用于優化RF接收機的增益或噪聲系數的技術制造技術

公開了用于優化RF接收機的增益或噪聲系數的技術。在示例性實施例中，控制器控制該接收機的RF前端（FE）的LNA和混頻器之間的電容器排。對于給定中心頻率，第一組電容器被切換到混頻器并且第二組電容器被切換到地。該第二組電容器與該第一組電容器的電容比抑或影響該RF?FE的增益抑或影響該接收機的噪聲系數。因此，可以抑或優化RF?FE增益抑或優化接收機噪聲系數的方式來控制該接收機的該RF?FE。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】...

【專利技術屬性】
技術研發人員：CH·王，
申請(專利權)人：高通股份有限公司，
類型：
國別省市：