一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于：包括一真空反應腔；一基板架；一CO2激光器；一He-Ne激光器；一分束鏡，位于真空反應腔外并呈45度角設于CO2激光器與He-Ne激光器所發出的激光束的相交位置處；一聚焦凸透鏡；一散焦凹透鏡；一鉗鍋，用以盛放待蒸發材料；以及一反射鏡，設位于所述鉗鍋上方，用以將所述激光器發出的激光在由外而內依次經過分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口后，反射至所述鉗鍋內，對鉗鍋內的待蒸發材料進行激光加熱蒸發，從而在基板架上的基材或基片表面氣相沉積出含有所述待蒸發材料的膜層。本發明專利技術結構簡單，可對高熔點金屬材料進行非接觸式加熱使其蒸發而實現激光蒸發鍍膜，且不會污染真空反應腔體。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種激光蒸發鍍膜裝置。
技術介紹
傳統的蒸發鍍膜裝置，采用接觸式加熱，會污染真空腔體。另外，其加熱熔點較低，無法對高熔點金屬材料進行加熱使其蒸發。故有必要對現有技術作出改進，以提供一種激光蒸發鍍膜裝置，實現非接觸式加熱，且不會污染真空反應腔體。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種激光蒸發鍍膜裝置，其結構簡單，可對高熔點金屬材料進行非接觸式加熱使其蒸發而實現激光蒸發鍍膜，且不會污染真空反應腔體。 一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于包括一真空反應腔，該真空反應腔的側壁密封設有一窗口 ；一基板架，設于真空反應腔內，用以放置待鍍膜基板或基片；— CO2激光器,位于真空反應腔外并水平設置,其激光橫向發射并與所述窗口相對；一 He-Ne激光器,位于真空反應腔外并垂直設置,其激光縱向發射；一分束鏡，位于真空反應腔外并呈45度角設于CO2激光器與He-Ne激光器所發出的激光束的相交位置處；—聚焦凸透鏡，設于分束鏡與窗口之間的光路上；一散焦凹透鏡，設于聚焦凸透鏡與窗口之間的光路上；一鉗鍋，設于真空反應腔內并位于基板架的下方，用以盛放待蒸發材料；以及一反射鏡，設于真空反應腔內，并位于所述激光器、分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口所共同形成的光路上，且位于所述鉗鍋上方，用以將所述激光器發出的激光在由外而內依次經過分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口后，反射至所述鉗鍋內，對鉗鍋內的待蒸發材料進行激光加熱蒸發，從而在基板架上的基材或基片表面氣相沉積出含有所述待蒸發材料的膜層。本專利技術之一種激光蒸發鍍膜裝置，其結構簡單，采用CO2激光器，配合聚焦凸透鏡，可對高熔點金屬材料進行非接觸式加熱使高熔點金屬材料快速蒸發，最終在基材或基片上氣相沉積出膜層，非常適宜于超高真空下制備純潔薄膜，且獲得很高的蒸發速率。另外，因熱源置于真空反應腔外，所以不會污染真空反應腔體，既減少了污染，又簡化了真空室。本發可通過如下方案進行改進上述所述鉗鍋與基板架之間還設有可調節的擋板，用以調節基材或基片表面的氣相沉積鍍膜范圍。上述所述真空反應腔的側壁上還設有一反射鏡調整裝置，用以改變所述反射鏡與鉗鍋的相對位置并改變激光加熱的范圍。上述所述反射鏡的反射面上還罩設有一可拆卸護板，用以防止反射鏡在激光加熱蒸發時被蒸汽分子玷污。上述所述護板為薄的透明玻璃板。既能保護反射鏡，又盡可能小地影響反射效率。上述所述窗口為由Ge或ZnSe材料制成的窗口。 上述所述聚焦凸透鏡的位置可沿光路移動調節。附圖說明圖I為本專利技術示意圖。具體實施例方式如圖I所示，一種激光蒸發鍍膜裝置，包括一真空反應腔I、一基板架2、一可調節 的擋板3、一 CO2激光器4、一 He-Ne激光器5、一分束鏡6、一聚焦凸透鏡7、一散焦凹透鏡8、一鉗鍋9、一反射鏡10、以及一反射鏡調整裝置11。所述真空反應腔I的側壁密封設有一窗口 12，該窗口 12為由Ge或ZnSe材料制成的窗口。所述基板架2，設于真空反應腔I內，用以放置待鍍膜基板或基片。所述CO2激光器4，位于真空反應腔I外并水平設置，其激光橫向發射并與所述窗口 12相對。所述He-Ne激光器5，位于真空反應腔I外并垂直設置，其激光縱向發射。所述分束鏡6，位于真空反應腔I外并呈45度角設于CO2激光器4與He-Ne激光器5所發出的激光束的相交位置處。所述聚焦凸透鏡7，設于分束鏡6與窗口 12之間的光路上，并可沿光路移動調節。所述散焦凹透鏡8，設于聚焦凸透鏡7與窗口 12之間的光路上。所述鉗鍋9，設于真空反應腔I內并位于基板架2的下方，用以盛放待蒸發材料。所述反射鏡10，設于真空反應腔I內，并位于所述激光器、分束鏡6、聚焦凸透鏡7、散焦凹透鏡8和窗口 12所共同形成的光路上，且位于所述鉗鍋9上方，用以將所述激光器發出的激光在由外而內依次經過分束鏡6、聚焦凸透鏡7、散焦凹透鏡8和窗口 12后，反射至所述鉗鍋9內，對鉗鍋9內的待蒸發材料進行激光加熱蒸發，從而在基板架2上的基材或基片表面氣相沉積出含有所述待蒸發材料的膜層。所述可調節的擋板3，設于鉗鍋9與基板架2之間，用以調節基材或基片表面的氣相沉積鍍膜范圍。所述反射鏡調整裝置11，設于真空反應腔I的側壁上，用以改變所述反射鏡10與鉗鍋9的相對位置并改變激光加熱的范圍。所述反射鏡10的反射面上還罩設有一可拆卸護板(圖中未示出)，該護板為薄的透明玻璃板，用以防止反射鏡在激光加熱蒸發時被蒸汽分子玷污。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例，并非用來限定本專利技術實施的范圍，凡依本專利技術專利范圍所做的同等變化與修飾，皆落入本專利技術專利涵蓋的范圍。權利要求1.一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于包括 一真空反應腔，該真空反應腔的側壁密封設有一窗口 ； 一基板架，設于真空反應腔內，用以放置待鍍膜基板或基片； 一 CO2激光器，位于真空反應腔外并水平設置，其激光橫向發射并與所述窗口相對； 一 He-Ne激光器,位于真空反應腔外并垂直設置,其激光縱向發射； 一分束鏡，位于真空反應腔外并呈45度角設于CO2激光器與He-Ne激光器所發出的激光束的相交位置處； 一聚焦凸透鏡，設于分束鏡與窗口之間的光路上； 一散焦凹透鏡，設于聚焦凸透鏡與窗口之間的光路上； 一鉗鍋，設于真空反應腔內并位于基板架的下方，用以盛放待蒸發材料；以及一反射鏡，設于真空反應腔內，并位于所述激光器、分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口所共同形成的光路上，且位于所述鉗鍋上方，用以將所述激光器發出的激光在由外而內依次經過分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口后，反射至所述鉗鍋內，對鉗鍋內的待蒸發材料進行激光加熱蒸發，從而在基板架上的基材或基片表面氣相沉積出含有所述待蒸發材料的膜層。2.根據權利要求I所述的一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于所述鉗鍋與基板架之間還設有可調節的擋板，用以調節基材或基片表面的氣相沉積鍍膜范圍。3.根據權利要求I或2所述的一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于所述真空反應腔的側壁上還設有一反射鏡調整裝置，用以改變所述反射鏡與鉗鍋的相對位置并改變激光加熱的范圍。4.根據權利要求3所述的一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于所述反射鏡的反射面上還罩設有一可拆卸護板，用以防止反射鏡在激光加熱蒸發時被蒸汽分子玷污。5.根據權利要求4所述的一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于所述護板為薄的透明玻璃板。6.根據權利要求5所述的一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于所述窗口為由Ge或ZnSe材料制成的窗口。7.根據權利要求6所述的一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于所述聚焦凸透鏡的位置可沿光路移動調節。全文摘要一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于包括一真空反應腔；一基板架；一CO2激光器；一He-Ne激光器；一分束鏡，位于真空反應腔外并呈45度角設于CO2激光器與He-Ne激光器所發出的激光束的相交位置處；一聚焦凸透鏡；一散焦凹透鏡；一鉗鍋，用以盛放待蒸發材料；以及一反射鏡，設位于所述鉗鍋上方，用以將所述激光器發出的激光在由外而內依次經過分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口后，反射至所述鉗鍋內，對鉗鍋內的待蒸發材料進行激光加熱蒸發，從而在基板架上的基材或基片表面氣相沉積出含有所述待蒸發材料的膜層。本專利技術結構簡單，可對高熔點金屬材料進行非接觸式加熱使其蒸發而實現激光蒸發鍍膜，本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種激光蒸發鍍膜裝置，其特征在于：包括一真空反應腔，該真空反應腔的側壁密封設有一窗口；一基板架，設于真空反應腔內，用以放置待鍍膜基板或基片；一CO2激光器，位于真空反應腔外并水平設置，其激光橫向發射并與所述窗口相對；一He?Ne激光器，位于真空反應腔外并垂直設置，其激光縱向發射；一分束鏡，位于真空反應腔外并呈45度角設于CO2激光器與He?Ne激光器所發出的激光束的相交位置處；一聚焦凸透鏡，設于分束鏡與窗口之間的光路上；一散焦凹透鏡，設于聚焦凸透鏡與窗口之間的光路上；一鉗鍋，設于真空反應腔內并位于基板架的下方，用以盛放待蒸發材料；以及一反射鏡，設于真空反應腔內，并位于所述激光器、分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口所共同形成的光路上，且位于所述鉗鍋上方，用以將所述激光器發出的激光在由外而內依次經過分束鏡、聚焦凸透鏡、散焦凹透鏡和窗口后，反射至所述鉗鍋內，對鉗鍋內的待蒸發材料進行激光加熱蒸發，從而在基板架上的基材或基片表面氣相沉積出含有所述待蒸發材料的膜層。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：粟婷，楊柳，劉昕，
申請(專利權)人：中山市創科科研技術服務有限公司，
類型：發明
國別省市：
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