【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種微晶玻璃的制備方法，具體為具有自潔功能的微晶玻璃鍍膜方法，即。
技術介紹
目前常用的自潔玻璃主要是使用普通的玻璃進行表面鍍膜處理達到自潔功能，但是普通玻璃本身材質的原因，限制自潔玻璃的應用范圍，而微晶玻璃具有較低的熱膨脹系數和較高的機械強度，使用領域較為廣泛，但是不具有自潔功能。
技術實現思路
本專利技術針對上述技術問題，提供一種可以制作出具有自潔功能的微晶玻璃鍍膜方 法，包括以下步驟 (1)按照重量比的配方配料，高爐渣與正長石比例為19T22 :1，原料經過粉碎成型后燒結，燒成溫度為1100°C 1300，保溫2小時； (2)將四乙氧基硅烷、無水乙醇和蒸餾水體積比按照48 1混合，用稀鹽酸調節pH值3-4形成硅溶膠； 硅溶膠和聚四氟乙烯乳液按照體積比為1: l(Tl: 20混合，用稀鹽酸調節pH值9-10，在室溫下密閉陳化6-8小時，形成修飾液； (3)將整個洗凈的基板浸入修飾液中，然后以精確控制的均勻速度將基板平穩地從修飾液中提拉出來，提拉速率l-2mm/s，鍍膜后把樣品放入烘箱中，高溫干燥20分鐘，重復多次； (4)在電爐內進行熱處理，處理溫度為360-400°C，時間為10-15分鐘。本專利技術提供的，制備的微晶玻璃的主晶相是鎂黃長石，聚四氟乙烯對硅溶膠有良好的修飾作用，自潔凈微晶玻璃的接觸角已達到120°，具有較強的疏水性。具體實施例方式結合具體實施方式說明本專利技術的技術方案，實施例為 (1)按照重量比的配方配料，高爐渣190kg，正長石20kg，原料分別經過球磨、干燥、干壓成型工藝后，采用常壓空氣氣氛下燒結，燒成溫...
【技術保護點】
自潔微晶玻璃鍍膜方法，其特征在于：包括以下步驟，（1）按照重量比的配方配料，高爐渣與正長石比例為19：1~22：1，原料經過粉碎成型后燒結，燒成溫度為1200℃，保溫2小時，制成基板；（2）將四乙氧基硅烷、無水乙醇和蒸餾水體積比按照4：8：1混合，用稀鹽酸調節pH值3?4形成硅溶膠；硅溶膠和聚四氟乙烯乳液按照體積比為1:10~1:20混合，用稀鹽酸調節pH值9?10，在室溫下密閉陳化6?8小時，形成修飾液；（3）將整個洗凈的基板浸入修飾液中，然后以精確控制的均勻速度將基板平穩地從修飾液中提拉出來，提拉速率l?2mm/s，鍍膜后把樣品放入烘箱中，高溫干燥20分鐘，重復多次；（4）在電爐內進行熱處理，處理溫度為360?400℃，時間為l0?15分鐘。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔣達光，
申請(專利權)人：江蘇宜達光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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