一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元制造技術(shù)

一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其特征在于，的兩個IGBT功率模塊(10)關(guān)于旁路可控硅(11)對稱排列，并緊密固定在散熱器(2)上，均壓電阻(12)排列于兩個IGBT功率模塊(10)的兩側(cè)，直流電解電容(6)成組排列于散熱器(1)的左側(cè)；通過電容連接母線(5)對多個直流電解電容(6)進行串、并聯(lián)成組的連接，并實現(xiàn)使直流電解電容(6)同整流二極管(1)保持電氣連接；整流二極管(1)以輸入功率端子(3)作為其供電輸入，直流電解電容(2)通過IGBT連接母線(8)將其連接于IGBT功率模塊(10)的輸入端，IGBT功率模塊(10)的輸出端通過輸出功率端子(13)向殼體(4)外輸出。（*該技術(shù)在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)屬于半導體開關(guān)
，特別涉及一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單J Li o
技術(shù)介紹
H橋功率單元的電路拓撲結(jié)構(gòu)圖示于附圖I。外部三相的交流供電經(jīng)由二極管整流器，變?yōu)橹绷鬟M入功率單元，并對串并聯(lián)的電解電容器組進行充電，實現(xiàn)穩(wěn)壓，穩(wěn)壓之后所得的直流電壓提供給由IGBT組成的單相H形橋式逆變電路，逆變成為給定頻率的輸出電壓，再用于同其它功率單元的串聯(lián)輸出。目前技術(shù)存在的問 題有，連接結(jié)構(gòu)不合理，節(jié)約材料浪費，裝配不便等缺點。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)是針對H橋功率單元串聯(lián)多電平變頻器而設計的一種結(jié)構(gòu)合理，節(jié)約材料浪費，裝配方便的臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元。本技術(shù)解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案如下一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，包括整流二極管、散熱器、輸入功率端子、殼體、電容連接母線、直流電解電容、母線絕緣板、IGBT連接母線、吸收電容、IGBT功率模塊、旁路可控硅、均壓電阻以及輸出功率端子，其中，兩個IGBT功率模塊關(guān)于旁路可控硅對稱排列，并全部緊密固定在散熱器上，兩個IGBT功率模塊不相鄰的兩側(cè)各設有一個均壓電阻，直流電解電容成組排列于散熱器的左側(cè)；通過使用母線絕緣板進行絕緣的電容連接母線對多個直流電解電容進行串、并聯(lián)成組的連接，并同時實現(xiàn)直流電解電容同GBT功率模塊和整流二極管的電氣連接；整流二極管以輸入功率端子作為其供電輸入，直流電解電容通過IGBT連接母線將其連接于IGBT功率模塊的輸入端，IGBT功率模塊的輸出端通過輸出功率端子向殼體外輸出。本技術(shù)一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其中，直流電解電容的個數(shù)為9。本技術(shù)一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其中，兩個輸出功率端子平齊輸出。這樣設計能夠便于若干臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元串聯(lián)使用，使得整機便于維護和整體美觀。本技術(shù)一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其中，散熱器位于臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元底部，且貫通于整個臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元。這便于對H橋整機進行散熱設計，同時避免功率單元中的熱流脫離設計的散熱路徑，對其它電氣元件產(chǎn)生熱損壞。本技術(shù)一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其中，直流電解電容豎直擺放，使得其施壓口朝上。這避免電解液從施壓口泄露，延長其使用壽命；另外，在直流電解電容承受過電壓時，可以安全的向上施放壓力，避免對人員和其它元件造成危害。附圖說明圖I為現(xiàn)有技術(shù)功率單元的電路拓撲結(jié)構(gòu)圖。圖2為本技術(shù)的立體圖。具體實施方式如圖2，一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，包括整流二極管I、散熱器2、輸入功率端子3、殼體4、電容連接母線5、九個直流電解電容6、母線絕緣板7、IGBT連接母線8、吸收電容9、IGBT功率模塊10、旁路可控硅11、均壓電阻12以及輸出功率端子13，其特征在于，的兩個IGBT功率模塊10關(guān)于旁路可控娃11對稱排列，并全部緊密固定在散熱器2上，散熱器2位于臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元底部，且貫通于整個臥式結(jié)構(gòu) 高壓變頻器功率單元。兩個IGBT功率模塊10不相鄰的兩側(cè)各設有一個均壓電阻12，直流電解電容6成組排列于散熱器I的左側(cè)，直流電解電容6豎直擺放，使得其施壓口朝上，通過使用母線絕緣板7進行絕緣的電容連接母線5對多個直流電解電容6進行串、并聯(lián)成組的連接，并同時實現(xiàn)直流電解電容6同GBT功率模塊10和整流二極管I的電氣連接；整流二極管I以輸入功率端子3作為其供電輸入，直流電解電容2通過IGBT連接母線8將其連接于IGBT功率模塊10的輸入端，IGBT功率模塊10的輸出端通過輸出功率端子13向殼體4外輸出，兩個輸出功率端子13平齊輸出。以上描述是對本技術(shù)的解釋，不是對技術(shù)的限定，本技術(shù)所限定的范圍參見權(quán)利要求，在不違背本技術(shù)的精神的情況下，本技術(shù)可以作任何形式的修改。權(quán)利要求1.一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，包括整流二極管(I)、散熱器(2)、輸入功率端子(3)、殼體(4)、電容連接母線(5)、直流電解電容(6)、母線絕緣板(7)、IGBT連接母線(8)、吸收電容(9)、IGBT功率模塊(10)、旁路可控硅(11)、均壓電阻(12)以及輸出功率端子(13)，其特征在于，兩個IGBT功率模塊(10)關(guān)于旁路可控硅(11)對稱排列，并全部緊密同定在散熱器⑵上，兩個IGBT功率模塊(10)不相鄰的兩側(cè)各設有一個均壓電阻(12)，直流電解電容(6)成組排列于散熱器(I)的左側(cè)；通過使用母線絕緣板(7)進行絕緣的電容連接母線(5)對多個直流電解電容(6)進行串、并聯(lián)成組的連接，并同時實現(xiàn)直流電解電容(6)同GBT功率模塊(10)和整流二極管(I)的電氣連接；整流二極管(I)以輸入功率端子(3)作為其供電輸入，直流電解電容(2)通過IGBT連接母線(8)將其連接于IGBT功率模塊(10)的輸入端，IGBT功率模塊(10)的輸出端通過輸出功率端子(13)向殼體⑷外輸出。2.如權(quán)利要求I的一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其特征在于，直流電解電容(6)的個數(shù)為9。3.如權(quán)利要求2的一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其特征在于，兩個輸出功率端子(13)平齊輸出。4.如權(quán)利要求3的一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其特征在于，所述散熱器(2)位于臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元底部，且貫通于整個臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元。5.如權(quán)利要求4的一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其特征在于，直流電解電容(6)豎直擺放，使得其施壓口朝上。專利摘要一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，其特征在于，的兩個IGBT功率模塊(10)關(guān)于旁路可控硅(11)對稱排列，并緊密固定在散熱器(2)上，均壓電阻(12)排列于兩個IGBT功率模塊(10)的兩側(cè)，直流電解電容(6)成組排列于散熱器(1)的左側(cè)；通過電容連接母線(5)對多個直流電解電容(6)進行串、并聯(lián)成組的連接，并實現(xiàn)使直流電解電容(6)同整流二極管(1)保持電氣連接；整流二極管(1)以輸入功率端子(3)作為其供電輸入，直流電解電容(2)通過IGBT連接母線(8)將其連接于IGBT功率模塊(10)的輸入端，IGBT功率模塊(10)的輸出端通過輸出功率端子(13)向殼體(4)外輸出。文檔編號H05K7/20GK202798426SQ201220362879公開日2013年3月13日 申請日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月25日專利技術(shù)者馬永述, 黃林波, 繩偉輝, 邵長宏, 王鵬, 干永革 申請人:中冶賽迪電氣技術(shù)有限公司本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種臥式結(jié)構(gòu)高壓變頻器功率單元，包括整流二極管(1)、散熱器(2)、輸入功率端子(3)、殼體(4)、電容連接母線(5)、直流電解電容(6)、母線絕緣板(7)、IGBT連接母線(8)、吸收電容(9)、IGBT功率模塊(10)、旁路可控硅(11)、均壓電阻(12)以及輸出功率端子(13)，其特征在于，兩個IGBT功率模塊(10)關(guān)于旁路可控硅(11)對稱排列，并全部緊密同定在散熱器(2)上，兩個IGBT功率模塊(10)不相鄰的兩側(cè)各設有一個均壓電阻(12)，直流電解電容(6)成組排列于散熱器(1)的左側(cè)；通過使用母線絕緣板(7)進行絕緣的電容連接母線(5)對多個直流電解電容(6)進行串、并聯(lián)成組的連接，并同時實現(xiàn)直流電解電容(6)同GBT功率模塊(10)和整流二極管(1)的電氣連接；整流二極管(1)以輸入功率端子(3)作為其供電輸入，直流電解電容(2)通過IGBT連接母線(8)將其連接于IGBT功率模塊(10)的輸入端，IGBT功率模塊(10)的輸出端通過輸出功率端子(13)向殼體(4)外輸出。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬永述，黃林波，繩偉輝，邵長宏，王鵬，干永革，
申請(專利權(quán))人：中冶賽迪電氣技術(shù)有限公司，
類型：實用新型
國別省市：