄膜電容器，其主要運(yùn)用于電容器制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種薄膜電容器，其包括蒸鍍電極、電極箔、引線、介質(zhì)、芯子，芯采用了芯子后，薄膜電容器的頻率特性優(yōu)異，介質(zhì)損失很小，能確保信號(hào)在傳送時(shí)，避免了有太大的失真，并且具有一種自我復(fù)原功能，即當(dāng)電極的微小部分因?yàn)殡娊缳|(zhì)脆弱而引起短路時(shí)，引起短路部分周圍的電極金屬，會(huì)因當(dāng)時(shí)電容器所帶的靜電能量或短路電流，而引發(fā)更大面積的溶融和蒸發(fā)而恢復(fù)絕緣，使電容器再度回復(fù)電容器的作用。文檔編號(hào)H01G4/33GK202758751SQ20122041280公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月17日專利技術(shù)者陳重生 申請(qǐng)人:揚(yáng)州日精電子有限公司本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜電容器，其特征在于：其包括蒸鍍電極、電極箔、引線、點(diǎn)介質(zhì)、芯子，所述引線焊在所述電極箔上，所述引線的一端與芯子相連，所述電極箔焊接在所述蒸鍍電極長(zhǎng)邊的一側(cè)上，所述蒸鍍電極焊在所述點(diǎn)介質(zhì)上。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳重生，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：揚(yáng)州日精電子有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：