一種一步電沉積制備超疏水表面的方法技術

本發明專利技術公開了一種一步電沉積實現導電固體表面超疏水化的制備方法。在含有長鏈烷基硅氧烷的水解液中采用一步電化學沉積技術在導電固體表面制備粗糙的硅烷薄膜，即可得到與水的接觸角大于150°的超疏水表面。上述超疏水化表面的制備方法具有廣適性，可適用于多種導電固體表面，如金屬（及合金）、導電玻璃與導電聚合物，而且適合形狀不規則的基體，該制備方法工藝簡單，條件溫和，制備成本低，并且，制備得到的超疏水表面具有良好的抗酸堿性。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種一步電沉積制備超疏水表面的方法，其特征在于它的步驟如下：1）將0.1~5mL長鏈烷基硅氧烷滴加到50~95mL乙醇或甲醇中，用鹽酸調節pH至2.0~6.0，攪拌下緩慢加入50~5mL?濃度為0.2mol/L硝酸鈉或硝酸鉀，攪拌水解1~72h，得到沉積液；2）將待沉積的導體基體置于沉積液中作為陰極，以石墨或鉑片為輔助電極，在0.1~10.0mA/cm2電流密度下電沉積1~30min，取出基體用氣體吹干表面殘余溶液，得到具有超疏水的覆蓋有納米多孔官能團化二氧化硅薄膜表面。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：胡吉明，伍廉奎，
申請(專利權)人：浙江大學，
類型：發明
國別省市：